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2025云南晶体大会前瞻|中国科学院半导体研究所杨晓光：硅基III-V族材料外延及异质集成研究进展
 评论 ⋅  2025-09-03 15:10
2025云南晶体大会前瞻| 昆明理工大学邓家云:磷化铟晶圆力学性能与加工性能研究
 评论 ⋅  2025-09-03 15:08
2025云南晶体大会前瞻| 中国电子信息产业发展研究院解楠：氮化铝宽禁带材料发展现状及技术演进趋势研究
 评论 ⋅  2025-09-02 17:37
会议通知 | 2025新一代半导体晶体材料技术及应用大会将于9月云南举办！
 评论 ⋅  2025-08-25 20:59
烁科晶体年产100万毫米碳化硅单晶项目正式启动！
 评论 ⋅  2025-07-30 15:59
创盛年产60万片8英寸碳化硅衬底片配套晶体项目开工建设
 评论 ⋅  2025-07-21 08:52
日本先进半导体制造商Rapidus启动2nm GAA晶体管试制，首块晶圆亮相
 评论 ⋅  2025-07-18 16:46
氮矽科技推出TOLL封装的增强型硅基氮化镓（GaN）晶体管
 评论 ⋅  2025-06-24 14:48
长光华芯“半导体光子晶体发光结构及其制备方法”专利公布
 评论 ⋅  2025-04-21 15:58
广州南砂晶圆申请用于PVT法生长碳化硅单晶的装料装置及应用专利，有效提高所制得碳化硅晶体的质量
 评论 ⋅  2025-04-17 11:44
苏州无热芯阳半导体申请新型衬底及其氧化物半导体场效应晶体管专利
 评论 ⋅  2025-03-31 10:48
投资100亿！高温超导硅单晶设备及晶体生产项目开工！
 评论 ⋅  2025-03-25 18:21
总投资5.2亿！烁科晶体二期项目，全面投产
 评论 ⋅  2025-02-18 17:53
烁科晶体：全球首发12英寸（300mm）高纯半绝缘碳化硅衬底
 评论 ⋅  2024-12-31 09:28
杭州镓仁半导体氧化镓衬底技术突破，助力客户实现2400V增强型晶体管
 评论 ⋅  2024-12-30 07:45
上海天岳申请一种三维方向应力分布均匀的SiC衬底及SiC晶体专利，提高SiC衬底质量
 评论 ⋅  2024-12-26 16:43
晶体材料及元器件厂商飞锐特完成数千万元A轮融资
 评论 ⋅  2024-12-24 13:52
万国半导体申请用于功率 MOSFET 的凹陷型多晶硅 ESD 二极管专利，保护功率晶体管免受高电压 ESD 事件影响
 评论 ⋅  2024-12-23 15:02
上海烨映微电子申请 GaN 晶体管与栅极驱动器合封专利，实现高频能力
 评论 ⋅  2024-12-19 16:26
上海积塔半导体申请碳化硅晶体管结构及其制备方法专利，有效降低器件VFSD
 评论 ⋅  2024-12-19 14:48
广州南砂晶圆半导体技术取得交流电阻加热器及SiC单晶生长装置专利，提高晶体生长速度且有助于4H‑SiC晶型稳定
 评论 ⋅  2024-11-12 15:39
烁科晶体SiC二期项目通过竣工验收，正式投产！
 评论 ⋅  2024-10-23 15:06
予秦半导体晶体材料研发及产业化项目环评公示
 评论 ⋅  2024-10-22 10:08
江苏集芯申请大尺寸碳化硅晶体生长坩埚及生长装置专利，保证晶体中心位置和外侧边缘的生长速率相一致
 评论 ⋅  2024-10-21 10:06
华芯紫辰半导体化合物晶体产业化项目落地
 评论 ⋅  2024-10-12 14:20
山西华芯半导体晶体材料产业基地二期基建完成
 评论 ⋅  2024-10-11 10:25
华芯紫辰半导体化合物晶体产业化项目落地红寺堡
 评论 ⋅  2024-10-08 16:40
河北同光半导体取得SiC专利，实现将源于生长区石墨件腐蚀引起的包裹物分布控制在晶体边缘
 评论 ⋅  2024-09-09 08:34
上海汉虹8英寸碳化硅晶体成功出炉
 评论 ⋅  2024-09-02 09:41
北方华创“碳化硅晶体生长装置”专利公布
 评论 ⋅  2024-08-16 17:24
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