得益于高功率、高频率和高温环境下的众多卓越性能，氮化镓功率电子器件技术在具有广阔的发展前景。技术发展具有持续的创新和应用前景，将推动多个领域的技术发展，并满足未来对高性能、高效能转换和小型化的需求。
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技术分论坛: 氮化镓功率电子器件 Technical Sub-Forum: Technologies for GaN Power Electronics Devices |
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时间：2023年11月29日13:30-17:30 地点：厦门国际会议中心酒店 • 大同厅 Time: Nov 29, 13:30-17:30 Location: Xiamen International Conference Center • Datong Hall |
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协办支持/Co-organizer: 三安光电股份有限公司 San’an Co.,ltd 中微半导体设备（上海）股份有限公司 Advanced Micro-Fabrication Equipment Inc. China（AMEC） |
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屏幕尺寸 / Slides Size：16:9 |
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主持人 |
张波/ZHANG Bo 电子科技大学集成电路研究中心主任/教授 Profssor, University of Electronic Science and Technology of China 陈敬/CHEN Jing 香港科技大学讲席教授 Chair Professor, Department of Electronic and Computer Engineering、the Hong Kong University of Science and Technology 吴伟东/Wai Tung NG 加拿大多伦多大学教授、多伦多纳米制造中心主任 Director and Professor , Toronto Nanofabrication Centre, University of Toronto |
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13:25-13:30 |
嘉宾致辞 / Opening Address |
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13:30-13:50 |
GaN基单片电子器件的集成互补金属氧化物半导体D模和E模高电子迁移率晶体管 GaN-based monolithic electronics integrated using complementary metal-oxide-semiconductor D-mode and E-mode high-electron mobility transistors 李清庭--台湾元智大学前副校长、台湾成功大学特聘教授 Ching-Ting LEE--Distinguish professor of Cheng Kung University, Twaiwan |
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13:50-14:10 |
GaN溅射技术进展 Progress of sputtering technology in GaN 牛山史三--日本爱发科株式会社首席技术官 USHIYAMA Fumitada--CTO of ULVAC Co.,ltd |
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14:10-14:30 |
高性能Si基GaN器件和Ga2O3器件研究进展 Research progress in high-performance Si-based GaN devices and Ga2O3 devices 于洪宇--南方科技大学深港微电子学院院长、教授 YU Hongyu--Professor & Dean of The School of Microelectronics, Southern University of Science and Technology |
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14:30-14:50 |
氮化镓功率半导体在中高压领域的进展 Progress of GaN power semiconductors in the medium and high voltage field 黎子兰--广东致能科技有限公司总经理 LI Zilan--General Manager of GuangDong Ziener Technology Co.,Ltd |
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14:50-15:10 |
用于电源应用的横向和垂直GaN器件开发 Lateral and Vertical GaN device development for power applications 游淑珍--西安电子科技大学教授 YOU Shuzhen--Professor of Xidian University |
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15:10-15:35 |
GaN基Buck-Boost LLC变换器的功率补偿瞬态响应控制策略 A Transient Response Control Strategy with Power Compensation for GaN-based Buck-Boost LLC Converters 刘琦--加拿大多伦多大学 LIU QI--University of Toronto |
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15:35-15:50 |
茶歇 / Coffee Break |
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15:50-16:10 |
GaN MEMS/NEMS应变调控谐振器 GaN MEMS/NEMS resonator through strain engineering 桑立雯--日本国立材料研究所独立研究员 SANG Liwen--Independent Scientist of National Institute for Materials Science (NIMS), Japan |
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16:10-16:25 |
增强型功率氮化镓器件结构设计进展 Progress in Structural Design of Enhanced-Mode Power GaN Devices 朱仁强--成都氮矽科技有限公司器件设计总监 ZHU Renqiang--Design Director of Chengdu DanXi Technology Co.,Ltd |
