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国家工程研究中心最新突破：磁控溅射AlN覆盖层提升p-GaN HEMT器件性能
 评论 ⋅  2025-04-21 19:05
西安电子科技大学郝跃院士团队常晶晶教授等人在Nano-Micro Lett.发表最新研究成果
 评论 ⋅  2025-04-02 19:08
浙大团队最新《Science》：半赫斯勒窄带半导体材料的压电效应
 评论 ⋅  2025-03-18 16:42
香港科技大学陈敬教授课题组发布多项氮化镓、碳化硅的最新研究进展
 评论 ⋅  2025-02-18 10:32
从安森美几款最新品发布看电源技术的绿色变革路线图
 评论 ⋅  2025-01-15 15:29
Nature | 康奈尔大学：光电功能器件最新突破
 评论 ⋅  2024-10-11 16:32
IMEC使用ASML最新High-NA EUV取得芯片制造突破
 评论 ⋅  2024-08-08 08:58
光谷光通信传输最新成果，又破世界纪录！
 评论 ⋅  2024-08-05 15:30
日本团队：金刚石MOSFET研制取得最新进展
钻石MOSFET
 评论 ⋅  2023-12-29 16:52
武汉大学袁超课题组在超宽禁带氧化镓热输运领域最新研究进展
 评论 ⋅  2023-12-21 18:02
华为公布倒装芯片封装最新专利！
 评论 ⋅  2023-08-17 09:48
湖南三安发布最新1200V碳化硅MOSFET系列，包含1200V 80mΩ/20mΩ/16mΩ
 评论 ⋅  2022-09-05 18:43
6英寸高品质GaN晶体最新进展
 评论 ⋅  2022-07-14 19:16
英特尔研究院最新研究在多波长集成光学领域取得新进展
 评论 ⋅  2022-06-29 12:01
4H-SiC紫外光电探测器最新成果
 评论 ⋅  2022-06-24 14:42
超结 IGBT 最新研究进展
 评论 ⋅  2022-06-10 14:28
​ Wolfspeed：采用碳化硅技术，满足最新能效标准
 评论 ⋅  2022-05-23 13:22
金刚石MOSFET器件最新成果！在(111)金刚石衬底上成功制备高性能C-Si MOSFET器件
 评论 ⋅  2022-04-25 10:43
均匀度提升32% Micro-LED背光模组最新技术进展
 评论 ⋅  2022-03-28 11:10
西电周弘教授：超宽禁带半导体材料氧化镓器件最新研究进展
 评论 ⋅  2022-02-22 13:35
西电张进成教授团队最新成果：基于p-SnO帽层栅的高阈值增强型AlGaN/GaN HEMTs
 评论 ⋅  2021-12-22 16:28
首款隐形AR眼镜Mojo Lens 最新进展，具备14000 PPI的Micro LED显示屏
14000PPIMicroLED显示屏隐形AR眼镜MojoLens
 评论 ⋅  2021-08-25 17:08
黄劲松最新Science：稳定基底界面！高效率钙钛矿光伏组件
黄劲松Science稳定基底界面高效率钙钛矿光伏组件
 评论 ⋅  2021-08-20 11:36
碳化硅（SiC）迎来爆发！盘点今年1月份国外SiC的最新进展及技术
 评论 ⋅  2021-02-02 14:22
国外SiC的最新进展及技术
 评论 ⋅  2021-02-01 11:29
InGaN μLED外部量子效率改进最新研究成果 有望消除高性能μLED发展瓶颈
 评论 ⋅  2020-07-27 14:59
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