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中国科大微电子学院胡诣哲教授课题组在极低抖动高速锁相环芯片研究中取得重要突破
 评论 ⋅  2025-06-24 08:14
南京大学团队在国际功率半导体会议ISPSD上发布两项宇航用氮化镓功率器件辐照效应研究成果
 评论 ⋅  2025-06-18 11:35
深圳平湖实验室GaN课题组刘轩博士研究成果亮相国际顶级学术会议ISPSD2025
 评论 ⋅  2025-06-17 10:40
复旦大学研究人员等在新型半导体表界面结构与缺陷研究方面取得系列进展
 评论 ⋅  2025-06-16 10:17
半导体所在植入式脑机接口器件研究方面取得新进展
 评论 ⋅  2025-06-03 09:29
科研成果| p-GaN栅HEMT器件在负栅压阻断态下的重离子辐照 可靠性实验研究
 评论 ⋅  2025-05-16 12:01
中国科学院宁波材料技术与工程研究所郭炜研究员在GaN HEMT器件研究中取得新进展
 评论 ⋅  2025-05-06 09:32
国家工程研究中心最新突破：磁控溅射AlN覆盖层提升p-GaN HEMT器件性能
 评论 ⋅  2025-04-21 19:05
厦门大学-厦门市未来显示技术研究院团队在钙钛矿窄带光电探测器研究中取得重要突破
 评论 ⋅  2025-04-14 17:22
中国科学技术大学在日盲紫外光电探测器研究中取得新进展
 评论 ⋅  2025-04-07 18:59
中科大微电子学院在GaN器件辐照效应研究方向取得重要进展
 评论 ⋅  2025-04-03 09:53
西安电子科技大学郝跃院士团队常晶晶教授等人在Nano-Micro Lett.发表最新研究成果
 评论 ⋅  2025-04-02 19:08
重磅发布｜九峰山实验室GaN系列成果首次发布！
九峰山实验室GaN研究成果8英寸氮化镓衬底
 评论 ⋅  2025-03-24 09:29
中国科学院联合纳米器件研究部在日盲紫外探测领域取得新进展
 评论 ⋅  2025-03-19 14:09
兰州大学研究团队在日盲光电探测器件方面突破“RS困境” 实现高性能光电探测
 评论 ⋅  2025-03-12 14:43
浙江大学柯徐刚研究员团队发布应用于大功率AI数据中心的第三代半导体氮化镓高效率智能供电芯片
 评论 ⋅  2025-02-26 11:01
中国科学院微电子所在Chiplet热仿真工具研究方面取得新进展
 评论 ⋅  2025-02-25 11:38
中国科大杨树教授和龙世兵教授课题组在垂直型GaN功率晶体管研究方向取得重要进展
 评论 ⋅  2025-02-20 15:09
香港科技大学陈敬教授课题组发布多项氮化镓、碳化硅的最新研究进展
 评论 ⋅  2025-02-18 10:32
武汉大学联合中科大iGaN实验室与工信部电子五所在GaN基HEMTs的沟道温度监测研究领域取得新进展
 评论 ⋅  2025-02-14 14:46
北大杨学林、沈波团队在氮化镓外延材料中位错的原子级攀移动力学研究上取得重要进展
 评论 ⋅  2025-02-07 08:44
电子科技大学朱慧慧、刘奥教授在Nature Protocols上发表新型半导体薄膜电子器件研究成果
 评论 ⋅  2025-01-20 09:32
南科大深港微电子学院于洪宇、王中锐、汪青研究团队在LiNbO3压电声表面波相移器领域取得新进展
 评论 ⋅  2025-01-20 09:31
西安电子科技大学苏杰副教授以共同第一作者在Science发表研究成果
 评论 ⋅  2025-01-13 08:53
南京邮电大学研究团队在用于低功率光通信的GaN/CuI异质结构紫外光伏探测器取得进展
 评论 ⋅  2025-01-02 12:06
中南钻石联合中国电科第十三研究所在金刚石NV色心领域取得重要进展
 评论 ⋅  2024-12-26 17:54
北京大学团队在GaN基功率电子器件研究上取得系列重要进展
 评论 ⋅  2024-12-25 10:09
南科大李携曦课题组发表金刚石薄膜制备和应用领域研究成果
 评论 ⋅  2024-12-24 16:51
北大集成电路学院研究团队在GaN基功率电子器件研究上取得系列重要进展
 评论 ⋅  2024-12-23 17:17
王新强、王涛团队在褶皱二维氮化镓声子研究中取得重要进展
 评论 ⋅  2024-12-06 08:48
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