27位演讲嘉宾公布!2024功率半导体器件与集成电路会议4月26-28日成都见!

日期:2024-04-18 阅读:768
核心提示:27位演讲嘉宾公布!2024功率半导体器件与集成电路会议4月26-28日成都见!

   成都站微信头图

为更好的推动国内功率半导体及集成电路学术及产业交流,在电子科技大学和第三代半导体产业技术创新战略联盟指导下,极智半导体产业网 联合电子薄膜与集成器件国家重点实验室 、成都信息工程大学、电子科技大学集成电路研究中心、第三代半导体产业 于 2024年4月26-28日 共同主办“2024功率半导体器件与集成电路会议(CSPSD 2024)”,论坛会议内容将涵盖宽禁带碳化硅和氮化镓为代表的高压及低压等电力电子器件、功率集成电路、封装等几大主题,将覆盖晶圆造、芯片设计、芯片加工、模块封装、测试分析、软件工具、设备制造、整机应用等产业链各环节。

会议时间:2024年4月26-28日

会议地点:四川·成都·成都金韵酒店六层

组织机构:

指导单位:

电子科技大学

第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)

主办单位:

电子薄膜与集成器件全国重点实验室

成都信息工程大学

电子科技大学集成电路研究中心

极智半导体产业网(www.casmita.com)

第三代半导体产业

承办单位

北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司

协办支持:

成都氮矽科技有限公司

程序委员会:

大会主席:张波

程序委员会主席:罗小蓉

副主席:赵璐冰 周琦

程序委员会:邓小川 龙世兵 王来利 明鑫 杨树 刘斯扬 郭清 魏进 金锐 周春华 刘成 蒋其梦 高巍 包琦龙 潘岭峰 叶怀宇 刘雯 张召富 李虞锋 魏杰等

二、主题方向

1.硅基功率器件与集成技术

高压硅基功率器件(>200 V)、器件仿真与设计技术、器件测试表征技术、器件可靠性、器件制造技术、低压硅基功率器件(≤200 V)、可集成功率器件

2.氮化镓、III/V族化合物半导体功率器件与功率集成

氮化镓功率器件、III/V族化合物(AlN、GaAs)半导体功率器件、器件设计与仿真技术、器件制造技术、器件测试与可靠性、可集成器件与功率集成技术

3.碳化硅、氧化镓/金刚石功率器件与集成技术

碳化硅功率器件、氧化镓/金刚石功率器件、器件设计与仿真技术、器件制造技术、器件测试与可靠性、可集成器件与功率集成技术

4.模组与封装技术

功率器件、模组与封装技术、先进封装技术与封装可靠性

5.功率集成电路设计

功率集成IC设计、宽禁带功率器件驱动IC、功率集成电路测试技术、功率集成工艺平台与制造技术

6.面向功率器件及集成电路的核心材料及装备

核心外延材料、晶圆芯片及封装材料、退火、刻蚀、离子注入、封装、检测及测试设备等

三、会议日程(拟定)   

时间:2024年4月26-28日    

地点:成都金韵酒店六楼   四川省成都市金牛区金府路668号

时间

主要安排

4月26日

注册 报到

4月27日

09:00-17:00

报到&资料领取

13:30-17:30

开幕大会及主旨报告

18:00-21:00

欢迎晚宴

4月28日

08:30-12:00

分论坛1:高压功率与集成(TBD)

分论坛2:器件仿真设计与制造(TBD)

12:00-13:30

午餐&交流

13:30-17:30

分论坛3:低压功率与集成(TBD)

分论坛4:模块封装及应用(TBD)

18:30-20:30

晚餐&结束

4月29日

08:30-12:00

商务考察活动&返程

备注:仅供参考,以现场为准。

报告嘉宾:

目前27位报告嘉宾及报告主题公布,详情如下:

(介绍不分先后,仅供参考!)