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16:25-16:40 |
基于电子模式GaN的MIS-HEMTS中的工艺和可靠性问题 Process and Reliability Issues in E-Mode GaN-based MIS-HEMTS 黄火林--大连理工大学教授 HUNAG Huolin--Professor of Dalian University of Technology |
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16:40-16:55 |
具复合栅极和阶梯结构的新型GaN垂直晶体管研究 Research on a Novel GaN Vertical Transistor with Composite Gate and Stepped Structure 尹以安--华南师范大学研究员 YIN Yi'an--Professor of South China Normal University |
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16:55-17:10 |
低成本垂直GaN功率器件 Low-Cost Vertical GaN Power Devices 刘新科--深圳大学副教授 LIU Xinke--Associate Professor of Shenzhen University |
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17:10-17:25 |
原位N2或H2/N2等离子体预处理全凹栅增强型LPCVD-Si3N4/PELD-AlN/GaN-MIS-HEMT中陷阱态的研究 Investigation of the Trap States in Fully-Recessed Normally off LPCVD-Si3N4/PEALD-AlN/GaN MIS-HEMT with in-Situ N2 or H2/N2 Plasma Pretreatment 陶明--湖南大学电气与信息工程学院助理教授 TAO Ming--Assistant Professor,College of Electrical and Information Engineering, Hunan University |
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17:25-17:40 |
耗尽型AlGaN/GaN HEMT器件的氢效应及可靠性研究 A Study on The Hydrogen Effect and Reliability of a Depletion-Mode AlGaN/GaN HEMT Device 王传举--沙特国王科技大学 ChuanJu Wang--King Abdullah University of Science and Technology |
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17:40-17:55 |
NiO/AlGaN界面载流子输运与高压RESURF p-NiO/AlAlGaN/GaN HEMT Carrier transport at NiO/AlGaN interface and high voltage RESURF p-NiO/AlGaN/GaN HEMTs 郭慧--南京大学 GUOHui--Nanjing University |
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17:55-18:10 |
适用于48V应用，具有25至250°C的高温灵敏度,单片GaN双管温度传感器，Monolithic GaN Two-Transistor Temperature Sensor with high Temperature Sensitivity from 25 to 250 °C for 48 V applications 李昂--西交利物浦大学 LI Ang--Xi'an Jiaotong-Liverpool University |
附论坛详细信息：
会议时间 : 2023年11月27-30日
会议地点 :中国· 福建 ·厦门国际会议中心
主办单位：
厦门市人民政府
厦门大学
第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）
中关村半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）
承办单位：
厦门市工业和信息化局
厦门市科学技术局
厦门火炬高新区管委会
惠新(厦门)科技创新研究院
北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司
论坛主题：低碳智联· 同芯共赢
程序委员会 ：
程序委员会主席团
主席：
张 荣--中国科学院院士，厦门大学党委书记、教授
联合主席：
刘 明--中国科学院院士、中国科学院微电子研究所所研究员
顾 瑛--中国科学院院士、解放军总医院教授
江风益--中国科学院院士、南昌大学副校长、教授
李晋闽--中国科学院特聘研究员
张国义--北京大学东莞光电研究院常务副院长、教授
沈 波--北京大学理学部副主任、教授
徐 科--江苏第三代半导体研究院院长、中科院苏州纳米所副所长、研究员
邱宇峰--厦门大学讲座教授、全球能源互联网研究院原副院长
盛 况--浙江大学电气工程学院院长、教授
张 波--电子科技大学教授
陈 敬--香港科技大学教授
徐现刚--山东大学新一代半导体材料研究院院长、教授
吴伟东--加拿大多伦多大学教授
张国旗--荷兰工程院院士、荷兰代尔夫特理工大学教授
Victor Veliadis--PowerAmerica首席执行官兼首席技术官、美国北卡罗莱纳州立大学教授
备注：11月15日前注册报名，享受优惠票价！
＊中关村半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）或第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）成员单位在此基础上再享受10%优惠。
＊学生参会需提交相关证件。
＊会议现场报到注册不享受各种优惠政策。
＊若由于某些原因，您缴费后无法参会，可办理退款事宜，组委会将扣除已缴费金额的5%作为退款手续费。
＊IFWS相关会议：碳化硅衬底、外延生长及其相关设备技术，氮化物衬底、外延生长及其相关设备技术，碳化功率器件及其封装技术I、Ⅱ，氮化镓功率电子器件，氮化镓射频电子器件，超宽禁带半导体技术，化合物半导体激光器与异质集成技术、氮化物紫外技术 ；
＊SSL技术会议：光品质与光健康医疗技术，Mini/Micro-LED及其他新型显示技术，半导体照明芯片、封装及光通信技术，氮化物半导体固态紫外技术，光农业与生物技术,化合物半导体激光器与异质集成技术、氮化物紫外技术 ；
＊IFWS会议用餐包含：28日午餐、28日欢迎晚宴、29日午餐和晚餐、30日午餐；
＊SSL会议用餐：27日晚餐、28日午餐、28日欢迎晚宴、29日午餐。
线上报名通道：
组委会联系方式：
1.投稿咨询
白老师
010-82387600-602
papersubmission@china-led.net
2.赞助/参会/参展/商务合作
张女士
13681329411
zhangww@casmita.com
贾先生
18310277858
jiaxl@casmita.com
余先生
18110121397
yuq@casmita.com
协议酒店：
