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CSPSD 2024成都前瞻 |松山湖材料实验室王方洲：低损耗高耐压Si基GaN双向阻断功率器件研究
 评论 ⋅  2024-04-17 16:32
《用于零电压软开通电路的GaN HEMT动态导通电阻测试方法》等两项团体标准形成征求意见稿
 评论 ⋅  2024-04-16 15:54
CSPSD 2024成都前瞻|北京大学魏进：如何使GaN功率器件如Si MOSFET一样简单易用？
 评论 ⋅  2024-04-15 16:35
《用于零电压软开通电路的GaN HEMT动态导通电阻测试方法》等两项团体标准形成征求意见稿
 评论 ⋅  2024-04-07 19:21
北京大学申请长波长InGaN基发光二极管专利，有利于提高发光多量子阱中的铟并入
 评论 ⋅  2024-03-25 10:36
品牌推荐│BelGaN诚邀您参加CSE化合物半导体产业博览会
 评论 ⋅  2024-03-14 10:20
成果推荐 | 硅衬底上基于高Al组分AlInGaN势垒层射频微波器件
 评论 ⋅  2024-03-13 20:04
扬杰科技申请高封装功率密度的GaNHEMT器件及其制备方法专利
 评论 ⋅  2024-03-04 17:01
8英寸SiC和GaN晶圆厂项目签约福建
 评论 ⋅  2024-02-22 16:45
英飞凌、京瓷GaN/SiC新动作
 评论 ⋅  2024-02-09 18:06
福州新区新增两个GaN项目签约
 评论 ⋅  2024-01-29 17:30
厦门大学团队演示可同步辐射正交线偏振绿光的半极性InGaN基MCLED
 评论 ⋅  2024-01-24 17:32
北京大学申请高动态稳定性GaN器件专利，提高GaN HEMT的动态稳定性
 评论 ⋅  2024-01-17 10:07
华南师范大学王幸福：GaN微纳结构及其光电子器件研究
GaN微纳米器件紫外探测器件
 评论 ⋅  2024-01-15 13:26
三安宣布进军美洲市场，为市场提供SiC和GaN功率半导体产品
LuminusDevices湖南三安半导体Luminus湖南三安SiCGaN
 评论 ⋅  2024-01-12 10:37
瑞萨收购Transphorm，利用GaN技术扩展电源产品阵容
 评论 ⋅  2024-01-11 15:57
香港中文大学（深圳）冀东：GaN同质外延中的雪崩特性
GaN同质外延雪崩击穿电离系数功率器件雪崩光电二极管
 评论 ⋅  2024-01-10 11:53
英诺赛科发布100V车规级GaN，持续推进汽车激光雷达市场
英诺赛科100V车规级GaN汽车激光雷达
 评论 ⋅  2023-12-29 18:02
简述氮化镓(GaN)的应用市场
 评论 ⋅  2023-12-27 16:42
ULVAC牛山史三：GaN溅射技术进展
 评论 ⋅  2023-12-27 14:34
南京大学庄喆：基于外延层残余应变调控的InGaN基红光LED器件
 评论 ⋅  2023-12-27 13:50
深圳大学刘新科：低成本垂直GaN功率器件
 评论 ⋅  2023-12-26 11:51
西安电子科技大学游淑珍：面向1200V功率应用的异质衬底横向和垂直GaN器件发展趋势
 评论 ⋅  2023-12-25 16:32
大阪公立大学梁剑波：增强 GaN/3C-SiC/金刚石结构的散热性能，以适应实际器件应用
 评论 ⋅  2023-12-22 16:31
多伦多大学吴伟东：用于电动汽车的液冷GaN和SiC功率模块
 评论 ⋅  2023-12-22 11:30
北京大学申请GaN与碳纳米管CMOS电路专利
 评论 ⋅  2023-12-18 15:47
IFWS 2023│华南师范大学尹以安：具复合栅极和阶梯结构的新型GaN垂直晶体管研究
 评论 ⋅  2023-12-18 10:11
IFWS 2023│台湾成功大学李清庭：GaN基单片电子器件的集成互补金属氧化物半导体D模和E模高电子迁移率晶体管
 评论 ⋅  2023-12-08 16:40
IFWS 2023│日本国立材料研究所桑立雯：GaN MEMS/NEMS应变调控谐振器
 评论 ⋅  2023-12-08 16:04
IFWS 2023│南方科技大学于洪宇：Si基GaN器件及系统研究与产业前景
 评论 ⋅  2023-12-08 15:32
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