罗小蓉

成都信息工程大学副校长

电子科技大学教授、博士生导师

报告主题:《氮化镓功率器件结构、驱动和电源应用》

嘉宾简介:罗小蓉,教授,博导,国家级人才计划入选者,爱思唯尔中国高被引学者,获国家科技进步二等奖、四川省科技进步一等奖、教育部自然科学二等奖等。长期从事氮化镓、氧化镓和硅基功率半导体器件与集成电路的研究,主持国防卓越青年科技基金、173重点项目、国家自然科学基金重点项目、国家科技重大专项和重点研发计划以及省部级项目等40余项,发表SCI论文120余篇,其中以第一作者和通讯作者在微电子器件顶级期刊IEEE EDL和IEEE TED上发表论文40余篇,作为第一发明人申请专利150余项,其中授权美国发明专利6项、中国发明专利80余项。

 

魏  进

北京大学集成电路学院研究员、博士生导师

报告主题:《如何使GaN功率器件如Si MOSFET一样简单易用?》

嘉宾简介:魏进,北京大学集成电路学院研究员、博士生导师。长期致力于 GaN 基、 SiC 基功率电子器件的研究,在新型器件结构开发、可靠性技术、集成技术等方面取得一系列有一定国际影响力的创新成果。以一作/通讯作者发表学术论文70余篇,包括本领域权威学术会议IEDM 5篇,ISPSD 19篇,权威学术期刊IEEE EDL 16篇、IEEE TED 18篇。Google总引用3400 余次, H 因子 32,授权中国/英国/美国专利 10项。近五年作为项目负责人承担了国家重点研发计划子课题、国家自然科学基金面上项目等科研项目。

 

王德君

大连理工大学教授、博士生导师

报告主题:《SiC半导体表界面缺陷及MOS器件可靠性》

嘉宾简介:王德君,大连理工大学教授,博士生导师。长期从事第三代半导体SiC器件关键技术及装备研究。深耕栅氧及界面缺陷分析技术、可靠性制造技术及装备二十余年。解决了SiC MOS器件栅氧可靠性制造中的多项理论和技术问题,为产业发展提供了重要的理论和技术支撑。

 

章文通

电子科技大学教授

报告主题:《硅基超结-功率半导体More silicon发展的主力器件》

嘉宾简介:章文通,教授,国家级青年人才,研究方向为功率半导体器件与功率集成技术,主持国家自然科学基金面上项目、青年基金项目,参与国家科技重大专项、国家自然科学基金及多项横向合作课题项目。在本领域顶级期刊IEEE EDL和IEEE TED发表论文22篇,论文3次入选IEEE EDL封面Highlight论文,授权发明专利41项,含美国专利2项;获工信部技术发明二等奖、中国产学研合作创新成果二等奖,电子科技大学学术新人奖等奖项,获中国电子学会优秀博士论文奖,并由此入选2020年该学会首届“电子信息前沿青年学者出版工程”,出版专著《功率超结器件》。

 

程新红

中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员

报告主题:《SiC MOSFET 过流保护技术分析与研发》

嘉宾简介:程新红研究员长期从事微电子学与固体电子学领域研究工作,主要研究方向为:宽禁带半导体功率器件、功率器件栅极驱动芯片及保护电路、DC/DC电源转换系统等。主持承担了国家02重大专项课题、国家自然基金项目、中科院国际合作项目、上海市科技创新行动计划等多项重大科研任务,取得多项创新性成果,在功率器件等领域中得到了实际应用。在IEEE Transactions on Industrial Electronics等期刊上发表SCI论文100余篇,申请专利30余件。2020年获得上海市科学进步二等奖。

 

金  锐

北京智慧能源研究院

功率半导体研究所所长,教授级高工

报告主题:《碳化硅MOSFET研究进展及面临的挑战》

嘉宾简介:金锐,教授级高级工程师,2009年毕业于英国帝国理工大学物理学专业,获理学博士学位。现任北京智慧能源研究院功率半导体研究所所长,是北京市优秀青年骨干计划获得者,“IEEE PES输配电技术委员会”委员,“中国电机工程学会电力电子器件专委会”委员,“功率半导体技术创新与产业联盟”副秘书长。主持编写柔性输电用IGBT器件相关企业和行业标准4项,出版专著2部,发表论文80余篇,申请专利150余项。

