标准 | ALN位错密度/吸收系数 2项测试方法发布

日期:2025-05-20 阅读:232
核心提示:2025年5月20日,由奥趋光电技术(杭州)有限公司牵头制定的T/CASAS 0532025《氮化铝抛光片位错密度的测试 腐蚀坑法》以及由中国

 

2025年5月20日,由奥趋光电技术(杭州)有限公司牵头制定的T/CASAS 053—2025《氮化铝抛光片位错密度的测试 腐蚀坑法》以及由中国科学院半导体研究所牵头制定的T/CASAS 054—2025《氮化铝抛光片吸收系数测试方法》,遵循CASAS标准制定流程,经过标准起草小组会议讨论、广泛征求意见、委员会草案投票等流程,上述两项技术标准正式面向产业发布。

 

 

T/CASAS 053—2025《氮化铝抛光片位错密度的测试 腐蚀坑法》描述了用择优化腐蚀技术测试氮化铝抛光片中位错密度的方法。适用于抛光加工后位错密度小于107 个/cm2的氮化铝抛光片位错密度的测试,适用于1 inch、2 inch、3 inch、4 inch直径氮化铝抛光片的测试。氮化铝外延片可参照使用。

【本文件主要起草单位】

奥趋光电技术(杭州)有限公司、北京中材人工晶体研究院有限公司、北京大学、中国电子科技集团公司第四十六研究所、深圳大学、中国科学院半导体研究所、山东大学、中国人民解放军国防科技大学、山西中科潞安紫外光电科技有限公司、至芯半导体(杭州)有限公司、苏州紫灿科技有限公司、北京大学东莞光电研究院、山东力冠微电子装备有限公司、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟。

【本文件主要起草人】

王琦琨、吴亮、周振翔、于彤军、程红娟、武红磊、刘志彬、张雷、王广、张童、倪逸舟、岳金顺、王新强、宋德鹏、高伟。

T/CASAS 054—2025《氮化铝抛光片吸收系数测试方法》描述了氮化铝(AlN)抛光片光吸收系数的测试方法,包括原理、仪器设备、测试条件、样品、测试步骤、结果计算和测试报告。适用于氮化铝抛光片的光学质量控制和评估。氮化铝外延片可参照使用。

【本文件主要起草单位】

中国科学院半导体研究所、奥趋光电技术(杭州)有限公司、北京大学、中国电子科技集团公司第四十六研究所、山东大学、山西中科潞安紫外光电科技有限公司、山西中科潞安半导体技术研究院有限公司、北京大学东莞光电研究院、山东力冠微电子装备有限公司、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟。

【本文件主要起草人】 

刘志彬、吴亮、于彤军、程红娟、张雷、徐广源、张童、王新强、宋德鹏、高伟。

(来源:第三代半导体产业技术创新战略联盟)

 

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