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简述氮化镓晶格排列氧化氮化镓纳米层的形成及其在电子器件中的应用
 评论 ⋅  2023-01-10 17:06
简述选择GaN或SiC器件的重点
 评论 ⋅  2023-01-09 17:08
简述通过栅极驱动器提高开关电源功率密度
 评论 ⋅  2023-01-05 09:29
东南大学两项研究成果发表于电子器件领域顶会IEDM
 评论 ⋅  2023-01-04 09:40
上海微系统所在碳化硅异质集成材料与光子器件领域取得进展
 评论 ⋅  2022-12-30 15:25
苏州纳米所孙钱团队研制出国际首支1200V的硅衬底GaN基纵向功率器件
 评论 ⋅  2022-12-14 10:27
武汉大学袁超研究员：热反射表征技术在宽禁带半导体材料和器件领域的应用进展
 评论 ⋅  2022-12-13 15:10
复旦大学微电子学院朱颢研究团队实现低功耗负量子电容场效应晶体管器件
 评论 ⋅  2022-12-12 13:23
中国科大在氧化镓半导体器件领域取得重要进展
 评论 ⋅  2022-12-12 10:47
简述电力电子中 IGBT 散热器选型应用
 评论 ⋅  2022-12-09 17:06
简述第三代半导体材料和器件中的热科学和工程问题
 评论 ⋅  2022-12-08 11:51
复旦大学研究团队实现低功耗负量子电容场效应晶体管器件
 评论 ⋅  2022-12-07 14:53
宽禁带氧化镓半导体在压电与射频器件中的应用
 评论 ⋅  2022-12-01 11:25
中科院物理所在集成有亚波长光栅的台面型InGaAs基短波红外偏振探测器取得进展
 评论 ⋅  2022-11-29 09:29
浅述GaN功率器件的发展
 评论 ⋅  2022-11-28 15:40
基于垂直架构的新型二维半导体/铁电多值存储器取得进展
 评论 ⋅  2022-11-25 14:00
简述国内半导体激光器产业该如何发展
 评论 ⋅  2022-11-25 10:00
简述碳化硅SIC器件在工业应用中的重要作用
 评论 ⋅  2022-11-23 15:18
Nature Electronics 电力电子首篇综述 - 功率器件的多维结构
 评论 ⋅  2022-11-18 14:38
北京交大科研团队提出GaN器件动态导通电阻的精确测试与优化方法
 评论 ⋅  2022-11-17 16:42
简述SiC功率器件的新发展和挑战
 评论 ⋅  2022-11-04 16:51
西安交大科研人员在可穿戴变色应变传感器方面取得新进展
 评论 ⋅  2022-10-26 09:33
IFWS 2022看点前瞻：射频电子材料与器件
 评论 ⋅  2022-10-20 11:17
盘点我国金刚石半导体与器件科研团队
 评论 ⋅  2022-10-19 15:03
基于范德华异质结构的电荷采样光电探测器
 评论 ⋅  2022-10-18 17:34
苏州纳米所梁伟等在高重复频率窄线宽外腔激光器领域取得进展
 评论 ⋅  2022-10-17 15:51
半导体所等研究团队合作在氮化物外延方法及新型器件研究中取得系列进展
 评论 ⋅  2022-10-14 17:45
简述碳化硅功率器件封装关键技术
 评论 ⋅  2022-10-14 17:34
高压碳化硅器件封装国内外研究进展
 评论 ⋅  2022-10-13 14:32
中山大学研究团队首次实现了基于ε-Ga2O3薄膜的SAW射频谐振器
 评论 ⋅  2022-10-12 18:05
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