CASICON上海站| 第三代半导体技术与产业链创新发展论坛上海召开

日期:2024-07-08 来源:半导体产业网阅读:1507
核心提示:2024年7月8日,“第三代半导体技术与产业链创新发展论坛”在上海新国际博览中心开幕。坛由半导体产业网、第三代半导体产业、慕尼黑展览(上海)有限公司共同主办,聚焦第三代半导体产业链“材料-装备-衬底-外延-芯片-封装及模组-应用”等重点环节前沿技术进展。

2024年7月8日,“第三代半导体技术与产业链创新发展论坛”在上海新国际博览中心开幕。 

现场2

本次论坛由半导体产业网、第三代半导体产业、慕尼黑展览(上海)有限公司共同主办,北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司承办,芯三代半导体科技(苏州)股份有限公司协办。论坛聚焦第三代半导体产业链“材料-装备-衬底-外延-芯片-封装及模组-应用”等重点环节前沿技术进展。来自第三代半导体产业技术创新战略联盟、复旦大学、意法半导体、德州仪器、英飞凌、安世半导体、芯三代半导体、忱芯科技、纳微半导体等产业链实力派嘉宾代表出席论坛,并带来精彩报告。

耿总 

第三代半导体产业技术创新战略联盟副秘书长耿博

第三代半导体产业技术创新战略联盟副秘书长耿博论坛致辞时表示,当前产业发展火热,市场、价格、技术、应用、投资等各个层面都在不断变动,竞争愈发激烈,机遇与压力挑战并存。行业发展需要秩序和健康集中度,从联盟的角度,能看到近些年产业技术应用的进步与探索。行业企业还需要加强在应用方面的创新合作,形成行业良性健康的生态有助于行业持久发展。当前国内市场以应用牵引带动技术创新,如何向更大的尺寸,更低的成本,更高的性能迈进是行业同仁共同的方向。联盟也将联合各方力量积极推动第三代半导体在新能源、智能电网、射频等领域的应用,希望企业能把握发展机遇,也希望我国产学研用不同环节合力支撑我国第三代半导体产业的健康发展,共同创造发展的美好未来。

 论坛主题报告环节,九大报告从产业、技术、市场、应用等不同角度,关注汽车&工业等应用领域,分享探讨产业链的前沿趋势与最新进展。

 高博

第三代半导体产业技术创新战略联盟副秘书长高伟

《第三代半导体产业发展报告解读

半导体新材料正在重塑全球半导体产业竞争新格局,第三代半导体产业技术创新战略联盟副秘书长高伟做了“第三代半导体产业发展报告解读”的主题报告,详细分享了产业发展背景形势、第三代半导体市场进展、生产及投融资情况、技术及产品进展等内容,分享了当前产业的诸多数据进展。其中,2023年我国第三代半导体器件市场超千亿元,第三代半导体总产值超7000亿元,新能源汽车是第三代半导体功率电子最大的应用领域。SiC产能供给仍显不足,GaN功率产能保持增长态势。技术及产品进展来看,8英寸是SiC衬底和外延趋势,复合衬底技术备受期待。芯片器件制造专用高温装备国产化加速。超宽禁带进展- Ga2O3、金刚石备受关注。国内Ga2O3相关产品仅有衬底和外延片,大电流和高压器件、模块正在开发中。工业级金刚石制备较为成熟,电子级金刚石尚处于基础研究阶段

 张宏亮

德州仪器系统工程师张宏亮

《德州仪器推出先进的 GaN IPM,助力打造尺寸更小、能效更高的电机驱动系统

德州仪器系统工程师张宏亮做了“德州仪器推出先进的 GaN IPM,助力打造尺寸更小、能效更高的电机驱动系统“的主题报告,在不断增加的能效需求下,在不增加系统成本的前提下设计更小巧、更高效、更经济实用的电机驱动器是一个挑战,报告分享了先进的集成式 GaN 智能功率模块 (IPM)DRV7308以及基于GaN的图腾柱功率因数较正 (PFC) 参考设计TIDA-010236、TIDA-010255 2kW 电机逆变器、 650V 集成式 GaN IPM等产品,报告指出,650V 智能电源模块 (IPM) 集成了德州仪器的氮化镓 (GaN) 技术,助力家电和暖通空调 (HVAC)系统逆变器达到 99%以上效率。得益于 IPM 的高集成度和高效率,省去了对外部散热器的需求,工程师可以将解决方案尺寸缩减多达 55%。

