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晶合集成申请半导体专利,能提高半导体
器件
的稳定性和平衡性
北京大学取得AlGaN基深紫外发光二极管
器件
结构及其制备方法专利,显著提升
器件
的光输出功率
日本开发在磁场下实现电阻开关效应的半导体
器件
成果推荐| 基于凹槽二次外延技术的p-GaN栅极增强型电力电子
器件
山东大学郝晓涛团队在有机半导体光伏
器件
物理研究中取得新进展
复旦大学微电子学院
器件
工艺团队研发基于全无机钙钛矿的多功能集成光子
器件
西电郝跃院士团队在超陡垂直晶体管
器件
研究方面取得重要进展
北大团队新型
器件
技术加速GaN进入工业与汽车应用
联合攻关成果!1700V GaN HEMTs
器件
研制成功
量子半导体
器件
实现拓扑趋肤效应
器件
新突破!香港科技大学教授陈敬团队成功研制一种融合氮化镓和碳化硅二者优点的实验晶体管!
北大团队研发超低动态电阻氮化镓高压
器件
,耐压能力大于6500V
北
超低动态电阻
氮化镓
高压器件
耐压
6500V
山东大学彭燕、徐现刚团队在面向大功率高效散热GaN
器件
用金刚石-碳化硅复合衬底的进展
金刚石
SiC
GaN
衬底
北京大学申请半导体
器件
结构专利
中国科学院长春光机所黎大兵研究团队喜获吉林省技术发明一等奖
氮化铝
深紫外
光电器件
吉林省
技术发明
一等奖
黎大兵
孙晓娟
蒋科
吴亮
徐春阳
贲建伟
九峰山实验室着力破解太赫兹
器件
频率瓶颈
嘉善复旦研究院与复旦大学科研团队在低传导损耗功率
器件
方面取得重大进展
苏州纳米所在新型氮化镓基光电
器件
领域取得进展
西安电子科技大学郝跃院士团队:氧化镓功率
器件
研究成果
电子科技大学罗小蓉课题组在超宽禁带半导体氧化镓功率
器件
领域取得研究进展
复旦大学微电子学院杨迎国等在钙钛矿半导体光电
器件
研究方面取得进展
中山大学王钢教授团队在NiO/β-Ga₂O₃异质结在功率
器件
领域的研究进展
中国科大在功率电子
器件
领域取得重要进展
中科院微电子所:在硅基氮化镓横向功率
器件
的动态可靠性研究方面取得进展
CASA发布《SiC MOSFET功率
器件
的应用可靠性评价技术体系报告》
南京邮电大学氧化镓创新中心(IC-GAO)氧化镓日盲紫外阵列成像
器件
研究取得新突破
简述功率半导体
器件
之IGBT技术及市场发展概况
厦大与黑龙江大学研究人员合作在有机光子
器件
及其集成领域取得重要进展
湖南科技大学材料学院在半导体
器件
散热领域取得新进展
简述一种具有叠层钝化结构的高耐压低功耗GaN功率
器件
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