4H-SiC紫外光电探测器最新成果

日期:2022-06-24 阅读:232
核心提示:碳化硅(4H-SiC)材料禁带宽度器大、本征载流子浓度低、抗辐射能力强,可用于制备对可见光完全没有响应的可见光盲紫外光电探测器
碳化硅(4H-SiC)材料禁带宽度器大、本征载流子浓度低、抗辐射能力强,可用于制备对可见光完全没有响应的可见光盲紫外光电探测器。本项目组独立研制、生产的低噪声4H-SiC PIN光电二极管,具有检测灵敏度高、噪声低、使用方便等优点,光谱响应范围约200-400nm,对可见光完全无响应,峰值响应度约0.13A/W@270nm,光敏面积包括200×00μm2、400×400μm2、1*1mm2、2*2mm2等多种规格,封装有表面封装(SMT 3528)、TO46和TO5等,可广泛应用于实验室光谱测量、紫外线消毒灯辐射强度监测、太阳紫外线强度指数测量、紫外辐射强度测量等。

Figure 1 4H-SiC PIN光电二极管的光电响应曲线
 
技术成熟度
已小批量生产,已开发出太阳紫外线强度指数监测仪、紫外光电检测前置放大器、可见光-紫外双通道照度计、紫外线消毒灯辐射强度监测仪等产品,项目组可提供不同应用的完整解决方案,包括硬件设计、软件开发、响应度标定等。
 
 
应用范围
实验室光谱测量、紫外线消毒灯辐射强度监测、太阳紫外线强度指数测量、紫外辐射强度测量等。


团队负责人
张峰,厦门大学物理科学与技术学院特聘教授,主要研究领域:1.宽禁带半导体SiC基MOSFET、IGBT等功率器件研究;2.宽禁带半导体紫外光电探测器研究;3. 宽禁带半导体深能级缺陷与少子寿命研究。
(来源:厦大科创梦工场)
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