长期从事大功率半导体芯片和器件研发工作,作为“先进输电技术国家重点实验室”器件方向学术带头人,研发的3300V绝缘栅双极晶体管(IGBT)芯片和器件实现技术突破,被收录在2020年国资委《中央企业科技创新成果推荐目录》。2021年,自研3300V/1500A IGBT在厦门柔性直流输电工程的鹭岛换流站成功挂网运行,标志着IGBT核心技术实现了完全自主可控。作为最年轻的首席科学家,主持2016年首批国家重点研发计划项目,成功研制了具有自主知识产权的超大功率4500V/3000A压接型IGBT,可以支持大规模海上风电接入和长距离大容量柔性直流输电等新能源的战略实施,并在张北柔性直流工程延庆站示范应用,在国家“十三五”科技创新成就展中得到高度认可。

 

张金平

电子科技大学研究员、博士生导师

报告主题:《IGBT的技术演进与未来发展趋势》

嘉宾简介:张金平,博士、电子科技大学研究员、博士生导师,美国伊利诺伊理工大学访问学者,长期从事功率半导体器件与集成电路的相关研究工作,主持和主研了数十项国家级、省部级和企业横向合作课题的研究,并与企业合作开展了IGBT、SiC MOS等相关器件及模块的产业化研发工作,实现了产品的大批量应用。在国内外学术期刊和会议上发表学术论文数十篇;以第一发明人获授权美国发明专利2项,中国发明专利100余项,部分专利实现了转让;获国家工信部科技进步二等奖1项,入选山东省泰山产业领军人才。主要研究方向:1)Si基功率半导体器件及模块,2)宽禁带功率半导体器件及模块,3)功率集成器件及智能功率集成电路。

 

张紫辉

广东工业大学教授、博士生导师

报告主题:《GaN功率半导体器件仿真建模与制备研究》

嘉宾简介:张紫辉,广东工业大学百人计划特聘教授、博士生导师,省特聘专家、省特殊津贴专家,2006年毕业于山东大学并获理学学士学位,2015年毕业于新加坡南洋理工大学并获博士学位,入选2022年全球前2%顶尖科学家榜单。研究宽禁带半导体器件、半导体器件物理、芯片设计与仿真技术;已在Applied Physics Letters、IEEE Electron Devices等期刊发表科研论文近200篇,其中以第一作者/通讯作者发表文章130余篇;参与出版学术专著5部;获授权美国专利、中国国家专利共计40项,已经完成成果转化5项;先后主持国家自然科学基金3项(其中重点基金项目1项)、参与科技部重点研发计划2项、主持省部级及各类人才项目、企业横向课题19项。

 

姚佳飞

南京邮电大学南通研究院 执行副院长

报告主题:《高K介质在横向功率器件中的应用》

嘉宾简介:姚佳飞,南京邮电大学副教授、硕士生导师。2016年毕业于南京邮电大学微电子学与固体电子学专业,获博士学位。入选江苏省333工程第三层次培养对象、江苏省科协青年科技人才托举工程。担任南京邮电大学南通研究院(有限公司)执行副院长/总经理、南通市集成电路封装设计重点实验室主任。主要从事硅基、SOI基和SiC基新型功率器件的设计、建模、封装、表征和测试研究,以及基于新型功率器件的匹配电路、驱动电路设计、版图设计和封测研究。主持国家自然科学基金面上项目、国家自然科学基金青年基金项目、江苏省自然科学基金面上项目、国家重点实验室开放课题等项目15项,在TED、CPB等国内外高水平期刊上发表学术论文60余篇,申请专利60余项。

 

