首页 > 新闻资讯 > 搜索
中国科学院微电子所团队在高速串行接口芯片方面取得新进展
 评论 ⋅  2025-06-24 08:26
中国科大微电子学院胡诣哲教授课题组在极低抖动高速锁相环芯片研究中取得重要突破
 评论 ⋅  2025-06-24 08:14
突破芯片散热瓶颈！天津大学团队研发全球最小高能效MEMS冷却器
 评论 ⋅  2025-06-23 08:26
联合微电子中心研发硅光集成光纤陀螺芯片成功下线
 评论 ⋅  2025-04-07 18:52
全球首发！复旦团队研制二维半导体芯片“无极”
 评论 ⋅  2025-04-03 09:21
西安交大科研人员制备出全球首款六方氮化硼同质结深紫外LED芯片
 评论 ⋅  2025-03-19 12:03
实现技术突破！我国成功研制出这一光子芯片
 评论 ⋅  2025-03-13 12:10
浙江大学柯徐刚研究员团队发布应用于大功率AI数据中心的第三代半导体氮化镓高效率智能供电芯片
 评论 ⋅  2025-02-26 11:01
北京大学王剑威、龚旗煌课题组在连续变量光量子芯片领域取得重大突破
 评论 ⋅  2025-02-20 14:47
南开大学研发光学焦平面阵列堆叠芯片，实现毫米波高速成像
 评论 ⋅  2025-02-17 10:23
台积电亚利桑那州工厂已开始生产4nm芯片
 评论 ⋅  2025-01-13 17:26
美国实验室研发新型激光技术，有望大幅提升芯片制造效率
 评论 ⋅  2025-01-07 10:31
至芯半导体取得重大突破，推出高光效UV器件
 评论 ⋅  2024-10-16 09:08
国产自主研发28nm显示芯片量产
 评论 ⋅  2024-09-10 14:38
我国首次突破沟槽型碳化硅MOSFET芯片制造技术
 评论 ⋅  2024-09-03 16:46
我国科学家实现材料突破，可用于开发低功耗芯片
 评论 ⋅  2024-08-09 10:22
IMEC使用ASML最新High-NA EUV取得芯片制造突破
 评论 ⋅  2024-08-08 08:58
我国攻克1200V以上增强型氮化镓电力电子芯片量产技术
 评论 ⋅  2024-07-19 10:57
西安电子科技大学攻克 1200V 以上增强型氮化镓电力电子芯片量产技术
 评论 ⋅  2024-07-11 17:31
复旦大学研发半导体性光刻胶，实现特大规模集成度有机芯片制造
 评论 ⋅  2024-07-08 13:10
北大王玮教授团队在芯片热管理领域取得进展
 评论 ⋅  2024-07-02 08:33
积塔半导体BCD复合高压隔离器平台开发团队：积沙成塔，用“芯”取得新突破
 评论 ⋅  2024-06-14 10:46
808nm高功率半导体激光芯片取得重大突破
 评论 ⋅  2024-06-03 11:25
复旦大学芯片院在高速低EMI功率集成电路设计领域取得重要进展
 评论 ⋅  2024-05-13 11:50
国内首款！2Tb/s三维集成硅光芯粒成功出样
 评论 ⋅  2024-05-10 09:33
我国高性能光子芯片领域取得突破 可批量制造！
 评论 ⋅  2024-05-09 14:47
西安交大毫米波频率源芯片研究成果在ISSCC2024发表
 评论 ⋅  2024-03-01 16:46
清溢光电：已实现180nm工艺节点半导体芯片掩膜版的量产
 评论 ⋅  2024-01-17 11:06
中国科学院半导体研究所在脉冲型人工视觉芯片研制取得新进展
 评论 ⋅  2024-01-17 09:36
石墨烯芯片制造领域，重要里程碑→
碳化硅超高迁移率半导体外延石墨烯
 评论 ⋅  2024-01-05 13:55
   首页   下一页   上一页   尾页 
联系客服 投诉反馈  顶部