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钧联电子完成近亿元A轮融资,用于建设
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功率模块产线
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革新电力电子技术,开拓可持续解决方案
Wolfspeed拟申请破产后,瑞萨解散
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两大巨头退出
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市场 环球晶、汉磊、嘉晶迎转单
全国最大
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晶圆厂在光谷投产,每年可为144万辆新能源车供应“心脏”
瀚薪科技浙江丽水
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封测项目主体结构封顶
A-STAR推出全球首个工业级200毫米
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开放研发生产线
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企业基本半导体,递表港交所!
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封测项目主体结构封顶
CSPSD2025 | 二十余位专家学者共话硅、
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器件及其他高压功率器件新进展!
派恩杰“一种
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晶圆衬底的制备方法及
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晶圆衬底”专利公布
总投资55亿!
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产业园项目落地内蒙古
CSPSD 2025前瞻|东南大学魏家行:
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功率MOSFET关键技术新进展
CSPSD 2025前瞻|山东大学彭燕:基于金刚石/
碳化硅
新型异质散热结构的器件应用研究
CSPSD 2025前瞻|浙江大学王珩宇:
碳化硅
功率器件空间电荷补偿技术
CSPSD 2025前瞻|北京智慧能源研究院陈中圆:基于正向压降表征的
碳化硅
MOSFET结温测量方法研究
CSPSD 2025前瞻|超芯星刘欣宇:破界·赋能·引领——化学气相法
碳化硅
衬底技术创新开启未来产业新纪元
基本半导体推出新一代
碳化硅
MOSFET
泰科天润“一种超结快恢复平面栅
碳化硅
VDMOS及其制备方法”专利公布
投资3.9亿元,同光科技年产7万片
碳化硅
单晶衬底项目
三安半导体“
碳化硅
功率器件的制备方法及其
碳化硅
功率器件”专利公布
广州南砂晶圆申请用于PVT法生长
碳化硅
单晶的装料装置及应用专利,有效提高所制得
碳化硅
晶体的质量
ULVAC中国总裁杨秉君:车规级
碳化硅
市场发展正当时,将持续深耕中国市场
瀚天天成申请降低
碳化硅
外延薄膜表面 Bump 缺陷专利,可提高
碳化硅
外延片质量
碳化硅
外延供应商瀚天天成冲刺港交所
2025新能源汽车增速拐点将至,
碳化硅
行业亟需开辟第二战场
鲁晶半导体与山东大学共建
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功率器件产学研合作新生态
金威源与杰平方正式签署
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战略合作
山西中电科公司新研
碳化硅
化学气相沉积装备技术指标达到行业领先水平
天科合达申请在坩埚内部放置石墨件来提升
碳化硅
粉料利用率的专利,能够明显提高原料利用率
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