IFWS&SSLCHINA 2023│英诺赛科欧洲总经理Denis Macron:高性能GaN功率器件高可靠性和低成本

日期:2023-11-29 阅读:353
核心提示:氮化镓(GaN)功率器件具有高击穿场强、高热导率、低导通和开关损耗、射频功率放大器、直流至直流(DC-DC)变换器、薄膜和二维Ga

 氮化镓(GaN)功率器件具有高击穿场强、高热导率、低导通和开关损耗、射频功率放大器、直流至直流(DC-DC)变换器、薄膜和二维GaN器件、高电子迁移率等特点,用于制造高频、高功率密度和高效率的功率电子器件。GaN功率器件技术在多个领域都具有广泛的应用前景,可以提高系统效率、减小体积,并推动电力电子技术的发展。

2023年11月28日,第九届国际第三代半导体论坛(IFWS)&第二十届中国国际半导体照明论坛(SSLCHINA)于厦门国际会议中心盛大开幕。本届论坛由厦门市人民政府、厦门大学、第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)、中关村半导体照明工程研发及产业联盟(CSA)主办,厦门市工业和信息化局、厦门市科学技术局、厦门火炬高新区管委会、惠新(厦门)科技创新研究院、北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司承办。

英诺赛科总经理

开幕大会上,英诺赛科欧洲总经理Denis Macron分享了《高性能GaN功率器件高可靠性和低成本》的主题报告,GaN功率器件使功率转换系统(AC/DC、DC/DC等)比硅功率器件更小、更高效、更简单,从而更便宜,从而彻底改变了功率半导体行业。然而,关于GaN功率器件仍然存在一些神话,比如它们非常昂贵,可靠性值得怀疑。

报告介绍了通过利用规模经济,8英寸高通量制造晶圆厂完全致力于生产硅晶片上的8英寸GaN(即,相对于6英寸,每片晶片约2倍的器件),可以提供具有价格竞争力的GaN功率器件。同时介绍了innoscience的最新可靠性结果,包括失效测试和寿命提取,这将消除关于GaN功率器件可靠性的最后一个悬而未决的问题。通过展示如何利用离散(InnoGaN™) 和集成(SolidGaN™) Innoscience GaN功率器件增强了AC-DC和DC-DC转换器的性能,以最大限度地提高其效率,同时减小其尺寸。

(备注:以上信息仅根据现场整理未经嘉宾本人确认,仅供参考!)

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