首页 > 新闻资讯 > 搜索
南京工业大学先进材料AM：界面诱导生长法制备高效锡基钙钛矿发光二极管
 评论 ⋅  2025-06-04 08:29
长光华芯“半导体光子晶体发光结构及其制备方法”专利公布
 评论 ⋅  2025-04-21 15:58
苏州晶湛半导体申请发光器件相关专利，提高了发光器件生产良率
 评论 ⋅  2025-04-18 18:58
苏州长光华芯取得模式调控半导体发光结构及其制备方法专利
 评论 ⋅  2025-04-16 19:27
中国科学院提出新型平面型面发光有机发光晶体管器件结构
 评论 ⋅  2025-04-11 16:23
黄维院士团队在柔性聚合物发光二极管应变稳定性方面取得重要进展
 评论 ⋅  2025-02-17 14:40
南开大学研发光学焦平面阵列堆叠芯片，实现毫米波高速成像
 评论 ⋅  2025-02-17 10:23
厦大团队突破：量子点发光微球打造超高效明亮Micro-LEDs
 评论 ⋅  2025-01-25 15:16
北京工业大学郭伟玲课题组联合闽都创新实验室、福州大学孙捷课题组：局域表面等离子体增强纳米柱Micro-LED发光
 评论 ⋅  2025-01-20 09:18
许福军、沈波团队成功实现垂直注入AlGaN基深紫外发光器件的晶圆级制备
 评论 ⋅  2024-11-12 18:43
豪纬集团申请一种基于微纳阵列结构 GaN 基光电子芯片的制备方法专利，有效提高微纳结构中有源层的发光效率
 评论 ⋅  2024-08-13 16:14
清华大学研发光子芯片侧重自动驾驶等边缘智能应用
 评论 ⋅  2024-06-18 17:24
CASICON晶体大会前瞻 |江风益院士：V形PN结铟镓氮发光及应用
 评论 ⋅  2024-05-30 11:06
莱特光电申请含氮化合物及有机电致发光器件和电子装置专利
 评论 ⋅  2024-05-10 10:00
CSPSD 2024成都前瞻|上海大学任开琳：一种新型氮化镓基发光高电子迁移率晶体管
 评论 ⋅  2024-04-23 09:53
国家重点研发计划“单片集成GaN基可调控Micro-LED发光器件研究”项目启动
 评论 ⋅  2024-04-18 17:29
北京大学取得AlGaN基深紫外发光二极管器件结构及其制备方法专利，显著提升器件的光输出功率
 评论 ⋅  2024-04-08 19:10
北京大学申请长波长InGaN基发光二极管专利，有利于提高发光多量子阱中的铟并入
 评论 ⋅  2024-03-25 10:36
英特尔与日本NTT合作开发光电融合半导体
 评论 ⋅  2024-01-30 11:08
4000多次试错，终于探索出全球第三条蓝光LED技术路线
江西南昌硅衬底发光二极管蓝光
 评论 ⋅  2024-01-15 08:59
中国科学院半导体所伍绍腾：基于12英寸硅衬底的红外锗锡LED发光器件研究
 评论 ⋅  2023-12-29 15:28
研究机构：2028年全球OLED发光材料市场将超24亿美元，中国占44%
 评论 ⋅  2023-12-05 14:08
西安交通大学李虞锋：SNOM对GaN基发光芯片的高空间分辨光学表征
 评论 ⋅  2023-08-02 09:51
CASICON 2023前瞻北京大学副教授许福军：AlGaN基深紫外发光材料和器件研究
 评论 ⋅  2023-07-13 11:11
美国Bolb公司董事长张剑平博士：透明紫外C波段发光二极管的光提取效率和性能
 评论 ⋅  2023-02-27 14:48
美国Bolb Inc.董事长兼首席技术官张剑平：透明紫外C波段发光二极管的光提取效率和性能
 评论 ⋅  2023-02-27 14:34
长春应化所在晶态有机发光二极管研究中取得重要进展
 评论 ⋅  2023-01-05 09:28
中科潞安牵头大功率深紫外AlGaN基LED发光材料与器件产业化关键技术获得立项
 评论 ⋅  2022-12-21 13:47
武大研究团队实现24.1%高效率钙钛矿近红外发光LED
 评论 ⋅  2022-12-13 14:04
中国科大在纯红光钙钛矿电致发光二极管取得新进展
 评论 ⋅  2022-11-22 14:40
   首页   下一页   上一页   尾页 
联系客服 投诉反馈  顶部