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中国科学院氮化镓基无源太赫兹相控阵机制研究获进展
 评论 ⋅  2025-08-08 16:36
科研成果 | 唐宁、沈波团队与合作者利用深紫外光谱在原子级薄超宽禁带半导体能带结构研究方面取得重要进展
 评论 ⋅  2025-07-28 15:09
苏州纳米所秦华团队在氮化镓基无源太赫兹相控阵机制研究方面取得进展
 评论 ⋅  2025-07-25 16:50
氮化镓外延层中位错辅助的电子和空穴传输研究取得进展
 评论 ⋅  2025-07-23 10:15
长春光机所联合东方理工大学研究团队在宽禁带氮化物载流子动力学研究方面取得重要进展
 评论 ⋅  2025-07-18 09:21
中国科学院微电子研究所在EUV光刻收集镜红外辐射抑制方面取得新进展
 评论 ⋅  2025-07-17 07:34
北京大学王新强、王平、王涛团队在纤锌矿氮化物铁电半导体研究上取得重要进展
 评论 ⋅  2025-07-10 08:59
中国科学院半导体研究所在低维半导体偏振光探测方面取得系列进展
 评论 ⋅  2025-07-08 11:01
中国科大微电子学院胡诣哲教授课题组在极低抖动高速锁相环芯片研究中取得重要突破
 评论 ⋅  2025-06-24 08:14
南京大学团队在国际功率半导体会议ISPSD上发布两项宇航用氮化镓功率器件辐照效应研究成果
 评论 ⋅  2025-06-18 11:35
深圳平湖实验室GaN课题组刘轩博士研究成果亮相国际顶级学术会议ISPSD2025
 评论 ⋅  2025-06-17 10:40
复旦大学研究人员等在新型半导体表界面结构与缺陷研究方面取得系列进展
 评论 ⋅  2025-06-16 10:17
半导体所在植入式脑机接口器件研究方面取得新进展
 评论 ⋅  2025-06-03 09:29
科研成果| p-GaN栅HEMT器件在负栅压阻断态下的重离子辐照 可靠性实验研究
 评论 ⋅  2025-05-16 12:01
中国科学院宁波材料技术与工程研究所郭炜研究员在GaN HEMT器件研究中取得新进展
 评论 ⋅  2025-05-06 09:32
国家工程研究中心最新突破：磁控溅射AlN覆盖层提升p-GaN HEMT器件性能
 评论 ⋅  2025-04-21 19:05
厦门大学-厦门市未来显示技术研究院团队在钙钛矿窄带光电探测器研究中取得重要突破
 评论 ⋅  2025-04-14 17:22
中国科学技术大学在日盲紫外光电探测器研究中取得新进展
 评论 ⋅  2025-04-07 18:59
中科大微电子学院在GaN器件辐照效应研究方向取得重要进展
 评论 ⋅  2025-04-03 09:53
西安电子科技大学郝跃院士团队常晶晶教授等人在Nano-Micro Lett.发表最新研究成果
 评论 ⋅  2025-04-02 19:08
重磅发布｜九峰山实验室GaN系列成果首次发布！
九峰山实验室GaN研究成果8英寸氮化镓衬底
 评论 ⋅  2025-03-24 09:29
中国科学院联合纳米器件研究部在日盲紫外探测领域取得新进展
 评论 ⋅  2025-03-19 14:09
兰州大学研究团队在日盲光电探测器件方面突破“RS困境” 实现高性能光电探测
 评论 ⋅  2025-03-12 14:43
浙江大学柯徐刚研究员团队发布应用于大功率AI数据中心的第三代半导体氮化镓高效率智能供电芯片
 评论 ⋅  2025-02-26 11:01
中国科学院微电子所在Chiplet热仿真工具研究方面取得新进展
 评论 ⋅  2025-02-25 11:38
中国科大杨树教授和龙世兵教授课题组在垂直型GaN功率晶体管研究方向取得重要进展
 评论 ⋅  2025-02-20 15:09
香港科技大学陈敬教授课题组发布多项氮化镓、碳化硅的最新研究进展
 评论 ⋅  2025-02-18 10:32
武汉大学联合中科大iGaN实验室与工信部电子五所在GaN基HEMTs的沟道温度监测研究领域取得新进展
 评论 ⋅  2025-02-14 14:46
北大杨学林、沈波团队在氮化镓外延材料中位错的原子级攀移动力学研究上取得重要进展
 评论 ⋅  2025-02-07 08:44
电子科技大学朱慧慧、刘奥教授在Nature Protocols上发表新型半导体薄膜电子器件研究成果
 评论 ⋅  2025-01-20 09:32
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