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CSPSD 2025前瞻|山东大学彭燕:基于金刚石/
碳化硅
新型异质散热结构的器件应用研究
CSPSD 2025前瞻|浙江大学王珩宇:
碳化硅
功率器件空间电荷补偿技术
CSPSD 2025前瞻|北京智慧能源研究院陈中圆:基于正向压降表征的
碳化硅
MOSFET结温测量方法研究
CSPSD 2025前瞻|超芯星刘欣宇:破界·赋能·引领——化学气相法
碳化硅
衬底技术创新开启未来产业新纪元
基本半导体推出新一代
碳化硅
MOSFET
泰科天润“一种超结快恢复平面栅
碳化硅
VDMOS及其制备方法”专利公布
投资3.9亿元,同光科技年产7万片
碳化硅
单晶衬底项目
三安半导体“
碳化硅
功率器件的制备方法及其
碳化硅
功率器件”专利公布
广州南砂晶圆申请用于PVT法生长
碳化硅
单晶的装料装置及应用专利,有效提高所制得
碳化硅
晶体的质量
ULVAC中国总裁杨秉君:车规级
碳化硅
市场发展正当时,将持续深耕中国市场
瀚天天成申请降低
碳化硅
外延薄膜表面 Bump 缺陷专利,可提高
碳化硅
外延片质量
碳化硅
外延供应商瀚天天成冲刺港交所
2025新能源汽车增速拐点将至,
碳化硅
行业亟需开辟第二战场
鲁晶半导体与山东大学共建
碳化硅
功率器件产学研合作新生态
金威源与杰平方正式签署
碳化硅
战略合作
山西中电科公司新研
碳化硅
化学气相沉积装备技术指标达到行业领先水平
天科合达申请在坩埚内部放置石墨件来提升
碳化硅
粉料利用率的专利,能够明显提高原料利用率
西湖仪器:实现12英寸
碳化硅
衬底激光剥离
全球首发!天岳先进携全系列12英寸
碳化硅
衬底产品震撼登场SEMICON China 2025
臻晶半导体自主研发液相法
碳化硅
电阻炉技术,全新解决方案引领行业潮流!
江苏超芯星半导体申请一种 8 英寸
碳化硅
晶圆单面抛光方法专利,显著降低生产成本
泰科天润“一种高可靠平面栅
碳化硅
VDMOS及其制备方法”专利公布
超高压
碳化硅
大功率芯片项目签约
超高压
碳化硅
大功率芯片项目成功签约!
安森美推出基于
碳化硅
的智能功率模块以降低能耗和整体系统成本
芯粤能半导体成功开发第一代
碳化硅
沟槽MOSFET工艺平台
三安光电:重庆8英寸
碳化硅
衬底目前周产能达500片/周
总投资约70亿!苏州又一
碳化硅
(SiC)项目建成
瀚天天成8英寸
碳化硅
外延晶片厂房建设完成,设备购置将在3月收官
250亿韩元!SK Keyfoundry收购
碳化硅
厂商SK Powertech
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