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深圳平湖实验室成功制备国内首个氮化铝/富铝镓氮高电子迁移率晶体管
 评论 ⋅  2025-06-25 11:57
沙特KAUST李晓航团队：STO新型制备工艺实现2.3微米超小尺寸深紫外Micro-LED
 评论 ⋅  2025-06-17 16:23
高纯硅粉制备氮化硅陶瓷
 评论 ⋅  2025-04-30 10:54
西安交大科研人员制备出全球首款六方氮化硼同质结深紫外LED芯片
 评论 ⋅  2025-03-19 12:03
长春光机所优化并制备出高亮度HiBBEE非均匀波导半导体激光器
 评论 ⋅  2025-03-14 08:27
香港大学等联合开发革命性钻石制备技术 10秒产出2英寸金刚石晶圆
 评论 ⋅  2024-12-24 16:58
南科大李携曦课题组发表金刚石薄膜制备和应用领域研究成果
 评论 ⋅  2024-12-24 16:51
港大工程学者开发革命性的钻石制备技术
 评论 ⋅  2024-12-23 10:22
许福军、沈波团队成功实现垂直注入AlGaN基深紫外发光器件的晶圆级制备
 评论 ⋅  2024-11-12 18:43
北京大学取得AlGaN基深紫外发光二极管器件结构及其制备方法专利，显著提升器件的光输出功率
 评论 ⋅  2024-04-08 19:10
北京大学申请p沟道氮化镓异质结晶体管及其制备方法专利，实现电流密度的增加
 评论 ⋅  2024-03-26 18:37
哈工大郑州研究院在CVD法制备纯净分散纳米金刚石技术领域取得重要进展
 评论 ⋅  2024-03-14 19:55
丰田合成、大阪大学等 成功制备6吋GaN衬底
 评论 ⋅  2024-03-11 16:54
宁波材料所研发氧化镓基日盲紫外光电探测器的低温制备技术
 评论 ⋅  2023-11-16 10:38
重大进展！中国团队成功实现12英寸二维半导体晶圆批量制备技术
 评论 ⋅  2023-07-12 10:16
“一种低操作电压高一致性忆阻器及其制备方法”发明专利发布
 评论 ⋅  2023-05-22 17:13
中国科大制备出高效稳定的钙钛矿单晶LED
 评论 ⋅  2023-04-11 18:03
打破国外垄断 武汉先进院有机硅材料制备技术取得突破
 评论 ⋅  2023-04-11 07:55
简述碳化硅衬底制备的重点与难点
 评论 ⋅  2023-04-10 14:05
西安邮电大学重点实验室成功制备高耐压性能半导体材料
 评论 ⋅  2023-03-09 15:17
简述影响 MPCVD 法制备金刚石质量的因素研究
 评论 ⋅  2023-02-03 18:44
简述氮化镓的合成制备及展望
 评论 ⋅  2023-01-12 16:05
碳化硅单晶薄膜制备技术及集成光子应用技术进展
 评论 ⋅  2022-11-02 15:16
冯志红团队在(001)单晶金刚石上制备了具有同质外延层的金刚石FET
 评论 ⋅  2022-10-19 15:15
中国科大在高性能金刚石量子器件制备上取得重要进展
 评论 ⋅  2022-10-09 11:50
山东大学与南砂晶圆团队实现了高质量8英寸导电型4H-SiC单晶和衬底制备
山东大学晶体材料4HSiC衬底8英寸
 评论 ⋅  2022-09-21 08:45
高导热金刚石/铜复合材料的制备与界面调控研究进展
 评论 ⋅  2022-09-07 11:04
哈尔滨工业大学科研团队通过选择性生长方法制备了准垂直金刚石肖特基二极管
 评论 ⋅  2022-09-02 09:34
高导热金刚石材料的制备及器件应用进展
 评论 ⋅  2022-08-30 11:58
我国科学家成功制备白光钙钛矿发光二极管
 评论 ⋅  2022-08-26 11:54
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