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总投资10亿元,芯瓷科技半导体功率
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用DPC陶瓷基板项目投产
电子科技大学朱慧慧、刘奥教授在Nature Protocols上发表新型半导体薄膜电子
器件
研究成果
年产100万只高速光通信
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和模块项目正式启动厂房装修工程
基本半导体“碳化硅基集成SBD和SGT
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及其制备方法”专利公布
世界首个采用6.5kV功率
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的柔性直流工程成功投运
基本半导体“碳化硅基集成SBD和SGT
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及其制备方法”专利公布
甬江实验室信息材料与微纳
器件
制备平台正式投用
昌龙智芯半导体功率
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项目投资超5亿元
行业Top级厂商齐聚功率
器件
展区!CSE 2025等您来探!
功率半导体
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研发商中微创芯完成近亿元Pre-B轮融资
宁波材料所与郑州大学实现金刚石/氧化镓异质结
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突破
广州华瑞升阳申请宽禁带半导体
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专利,降低宽禁带半导体
器件
导通损耗和栅介质层击穿风险
北京大学团队在GaN基功率电子
器件
研究上取得系列重要进展
晶体材料及元
器件
厂商飞锐特完成数千万元A轮融资
北大集成电路学院研究团队在GaN基功率电子
器件
研究上取得系列重要进展
光迅科技高端光电子
器件
产业基地一期达产
杭州芯迈半导体技术申请一种功率开关
器件
专利,提高了
器件
的功率密度
成都氮矽科技申请 N 面增强型 GaN 双向功率
器件
专利,提高
器件
的抗辐照能力
扬杰电子申请提高反向续流的双沟槽SiC MOSFET
器件
专利,改善沟槽MOSFET栅氧化层可靠性
上海积塔半导体申请碳化硅晶体管结构及其制备方法专利,有效降低
器件
VFSD
华虹半导体申请集成半导体
器件
及其制备方法专利,提高芯片整体抗EMI能力
总投资3亿元,深矽微科技功率
器件
封装生产基地项目首批设备正式进场
南京大学在宇航用抗辐照GaN功率
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方面取得新进展
氮化镓功率电子
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技术进展探讨(三) |IFWS&SSLCHINA2024
氮化镓功率电子
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技术进展探讨(二)|IFWS&SSLCHINA2024
上海微系统所科研团队在金刚石基氧化镓异质集成材料与
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领域取得突破性进展
氮化镓功率电子
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技术进展探讨(一) |IFWS&SSLCHINA2024
上应大科研团队在光探测材料与
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领域取得重要进展!
最高记录!柔性热电
器件
,Science!
光谷筑芯微电子精密
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智造基地(首开区) 项目喜封金顶!
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