品牌推荐│鲁汶仪器与您相约CSE化合物半导体产业博览会

 本届CSE博览会由第三代半导体产业技术创新战略联盟、九峰山实验室共同主办，以“聚势赋能 共赴未来”为主题，将汇集全球顶尖的化合物半导体制造技术专家、行业领袖和创新者，采用“示范展示+前沿论坛+技术与商贸交流”的形式，为产业链的升阶发展搭建供需精准对接平台，助力企业高效、强力拓展目标客户资源，加速驱动中国化合物半导体产业链的完善和升级。

CSE作为2024年首场国际化合物半导体产业博览会得到了多方力量的大力支持，三大主题展区，六大领域，将集中展示各链条关键环节的新技术、新产品、新服务，将打造化合物半导体领域的标杆性展会。助力打造全球化合物半导体平台、技术、产业的灯塔级盛会，集中展示化合物半导体上下游全产业链产品，搭建企业发布年度新产品新技术的首选平台，支撑产业链及中部地区建设具有全球影响力的万亿级光电子信息产业集群。

江苏鲁汶仪器股份有限公司于2015年9月，由比利时鲁汶仪器、中国科学院微电子研究所等共同注资成立。总部位于江苏省徐州市，在北京、上海设有全资子公司。 

鲁汶仪器致力于为集成电路制造产业提供先进的装备和工艺解决方案。针对逻辑、存储、功率器件、光学、微显示等领域的关键工艺道次，鲁汶仪器研发了业界领先的离子束塑形设备(IBS)、离子束沉积设备(IBD)等，为客户推动技术创新、提升产能、优化工艺提供稳定可靠的设备与完善的技术支持。 

鲁汶仪器也提供电感耦合等离子体刻蚀设备(ICP)、薄膜沉积设备(CVD)，以及气相分解金属沾污收集设备(VPD)等晶圆工艺制造设备与检测设备。 

产品介绍

Pangea^® 系列

12英寸离子束塑形设备（IBS）

Pangea^® 系列IBS设备由离子源栅极引出正离子并加速，中性束流撞击样品表面，溅射形成图像。由于等离子体的产生远离晶圆空间，起辉不受非挥发性副产物的影响。这种物理方案，几乎可以用来处理任何固体材料，包括金属、合金、氧化物、化合物、混合材料、半导体、绝缘体等。栅网拉出的离子束的能量和密度可以独立控制，提升了工艺可控性；载片台的角度可调整，实现离子束倾斜入射，可用于形成特殊图案，也适用于侧壁清洗等工艺。

Ganister™ 系列

8英寸离子束沉积设备（IBD）

Ganister™ 系列离子束沉积设备，是针对低温、高致密、高均匀性薄膜沉积工艺所开发的专用产品，在磁性存储、光学以及超导等领域中被广泛使用。该设备采用溅射成膜，靶材选择范围广。而其采用的多槽旋转靶材基座，更可快速切换多种靶材，应对高质量复杂膜层结构的沉积应用。选配的辅助离子源，可以实现原位预清洗、优化膜层致密性等功能。此外，Ganister™ 的辅助离子源也可进行离子束刻蚀，一个腔室内兼备两种工艺，显著提高了该设备的功能。

Chimera^® 系列

12英寸ICP刻蚀设备

Chimera^® 系列12英寸ICP刻蚀设备，是面向半导体晶圆制造所设计的专用设备，可实现硅刻蚀、介质刻蚀、栅极刻蚀、钨回刻、SADP、氮化钛（TiN）金属硬掩膜刻蚀、0.18微米以下后道高密度铝导线互连工艺、铝垫（Al pad）刻蚀等工艺。

Pishow^® 系列

8英寸ICP刻蚀设备

Pishow^® 系列8英寸ICP刻蚀设备，是面向半导体晶圆制造所设计的专用设备，可实现铝互连，STI和栅极刻蚀，深硅刻蚀以及主流的化合物刻蚀工艺。

Pishow^® M2 金属刻蚀设备可用于8英寸的IC产线的铝金属互连及铝垫刻蚀工艺。 Pishow^® P硅刻蚀设备，提供AA、gate、STI、spacer、W recess等各项工艺的刻蚀解决方案。Pishow^® A2刻蚀设备则拥有多种材料刻蚀解决方案，包括介质和化合物半导体，高配可选ALE解决方案，实现对刻蚀速率和均匀性的高精度控制。

值得一提的是，Pishow^® 系列专为8英寸生产线的刻蚀工艺进行了设计优化，在保证领先业界的刻蚀均匀性，出色的刻蚀选择比，以及优良的颗粒控制这些指标的同时，达成了远超行业水准的MTBC时数，大大降低了CoC。该系列以其高性价比的解决方案和优秀的空间利用率，为客户投产、达产以及产能升级提供了细致完备的支持。