黄铭敏

四川大学物理学院微电子学系,

微电子技术四川省重点实验室,副教授

报告主题:《碳化硅功率器件的辐射效应及抗辐射技术》

嘉宾简介:黄铭敏,2016年6月博士毕业于电子科技大学。从事低功耗、高可靠、抗辐射功率半导体器件研究。主持国家自然科学基金青年基金项目、四川省科技计划项目和多项横向项目,参与国家自然科学基金面上项目、国防科技工业抗辐照中心创新基金等多个项目,研究涉及IGBT和超结MOSFET的新结构设计及开关可靠性优化、碳化硅功率器件的辐射效应及抗辐射技术等。已在IEEE EDL、IEEE TED等知名期刊及国际会议发表论文40余篇,其中一作/通讯作者SCI论文15篇。已获授权发明专利20余项,其中以第一发明人获美国发明专利1项,中国发明专利14项。2019年12月发表论文被Electronics Letters评选为当期唯一的Feature Article。担任IEEE TED、SST等多个SCI期刊审稿人。获得四川大学教学成果一等奖1次,校级教学奖项10余次。

 

周贤达

广东工业大学集成电路学院 副教授

报告主题:《非晶氧化物半导体功率器件:理论极限和初步实现》

嘉宾简介:周贤达,电子科技大学本科(2005年)及硕士(2008年),2013年博士毕业于香港科技大学,随后在香港工业界先后负责功率半导体器件的研发和生产,2017年至2022年担任中山大学电子与信息工程学院副研究员,自2022年起担任广东工业大学集成电路学院副教授(青年百人A级)。周贤达博士成功推出过多款量产产品,累计获中外发明专利授权18项,主持2项国家自然科学基金项目,以第一/通讯作者身份在行业顶级会议和权威期刊上发表学术论文12篇,并长期担任《IEEE Electron Devices Letters》和《IEEE Transactions on Electron Devices》的审稿人以及业界知名企业技术顾问。

 

蒋华平

重庆大学研究员

报告主题:《碳化硅MOSFET动态阈值漂移》

嘉宾简介:蒋华平,博士,重庆大学“百人计划”特聘研究员,博士生导师。专注于碳化硅功率半导体芯片、封装、测试以及应用技术研究与开发10余年:中国中车2年、英国丹尼克斯(Dynex Semiconductor Ltd)4年、英国华威大学(University of Warwick)2年、重庆大学5年。发表学术论文共计70余篇,其中期刊论文40余篇、会议论文30余篇。中国发明专利40余项,其中已授权14项,英国发明专利2项。牵头制定第三代半导体联盟团体标准1项,参与制定美国JEDEC标准1项。最早于国际顶级期刊IEEE Electron Device Letter上报道碳化硅MOSFET动态阈值漂移问题。提出的局域电场增强理论,以及系列学术论文,被德国Infineon引用,作为JEDEC JEP195标准的制定依据。牵头制定第三代半导体联盟标准“碳化硅MOSFET开关运行条件下阈值稳定性测试方法”。

 

刘  雯

西交利物浦大学高级副教授

报告主题:《用于功率转换系统的氮化镓单片集成》

嘉宾简介:刘雯博士,西交利物浦大学智能工程学院电子与电气工程系高级副教授,博士生导师,英国高等教育协会会士,IEEE 电路与系统/电子器件学会苏州分会主席,国家第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)青年创新促进委员会副主任委员,IEEE高级会员。2004年北京大学电子学系毕业,2008年取得新加坡南洋理工大学电子电气工程学院博士学位;主要研究方向宽禁带半导体氮化镓、碳化硅电力电子器件及其单片集成电路设计与制备关键技术。发表学术论文80余篇,多次受邀发表国际会议报告。

 

母凤文

北京青禾晶元半导体科技有限责任公司董事长

报告主题:《先进键合集成技术与应用》

嘉宾简介:母凤文,博士,曾任中科院研究员、东京大学助理教授、日本早稻田大学讲师,从事低温异质键合集成及器件制造封装的研究十余年,精通半导体先进复合基板制造、先进封装工艺整套流程及异质集成装备。发表30余篇SCI收录论文,曾主持国家自然科学基金、日本学术振兴会科研项目和精密测量技术推广基金会项目,并参与日本总务省的5G基础技术研究项目,以及多项校企合作研究项目,有着丰富的产研合作经验。曾获得日本东京大学工学院院长奖、日本第29次电子封装学会讲演大会研究奖励奖、4th IEEE LTB-3D国际研讨会最佳发表奖、2019年度国家教育部科技奖二等奖和中科院海外高层次人才。

