IFWS&SSLCHINA2023│三安光电股份有限公司副董事长、总经理林科闯:化合物半导体-下一个二十年

日期:2023-11-29 阅读:471
核心提示:化合物半导体在高功率、高频率、光电子学和光伏等领域的应用表现出色,推动了许多先进技术的发展。近年来在在光电子学、GaN功率

 化合物半导体在高功率、高频率、光电子学和光伏等领域的应用表现出色,推动了许多先进技术的发展。近年来在在光电子学、GaN功率器件的商业化等多个领域都取得了显著进展,并对电子、光电子学和能源等领域的技术发展产生了深远的影响。随着技术不断创新,预计未来化合物半导体领域将继续推动科技的发展。

2023年11月28日,第九届国际第三代半导体论坛(IFWS)&第二十届中国国际半导体照明论坛(SSLCHINA)于厦门国际会议中心盛大开幕。本届论坛由厦门市人民政府、厦门大学、第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)、中关村半导体照明工程研发及产业联盟(CSA)主办,厦门市工业和信息化局、厦门市科学技术局、厦门火炬高新区管委会、惠新(厦门)科技创新研究院、北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司承办。

林科闯

开幕大会上,三安光电股份有限公司副董事长、总经理林科闯带来了《化合物半导体-下一个二十年》的主题报告,详细分享了当前化合物半导体的光电子、射频电子、电源设备等技术水平和行业现状,趋势与挑战。介绍了Micro LED技术、AR Micro LED 技术、园艺照明技术及园艺照明应用,大功率激光技术等的发展。报告指出,激光应用市场持续增长,国内激光电视、激光投影和激光焊接的关键部件——高功率激光器仍由国外制造商主导。GaN基射频器件是新一代移动通信的关键部件,与硅基和砷化镓基相比,它具有更高的功率、更高的效率、更高工作温度和抗辐射性,是迄今为止最具优势的射频器件。欧盟/美国巨头垄断射频市场,国内设备全球份额增加,尤其是在中国本土品牌终端产品制造商中。国内品牌终端产品制造商确实需要关键部件本地化才能稳定供应,这会拉动供应链。5G基站方面,国产GaN射频达到国际水平。本地生产的GaN RF功率放大器器件达到世界水平并批量生产。

对于未来的发展趋势,报告指出,2024年,市场对Micro-LED某些应用的需求将稳步上升,在市场化方面迈出重要一步。Micro-LED芯片市场的增长率预计为101%,预计微型LED的发展将逐步转向其他应用,如可穿戴设备/头戴式显示器。激光产业发展需要提高制造能力,将核心材料和设备本地化,以摆脱对外出口管制;GaN射频产品渗透率逐渐提高。随着GaN技术的成熟和成本的降低,渗透率正在提高,预计到2025年将达到50%。电动汽车市场爆发推动SIC超过68.5亿元,预计到2026年将达到245亿元,年均增长37.5%,这是未来几年中国SIC市场增长的主要驱动力。根据Wolfspeed的预测,2026年全球SiC器件市场将达到89亿美元,新能源汽车、工业和能源为60亿美元,用于RF的SiC器件市场规模为29亿美元。根据预测,到2024年,SiC的市场份额将超过10%。

报告认为,当未来智能照明无处不在时,光电子的创新将是点亮我们幸福快乐生活的神奇钥匙。人工智能在未来无处不在,万物互联,射频和滤波器将渗透到通信、交通、医疗、智能机器人和信息安全领域。人工智能的革命需要强大的计算能力,而光通信将是最重要的桥梁。数字经济即将到来,光网络作为关键承载基地,不断向超大容量、全光交换演进升级,将承载智慧与智慧。努力打造多维物联网的“核心”世界,为未来世界提供“核心芯片”,实现人类文明的新格局、新智能、新形态。

(备注:以上信息仅根据现场整理未经嘉宾本人确认,仅供参考!)

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