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复旦大学研究人员等在新型半导体表界面结构与缺陷研究方面取得系列
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新成果!深圳大学在宽禁带半导体功率器件领域取得突破性
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半导体所在植入式脑机接口器件研究方面取得新
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中科院苏州纳米所孙钱团队与合作者在氮化镓紫外探测领域取得新
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中国科学院微电子所在碳硅三维异质集成器件上取得
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中国科学院宁波材料技术与工程研究所郭炜研究员在GaN HEMT器件研究中取得新
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中国科学院半导体所在二维阵列激光器方面取得重要
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金刚石高温日盲紫外探测器取得新
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中国科学技术大学在日盲紫外光电探测器研究中取得新
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中科大微电子学院在GaN器件辐照效应研究方向取得重要
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宁波材料所在超宽禁带半导体基日盲紫外探测领域取得系列
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中国科学院联合纳米器件研究部在日盲紫外探测领域取得新
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西电郝跃院士团队常晶晶教授等人在柔性钙钛矿太阳能电池机械稳定性和光电转换效率方面取得新
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西电张进成教授等在金刚石高压功率器件领域取得重要
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中国科学院半导体所等在层状半导体材料的拉曼散射理论和实验方面取得重要
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半导体所等在层状半导体材料的拉曼散射理论和实验方面取得重要
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研制成功!我国团队在氧化镓日盲光电探测器领域取得重要
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中国科学院微电子所在Chiplet热仿真工具研究方面取得新
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中国科大杨树教授和龙世兵教授课题组在垂直型GaN功率晶体管研究方向取得重要
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香港科技大学陈敬教授课题组发布多项氮化镓、碳化硅的最新研究
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黄维院士团队在柔性聚合物发光二极管应变稳定性方面取得重要
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武汉大学联合中科大iGaN实验室与工信部电子五所在GaN基HEMTs的沟道温度监测研究领域取得新
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北大杨学林、沈波团队在氮化镓外延材料中位错的原子级攀移动力学研究上取得重要
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南科大深港微电子学院于洪宇、王中锐、汪青研究团队在LiNbO3压电声表面波相移器领域取得新
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核能安全所在超宽禁带材料半导体辐射探测器研制方面取得新
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南京邮电大学研究团队在用于低功率光通信的GaN/CuI异质结构紫外光伏探测器取得
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半导体所在基于氧化镓的日盲紫外偏振光探测器方面取得新
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中南钻石联合中国电科第十三研究所在金刚石NV色心领域取得重要
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西安交大云峰教授团队在线偏振LED领域取得新
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北京大学团队在GaN基功率电子器件研究上取得系列重要
进展
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