 

包琦龙

海思科技有限公司功率半导体器件部技术专家

报告主题:《ICT 场景下中低压(<200V) GaN 器件应用挑战》

 

林书勋

成都海威华芯科技有限公司博士 生产总监

报告主题:《新型功率半导体器件在新基建中的应用》

嘉宾简介:林书勋,男,高级工程师,1986年生,2016年获得北京大学微电子学与固体电子学理学博士学位,同年加入成都海威华芯科技有限公司,现任海威华芯生产总监。主要研究方向为化合物半导体器件及电路设计及制造,在半导体物理、器件物理方面有深厚的理论功底,以第一作者在国际著名微电子学期刊杂志IEEE EDL、JAP等上发表论文10余篇,在国际上首次使用氧化辅助湿法腐蚀的方法实现增强型氮化镓功率器件,有10年以上化合物半导体研发及制造经验,并拥有国内外专利20余项,参与中国第一条6英寸化合物半导体专用生产线的建设及投产,开发了多套量产化的化合物半导体工艺制程,承担国家、省市级科研项目累计十余项。

 

唐高飞

杭州云镓半导体科技有限公司研发总监

报告主题:《氮化镓功率器件与工业级应用前景》

嘉宾简介:唐高飞,2010~2014毕业于电子科技大学微电子与固体电子学院,2014~2018于香港科技大学电子及计算机工程系攻读博士学位,主要从事氮化镓器件设计与单片集成技术开发。2018年加入华为技术有限公司数字能源产品线从事氮化镓器件产品开发。2023年加入云镓半导体,目前担任公司研发总监。

 

张亚民

北京工业大学微电子学院副教授

报告主题:《面向氮化镓微波功率器件的异质界面温升表征方法》

嘉宾简介:张亚民,北京工业大学,微电子学院,副教授/博导。2015年6月毕业于北京工业大学微电子学与固体电子学专业,获工学博士学位,同年留校从事教学科研工作。多年来一直致力于新型半导体器件及可靠性的研究。近5年,作为项目负责人先后主持国家自然科学基金青年基金、面上项目,北京市自然科学基金面上、小米创新联合基金等项目14项;发表SCI论文50余篇,其中近五年以第一作者或通讯作者在IEEE TPE/TIM/TED/EDL、APL等杂志发表SCI论文20余篇;授权发明专利20余件,作为主要人员研制的热特性分析仪器在30余家企事业单位应用,获北京市科学技术奖-技术发明二等奖,中国电子学会技术发明二等奖。

 

代高强

成都复锦功率半导体技术发展有限公司

副总裁,电源系统BU负责人

报告主题:《高功率密度高压DC方案改善算力系统配电效率》

嘉宾简介:代高强,成都复锦功率半导体技术发展有限公司合伙人,电源系统BU负责人,电子科技大学微电子学与固体电子学专业硕士。从事功率半导体的研发、应用相关工作十余年。

 

蒋其梦

中国科学院微电子研究所 研究员

报告主题:《氮化镓功率器件开关安全工作区的研究》

嘉宾简介:蒋其梦,中国科学院微电子研究所研究员。2003年到2010年就读于电子科技大学,2015年毕业于香港科技大学获博士学位,同年加入国内Tier-1公司工作,2018年任氮化镓(GaN)功率器件开发团队带头人。2021年2月加入中科院微电子研究所,聘为研究员,获中科院百人计划择优支持。2010年以來一直致力于GaN基功率器件及集成电路的研究,在GaN-on-SOI衬底平台,硅基GaN衬底交调效应,硅基GaN集成电路设计等研究方面取得一些较有国际影响力的创新成果。带领研发团队,从0到1实现了具有自主知识产权的氮化镓器件及集成芯片的技术突破及产品量产。2013年获得国际顶级会议ISPSD最佳青年口头报告奖(Charitat Award)。