 孙君颖

意法半导体技术市场部经理孙君颖

《意法半导体碳化硅MOS的技术路线和中国市场策略

意法半导体技术市场部经理孙君颖做了”意法半导体碳化硅MOS的技术路线和中国市场策略“的主题报告,分享了SiC MOSFET最新技术发展优势图,超结结构中的MDSiC,SiC封装技术、SiC MOSFET封装技术等内容。报告指出,意法半导体是全球知名的IDM模拟芯片厂商,一直在积极推进碳化硅业务。中国是碳化硅的主要市场,并且与三安光电展开合作推动碳化硅业务,并将扩大SiC器件制造能力。

 樊嘉杰

复旦大学青年研究员樊嘉杰

《SiC功率器件及模块的先进封装及可靠性优化设计

随着电子封装技术向微型化、高密度、集成化、高可靠方向发展,芯片级封装、系统级封装、系统级芯片、三维立体封装将陆续在碳化硅(SiC)功率模块封装中被采用。先进封装及可靠性技术是保证宽禁带半导体性能优势并实现长期有效服役的关键,属于第三代半导体产业亟待解决的卡脖子问题,因此,急需对复杂使役条件下SiC功率模块新型封装工艺、材料、失效机理和可靠性等基础问题展开前瞻性探索。复旦大学青年研究员樊嘉杰做了”SiC功率器件及模块的先进封装及可靠性优化设计“的主题报告,结合第三代半导体发展现状,分享了功率器件及模块封装形式的发展趋势、功率器件的板级扇出型封装、封装可靠性设计及优化方法等内容。其团队研究完成多款板级扇出型SiC MOSFET产品封装,突破了1200V/136A SiC MOSFET板级扇出型封装产品的关键工艺,完成了多款产品的封装验证,正在基于半桥模块验证金属颗粒烧结技术以及芯片布局优化设计方法的可行性等。报告认为,SiC模块封装形式的发展趋势来看,随着系统级别要求的不断提升,“定制化”成为“主流”。

 韩跃斌

芯三代半导体科技(苏州)股份有限公司副总裁韩跃斌

《碳化硅垂直式6/8英寸兼容外延设备国产解决方案

芯三代半导体科技(苏州)股份有限公司副总裁韩跃斌做了“碳化硅垂直式6/8英寸兼容外延设备国产解决方案”的主题报告,分享了碳化硅外延、国产垂直式外延设备的最新进展。碳化硅材料优势明显,SiC必须利用外延膜生产器件,因此SiC外延在产业链中处于承上启下的重要位置。国产衬底的快速增产和外延设备的快速国产化,支持了国产外延产能快速扩张。一代装备,一代材料,碳化硅外延,对设备提出了更高要求。台阶流生长和快速外延技术等,推动了SiC外延技术的成熟和产业化。国产垂直式SiC外延设备在8英寸上优势得到加强。芯三代实现第三代半导体SiC垂直式外延设备的国产化,2023年完成了8英寸设备设计和工艺验证,销售10+头部客户,多家已签署批量复购订单,已经大批量发运客户现场。

