首页 > 新闻资讯 > 搜索
国家工程研究中心最新突破：磁控溅射AlN覆盖层提升p-GaN HEMT器件性能
 评论 ⋅  2025-04-21 19:05
中国科学院提出新型平面型面发光有机发光晶体管器件结构
 评论 ⋅  2025-04-11 16:23
中科大微电子学院在GaN器件辐照效应研究方向取得重要进展
 评论 ⋅  2025-04-03 09:53
中国科学院联合纳米器件研究部在日盲紫外探测领域取得新进展
 评论 ⋅  2025-03-19 14:09
清华大学化学系马冬昕团队开发出高效稳定的钙钛矿量子点深红光器件
 评论 ⋅  2025-03-19 11:34
兰州大学研究团队在日盲光电探测器件方面突破“RS困境” 实现高性能光电探测
 评论 ⋅  2025-03-12 14:43
西电张进成教授等在金刚石高压功率器件领域取得重要进展
 评论 ⋅  2025-03-11 16:31
我国在太空成功验证第三代半导体材料制造的功率器件
 评论 ⋅  2025-02-05 10:42
中国首款高压抗辐射碳化硅功率器件研制成功 通过太空验证
 评论 ⋅  2025-01-22 10:39
中国太空科技新突破！首款高压抗辐射碳化硅功率器件研制成功并验证
 评论 ⋅  2025-01-22 09:36
电子科技大学朱慧慧、刘奥教授在Nature Protocols上发表新型半导体薄膜电子器件研究成果
 评论 ⋅  2025-01-20 09:32
宁波材料所与郑州大学实现金刚石/氧化镓异质结器件突破
 评论 ⋅  2024-12-26 14:22
北京大学团队在GaN基功率电子器件研究上取得系列重要进展
 评论 ⋅  2024-12-25 10:09
北大集成电路学院研究团队在GaN基功率电子器件研究上取得系列重要进展
 评论 ⋅  2024-12-23 17:17
南京大学在宇航用抗辐照GaN功率器件方面取得新进展
 评论 ⋅  2024-12-18 20:06
上海微系统所科研团队在金刚石基氧化镓异质集成材料与器件领域取得突破性进展
 评论 ⋅  2024-12-17 16:04
上应大科研团队在光探测材料与器件领域取得重要进展！
 评论 ⋅  2024-12-13 15:34
哈尔滨工业大学在碳化硅集成光量子纠缠器件领域取得新突破
 评论 ⋅  2024-12-06 10:51
许福军、沈波团队成功实现垂直注入AlGaN基深紫外发光器件的晶圆级制备
 评论 ⋅  2024-11-12 18:43
中国科大在钙钛矿软X射线探测器件领域取得重要进展
 评论 ⋅  2024-10-23 19:10
中国科大在钙钛矿软X射线探测器件领域取得重要进展
 评论 ⋅  2024-10-21 08:25
至芯半导体取得重大突破，推出高光效UV器件
 评论 ⋅  2024-10-16 09:08
Nature | 康奈尔大学：光电功能器件最新突破
 评论 ⋅  2024-10-11 16:32
中国科大微电子学院在GaN功率电子器件浪涌特性研究方向取得新进展
 评论 ⋅  2024-10-10 20:42
中科院微电子所在GaN器件研究方面取得重要进展
 评论 ⋅  2024-10-10 11:14
中国科大在仿生光电神经感知器件领域取得新突破
 评论 ⋅  2024-09-12 20:58
西电在逻辑运算器件领域取得重要突破
 评论 ⋅  2024-08-06 09:47
中国科学院半导体所在氮化物位错演化机制及光电神经网络器件研究领域取得新进展
 评论 ⋅  2024-07-22 11:27
北京大学在GaN功率器件可靠性与集成技术方面取得系列进展
 评论 ⋅  2024-07-12 22:09
晶合集成申请半导体专利，能提高半导体器件的稳定性和平衡性
 评论 ⋅  2024-05-30 09:37
   首页   下一页   上一页   尾页 
联系客服 投诉反馈  顶部