 

魏家行

东南大学集成电路学院副研究员

报告主题:《碳化硅功率MOSFET器件及其可靠性研究》

嘉宾简介:魏家行,博士,东南大学副研究员,主要从事功率半导体器件及其集成技术的研究工作。共发表权威期刊和国际会议论文40余篇,其中一作/通讯20篇;授权PCT专利2项,中国发明专利15项;主持/骨干参与国家自然科学基金、国家重点研发计划等项目10余项;获东南大学“至善青年学者”支持;获2021年江苏省科学技术二等奖。

 

郑柘炀

中国科学技术大学国家示范性微电子学院

特任教授、博士生导师

报告主题:《面向全GaN集成的互补型逻辑器件与电路》

嘉宾简介:郑柘炀博士现为中国科学技术大学微电子学院特任教授、博士生导师。主要研究兴趣为半导体理论、器件物理、器件设计、器件-电路交互、以及器件与集成电路的制备工艺,尤其是宽禁带半导体材料与电子器件在高效电能转换(电力电子/功率电子)以及无线通信(射频电路)的应用。研究工作发表于Nature Electronics, IEEE Electron Device Letters, Advanced Materials, Applied Physics Letters, IEDM 和 ISPSD等高水平国际期刊和会议,其中关于GaN CMOS IC的研究获得2021年度中国半导体十大进展提名奖。

 

严颖怡

电子科技大学教授

报告主题:《在功率变换器中电流检测的挑战》

嘉宾简介:严颖怡,教授,国家级青年人才,IEEE高级会员,研究方向为功率变换系统设计和集成技术。在功率电子顶级期刊IEEE Transaction on Power Electronics、集成电路顶级期刊JSSC以及APEC、ECCE等国际会议上发表论文30篇。曾获IEEE Transaction on Power Electronics优秀论文奖及优秀审稿专家奖。2013-2023年在Linear Technology/Analog Devices任功率集成电路芯片设计师和设计主管。担任IEEE Transaction on Power Electronics和IEEE Open Journal of Power Electronics 副主编。获授权美国专利14项,中国发明专利3项。

 

化梦媛

南方科技大学 助理教授

报告主题:《Ga-O原子间势函数及其应用研究》

嘉宾简介:化梦媛,2013年本科毕业于清华大学物理系,2017年博士毕业于香港科技大学电子及计算机工程系,2018年至今为南方科技大学电子系助理教授,副研究员,博士生导师,致力于宽禁带半导体器件与IC研究,共发表国际高水平期刊与会议论文100余篇,引用超3100次。成果包括国际顶会IEDM 7篇, ISPSD 11篇,IEEE EDL 16篇,IEEE TED 8篇等,主持国家及省部级项目5项。

 

王方洲

松山湖材料实验室工程师

报告主题:《低损耗高耐压Si基GaN双向阻断功率器件研究》

嘉宾简介:王方洲博士,松山湖材料实验室公共技术平台工程师,毕业于电子科技大学,专注于GaN功率半导体器件的理论模型、结构设计、器件工艺和测试表征等方面的研究。在博士期间,通过松山湖材料实验室牵头的“广东省重点领域研发计划”合作项目,完整经历其公共技术平台的GaN器件工艺能力建设进程,主导和完成全流程关键工艺技术开发,面向应用需求实现整片晶圆上的大栅宽器件工艺整合,获得高性能和高一致性的增强型GaN功率器件。近年来,参与多项国家级和省部级项目,发表SCI期刊以及国际会议论文共20余篇,其中第一作者论文8篇,h-index为12,申请中国发明专利17项,其中授权7项。

 

