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新成果！深圳大学在宽禁带半导体功率器件领域取得突破性进展
 评论 ⋅  2025-06-13 09:47
中国科大研制出一种全方向表面等离子体波照明器件
 评论 ⋅  2025-06-06 07:54
半导体所在植入式脑机接口器件研究方面取得新进展
 评论 ⋅  2025-06-03 09:29
北京大学团队成功研制无阈值电压负漂650V/10A增强型GaN器件
 评论 ⋅  2025-05-22 18:32
科研成果| p-GaN栅HEMT器件在负栅压阻断态下的重离子辐照 可靠性实验研究
 评论 ⋅  2025-05-16 12:01
中国科学院微电子所在碳硅三维异质集成器件上取得进展
 评论 ⋅  2025-05-07 09:19
中国科学院宁波材料技术与工程研究所郭炜研究员在GaN HEMT器件研究中取得新进展
 评论 ⋅  2025-05-06 09:32
国家工程研究中心最新突破：磁控溅射AlN覆盖层提升p-GaN HEMT器件性能
 评论 ⋅  2025-04-21 19:05
中国科学院提出新型平面型面发光有机发光晶体管器件结构
 评论 ⋅  2025-04-11 16:23
中科大微电子学院在GaN器件辐照效应研究方向取得重要进展
 评论 ⋅  2025-04-03 09:53
中国科学院联合纳米器件研究部在日盲紫外探测领域取得新进展
 评论 ⋅  2025-03-19 14:09
清华大学化学系马冬昕团队开发出高效稳定的钙钛矿量子点深红光器件
 评论 ⋅  2025-03-19 11:34
兰州大学研究团队在日盲光电探测器件方面突破“RS困境” 实现高性能光电探测
 评论 ⋅  2025-03-12 14:43
西电张进成教授等在金刚石高压功率器件领域取得重要进展
 评论 ⋅  2025-03-11 16:31
我国在太空成功验证第三代半导体材料制造的功率器件
 评论 ⋅  2025-02-05 10:42
中国首款高压抗辐射碳化硅功率器件研制成功 通过太空验证
 评论 ⋅  2025-01-22 10:39
中国太空科技新突破！首款高压抗辐射碳化硅功率器件研制成功并验证
 评论 ⋅  2025-01-22 09:36
电子科技大学朱慧慧、刘奥教授在Nature Protocols上发表新型半导体薄膜电子器件研究成果
 评论 ⋅  2025-01-20 09:32
宁波材料所与郑州大学实现金刚石/氧化镓异质结器件突破
 评论 ⋅  2024-12-26 14:22
北京大学团队在GaN基功率电子器件研究上取得系列重要进展
 评论 ⋅  2024-12-25 10:09
北大集成电路学院研究团队在GaN基功率电子器件研究上取得系列重要进展
 评论 ⋅  2024-12-23 17:17
南京大学在宇航用抗辐照GaN功率器件方面取得新进展
 评论 ⋅  2024-12-18 20:06
上海微系统所科研团队在金刚石基氧化镓异质集成材料与器件领域取得突破性进展
 评论 ⋅  2024-12-17 16:04
上应大科研团队在光探测材料与器件领域取得重要进展！
 评论 ⋅  2024-12-13 15:34
哈尔滨工业大学在碳化硅集成光量子纠缠器件领域取得新突破
 评论 ⋅  2024-12-06 10:51
许福军、沈波团队成功实现垂直注入AlGaN基深紫外发光器件的晶圆级制备
 评论 ⋅  2024-11-12 18:43
中国科大在钙钛矿软X射线探测器件领域取得重要进展
 评论 ⋅  2024-10-23 19:10
中国科大在钙钛矿软X射线探测器件领域取得重要进展
 评论 ⋅  2024-10-21 08:25
至芯半导体取得重大突破，推出高光效UV器件
 评论 ⋅  2024-10-16 09:08
Nature | 康奈尔大学：光电功能器件最新突破
 评论 ⋅  2024-10-11 16:32
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