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元宇宙时代，Mini/Micro-LED技术产业应用发展趋势
 评论 ⋅  2021-12-11 17:17
北京大学许福军：高质量AlN实现路径探索及深紫外发光器件应用
 评论 ⋅  2021-12-11 16:08
北京大学王柳冰：通过引入透明复合p型层和Ag纳米点/Al反射电极相结合提高深紫外LED的光提取效率
 评论 ⋅  2021-12-11 16:06
西安电子科技大学宁静：基于维度调控的GaN紫外LED及光电集成
 评论 ⋅  2021-12-11 16:04
厦门大学黄凯：紫外光电器件中的极化激元和等离激元研究
 评论 ⋅  2021-12-11 16:02
中山大学江灏：利用界面效应的高Al组分AlGaN的高效p型掺杂及其深紫外光电探测应用
 评论 ⋅  2021-12-11 16:01
港科技术（佛山）董国帅：峰值波长为 222nm 的远紫外线KrCl准分子灯的活化能和寿命研究
 评论 ⋅  2021-12-11 15:59
干货满满！IFWS 2021：碳化硅功率器件与封装应用论坛成功召开！
 评论 ⋅  2021-12-10 21:53
中科院半导体所张逸韵：基于MOCVD生长的β-Ga2O3纳米线晶体管及其日盲光电晶体管探测器研究
 评论 ⋅  2021-12-10 17:22
西安电子科技大学袁海东：β-Ga2O3/2D异质结界面性能调控及其潜在应用
 评论 ⋅  2021-12-10 17:19
山东大学徐明升：基于金刚石金属半导体场效应晶体管的日盲探测器
 评论 ⋅  2021-12-10 17:16
西安交通大学王艳丰：大面积单晶金刚石及场效应晶体管的研究
 评论 ⋅  2021-12-10 17:13
郑州大学刘玉怀：六方氮化硼薄膜在不同衬底上的生长研究综述
 评论 ⋅  2021-12-10 17:11
西安交通大学李强：hBN薄膜的制备与应用
 评论 ⋅  2021-12-10 17:08
南京大学况悦：κ-Ga2O3/In2O3 同型异质结构的能带排列和界面弯曲
 评论 ⋅  2021-12-10 17:06
郑州大学Mussaab I. Niass：蓝宝石衬底上BGaN基深紫外边发射激光二极管的仿真研究
 评论 ⋅  2021-12-10 17:04
美国康奈尔大学教授Huili Grace XING：对抗氮化镓和碳化硅的氧化镓功率器件Ga2O3
 评论 ⋅  2021-12-10 16:42
IFWS& SSLCHINA 2021：超宽禁带半导体材料最新进展
 评论 ⋅  2021-12-10 16:34
艾欧史密斯（中国）陈小波：紫外杀菌技术在净水器中的应用研究
 评论 ⋅  2021-12-10 15:55
挪威科学院院士Helge WEMAN：使用石墨烯作为透明导电衬底的AlGaN纳米线UV LED
 评论 ⋅  2021-12-10 15:38
郑州大学Muhammad Nawaz Sharif：铟摩尔分数对InGaN基近紫外发光二极管光学性能的影响
 评论 ⋅  2021-12-10 15:35
应用潜力不断释放 固态紫外材料与器件技术最新进展
 评论 ⋅  2021-12-10 15:09
哈尔滨工业大学赵丽丽：低成本碳化硅单晶材料产业化技术研究
 评论 ⋅  2021-12-10 14:14
复旦大学张园览：基于P区反序掺杂策略的高效碳化硅结势垒肖特基二极管的研究
复旦大学张园览高效碳化硅结势垒肖特基二极管
 评论 ⋅  2021-12-10 12:10
中科院微电子所侯峰泽：高可靠功率系统集成的发展和挑战
中国科学院微电子研究所系统封装集成研发中心侯峰泽高可靠功率系统集成
 评论 ⋅  2021-12-10 11:57
佛智芯副总经理林挺宇：先进封装大板扇出研发及功率器件封装应用
佛智芯微电子半导体智能装备系统集成创新中心林挺宇先进封装大板扇出功率器件封装
 评论 ⋅  2021-12-10 11:53
爱思强中国区副总经理方子文：促进宽禁带半导体产业化的关键外延技术
德国爱思强方子文宽禁带半导体产业化关键外延技术
 评论 ⋅  2021-12-10 11:49
北方华创王显刚：化合物半导体工艺设备解决方案
北方华创微电子装备LED化合物半导体王显刚化合物半导体工艺设备
 评论 ⋅  2021-12-10 11:43
复旦大学特聘教授张清纯：SiC器件和模块的最新进展
复旦大学教授上海碳化硅功率器件张清纯SiC器件模块
 评论 ⋅  2021-12-10 10:39
美国电力首席执行官Victor VELIADIS教授：碳化硅大规模商业化：现状与障碍
美国电力首席北卡罗莱纳州立大学教授VictorVELIADIS碳化硅
 评论 ⋅  2021-12-10 10:15
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