 郝欣

英飞凌科技中国有限公司技术总监郝欣

《SiC MOSFET技术创新,加速应用领域变革

英飞凌科技中国有限公司技术总监郝欣做了“SiC MOSFET技术创新,加速应用领域变革”的主题报告,分享了SiC技术与可靠性,SiC应用状况,英飞凌的相关进展等内容,涉及CoolSiCTM MOSFET 1200V M1H、CoolSiCTM MOSFET 非对称沟槽栅结构、1500VDC太阳能SiC解决方案、1500VDC 200kW PCS中的SiC MOSFET等。报告指出,SiC是应对可持续能源生产和消费关键市场趋势的战略核心。英飞凌完成收购 GaN Systems 公司,未来在氮化镓、碳化硅等领域将有更多发展。

 王骏跃

安世半导体SiC产品市场战略副总监王骏跃

《安世碳化硅-赋能电气化和绿色节能的美好未来

安世半导体SiC产品市场战略副总监王骏跃分享了“安世碳化硅-赋能电气化和绿色节能的美好未来”的主题报告,中国SiC器件市场增长快速,市场机会在中国。对于碳化硅分立器件市场而言,对性能、可靠性,价格、供应链都有相应的需求,报告中介绍了1200v碳化硅MOSFET(To247-4L,40毫欧)等内容。安世半导体具有深厚的积累,是行业老兵,拥有超过10000家国内半导体客户服务经验,在产品力、供应、客户、服务等方面具有优势,也在积极深耕中国市场,目前供应链垂直整合,自有8寸沟槽产线建立中。

 毛赛君

忱芯科技(上海)有限公司创始人毛赛君

《碳化硅功率半导体器件KGD和晶圆级可靠性测试面临的挑战和解决方案

忱芯科技(上海)有限公司创始人毛赛君做了“碳化硅功率半导体器件KGD和晶圆级可靠性测试面临的挑战和解决方案”的主题报告,详细分享了SiC MOSFET精确静态特性测试、SiC MOSFET精确动态特性测试、SiC MOSFET可靠性测试、SiC MOSFET在电动汽车应用中动态可靠性测试、SiC MOSFET在电动汽车应用中的功率循环测试等面临的挑战,以及SiC MOSFET栅极氧化物的可靠性因素,SiC MOSFET的FBSOA测试,电动汽车应用中SiC MOSFET的KGD测试仪,用于电动汽车应用的SiC MOSFET晶片级烧入测试仪等内容。报告指出,SiC MOSFET在电动汽车中的大规模应用正在成为一种不可抗拒的趋势。栅极氧化物缺陷隐藏在器件级;封装不是问题。通过不同阶段的测试筛选合格的SiC MOSFET,以满足日益严格的汽车等级需求是面临的挑战。

祝锦

纳微半导体高级技术营销经理祝锦

《GaN&SiC开启车载电源设计新篇章

纳微半导体高级技术营销经理祝锦做了“GaN&SiC开启车载电源设计新篇章”的主题报告,EV OBC发展趋势涉及针对新功能和需求改进拓扑结构,以及功率密度不断提高,以降低尺寸和总成本。报告分享了GaN和SiC在高功率密度OBC中的优势,6.6kW双DC/DC充电、放电模式,6.6kW双DC/DC测试效率,创新GaN+SiC OBC解决方案以及单级OBC双向开关等内容。报告指出,GaN&SiC车载电源设计未来将向着高开关频率,减小变压器、电感器EMI滤波器的尺寸,创新拓扑等方向发展。

本次论坛与慕尼黑上海电子展同期同地举行,强强联合。慕尼黑上海电子展(electronica China)展示领域紧跟行业重点,并根据行业实时热点融入新的展示领域。今年,展会重点梳理电子行业年度脉络,打造半导体、传感器、无源器件、连接器及线束线缆、电源、测试测量、印刷电路板、显示、分销商、电子制造服务、智能制造等众多主题展区,汇聚国内外优质电子企业,打造从产品设计到应用落地的横跨产业上下游的专业展示平台。论坛与展携手,优势叠加效应明显。 

论坛为期两天,9日围绕着第三代半导体材料、装备等主题,精彩分享将继续。更多论坛信息,敬请关注第三代半导体产业!

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