孙佳慧

香港科技大学博士后

报告主题:《肖特基型p-GaN栅GaN HEMT的栅极抗静电鲁棒性》

嘉宾简介:孙佳慧,师从碳化硅器件专家盛况教授。2018年获得香港政府博士奖学金计划(HKPFS)资助,于香港科技大学攻读博士学位,师从氮化镓器件专家陈敬教授(Kevin J. Chen,IEEE fellow)。2022年博士毕业后,作为博士后在陈敬教授课题组继续从事研究工作。2024年5月将转任香港科技大学研究助理教授。近年来,围绕宽禁带半导体功率器件可靠性的主题,作为第一作者或通讯作者在电力电子与电子器件两大领域的顶级期刊发表论文11篇。作为第一作者,连续8年在功率半导体领域的顶级会议“功率半导体与集成电路国际会议” (ISPSD) 报道研究成果。申请了一项美国发明专利。作为第一作者发表的研究成果共获得20位中国、美国、丹麦院士和IEEE fellow以及十余家著名企业的引用与正面评价。

 

李 旭

电子科技大学博士

报告主题:《碳化硅MOSFET的第三象限特性研究》

嘉宾简介:李旭,电子科技大学,博士研究生,一直从事宽禁带半导体SiC功率器件理论、模型、可靠性机理及其加固新结构研究,近五年主要进行高功率密度平面栅和沟槽栅SiC MOSFET在瞬态极端应力下的性能退化与失效机理研究。参与了国家自然科学基金重点/面上项目、国家重点研发计划子课题、以及省部级基金和企业横向项目等多项SiC功率器件领域的课题研究,在功率半导体领域顶级期刊IEEE Trans. Power Electronics、IEEE Electron Device Letter、 IEEE Trans. Electron Device 以及 ISPSD、ICSCRM 等国际学术会议上发表论文10余篇,申请中国发明专利10余项。通过与国内科研院所和企业合作,基于国内碳化硅芯片制造平台,开发出650V~10kV不同电压系列的SiC MOSFET芯片和二极管。

更多报告嘉宾将持续公布,敬请期待!

拟参与单位:

电子科技大学、成都信息工程大学、中芯国际、三安半导体、浙江大学、中国科学技术大学、东南大学、西安电子科技大学、西安交通大学、清华大学、山东天岳、科友半导体、国星光电、ULVAC、华虹半导体、斯达半导体、蓉矽半导体、阳光电源、扬杰科技、英飞凌、北京大学、厦门大学、中科院半导体所、南京大学、中科院微电子所、长飞半导体、华为、海思半导体、锴威特、基本半导体、中电科四十六所、中电科五十五所、天津大学、华大九天、西门子、博世、三环集团、中科院微电子所、中镓半导体、日立、江苏宏微、苏州晶湛、百识电子、国家电网、华大半导体、意法半导体、中博芯、西安爱科赛博 、小鹏汽车、复旦大学、东莞天域、比亚迪半导体、西安西驰电气、理想汽车、英诺赛科、士兰微、芯迈半导体、中国科学院电工所、立昂微电子、长川科技、众硅电子、莱普科技、海威华芯、麦科信、安徽大学、云镓半导体……

活动参与:

注册费2800元,4月18日前注册报名2500元(含会议资料袋,27日欢迎晚宴、28日自助午餐、晚餐)。

2、缴费方式

①银行汇款

开户行:中国银行北京科技会展中心支行

账 号:336 356 029 261

名 称:北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司

②移动支付

麦肯桥收款码

备注:通过银行汇款/移动支付,请务必备注:单位简称+姓名+成都,以便后续查询及开具发票。若需开具发票请将报名信息、转账凭证及开票信息发送至邮箱:lilyli@china-led.net。

③现场缴费(接受现金和刷卡)

报告及论文投稿联系:

贾先生18310277858,jiaxl@casmita.com

白女士18888840079,bailu@casmita.com

参会及商务合作:

贾先生 18310277858,jiaxl@casmita.com

张女士 13681329411,zhangww@casmita.com

段先生 13717922543,duanpf@casmita.com

协议酒店:

酒店名称:成都金韵酒店(成都金府路668号)

联系人 何经理 13548180263,2569807009@qq.com

协议价格:400  元/每晚(含早)

打赏
联系客服 投诉反馈  顶部