IFWS 2023前瞻│氮化镓射频电子器件技术分会日程出炉

日期:2023-11-14 阅读:386
核心提示:第九届国际第三代半导体论坛(IFWS)第二十届中国国际半导体照明论坛(SSLCHINA)将于2023年11月27-30日在厦门国际会议中心召开

 

第九届国际第三代半导体论坛(IFWS)&第二十届中国国际半导体照明论坛(SSLCHINA)将于2023年11月27-30日在厦门国际会议中心召开。本届论坛由厦门市人民政府、厦门大学、第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)、中关村半导体照明工程研发及产业联盟(CSA)主办,厦门市工业和信息化局、厦门市科学技术局、厦门火炬高新区管委会、惠新(厦门)科技创新研究院、北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司承办。

本届论坛除了重量级开、闭幕大会,设有五大主题技术分会,以及多场产业峰会,将汇聚全球顶级精英,全面聚焦半导体照明及第三代半导体热门领域技术前沿及应用进展。随着技术的不断进步和应用领域的拓展,氮化镓技术在各个领域都发挥着越来越重要的作用,具有广泛的应用前景,将会在更多的领域得到应用和发展,前景广阔,备受关注。作为IFWS重要分会之一,氮化镓射频电子器件技术分会将着力聚焦最新技术发展与前沿趋势,目前最新报告日程正式出炉。

本届“氮化镓射频电子器件技术分会”得到了三安光电股份有限公司、中微半导体设备(上海)股份有限公司、苏州能讯高能半导体有限公司的协办支持。届时,该分会将有台湾联合光电有限公司总经理助理邱显钦,西安电子科技大学副校长、教授张进成,河北博威集成电路有限公司副总经理默江辉,北京大学教授杨学林,桂林电子科技大学电气工程学院院长、教授李海鸥,新加坡国立大学教授郭永新,中兴通讯有限公司总工程师刘建利,中电科五十五所研究员张凯,中国科学院半导体研究所何佳恒,西安电子科技大学陈怡霖等科研院校知名专家及实力派企业代表共同参与,将围绕氮化镓射频电子器件技术的发展分享主题报告。

分会日程详情如下:

111421125065_0氮化镓射频电子器件技术分会11月30日8_1

备注:最终日程以现场为准!

【部分嘉宾简介】

陈堂胜

陈堂胜,中国电子科技集团公司第五十五研究所首席科学家,分会程序委员会专家。长期从事GaAs、GaN等化合物半导体微波功率器件和单片电路的研制,现为中国电子科技集团公司制造工艺领域首席科学家,目前在开展金刚石衬底GaN HEMT、异构集成等方面的研究。

蔡树军

蔡树军,中国电子科技集团公司第五十八研究所所长,分会程序委员会专家。长期从事半导体器件与电路科研工作,主持新一代(氮化镓)半导体核心射频芯片研制工作,先后带领团队突破第三代半导体氮化镓射频器件技术,实现了射频芯片从第二代向第三代跨越;突破了砷化镓芯片制造瓶颈技术,补齐砷化镓芯片落后短板。作为第一完成人,参与项目荣获2019年度国家科技进步奖一等奖、2017年度国防科技进步奖一等奖。

郭永新

郭永新,新加坡国立大学电机与计算机工程系终身正教授,新加坡工程院院士,兼任新加坡国立大学苏州研究院智慧医疗技术卓越中心主任,高级研究员。中国南京理工大学客座教授,博士生导师。新加坡国立大学苏州研究院首席研究员,新加坡国立大学苏州研究院智慧医疗技术卓越研究中心主任,新加坡国立大学电机与计算机工程系教授。在生物医疗、移动通信和物联网等应用领域积极开展原创性研究,主要研究方向有射频微波与毫米波集成芯片的EDA和设计、平面天线理论和设计、微波和毫米波雷达技术、无线输能理论及其技术、三维打印和封装技术等。产生的50多项发明专利技术,已获中国授权或受理。在国际著名刊物上发表论文138余篇, 国际会议宣读论文154余篇。现为国际电气与电子工程师协会(IEEE)高级会员;国际著名杂志IEEE天线与无线传播快报(AWPL)责任副主编(Associate Editor);多次担任国际会议的大会主席/联合主席。

张乃千

张乃千,苏州能讯高能半导体有限公司董事长,分会程序委员会专家。曾任职全球最大的射频半导体生产厂家RFMD公司,任职期间张乃千担任了公司氮化镓HEMT专业指导委员会委员,并因RF3800系列产品的开发获得公司“突出贡献(Spotlight)”奖。他于2007年回国创办了能讯半导体并任总裁。能讯是中国首家第三代半导体氮化镓电子器件设计与制造商业企业,自主进行氮化镓外延生长、晶圆制造、内匹配与封装等。

张韵

张韵,中国科学院半导体研究所副所长、研究员,分会程序委员会专家。曾在美国高平(Kopin)半导体公司III-V部门从事研发工作。具备多年GaN、GaAs基器件的设计、制造工艺及器件物理分析经验。2006年至2010年,参与完成与美国国防部先进研究项目局(DARPA)在深紫外光电探测器领域的项目“Deep Ultraviolet Avalanche Photodetectors(DUVAP)”, 及DARPA部署在可见光波段激光器领域的项目“Visible In GaN Injection Lasers(VIGIL)”。在光电子器件领域取得了丰硕成果的同时,在GaN基大功率电子器件方面也有丰富的经验和世界领先的成果。

敖金平

敖金平,日本德岛大学教授、江南大学教授,分会程序委员会专家。曾担任电子工业部第十三研究所GaAs超高速集成电路研究室副主任,高级工程师。2001年赴日本国立德岛大学作博士后研究员,2003年11月起加入德岛大学并于2012年升任准教授。2016年起任西安电子科技大学特聘教授,博士生导师。主要从事基于GaN的光电器件和电子器件的研究工作。敖博士是国际电气电子工程师协会(IEEE)高级会员,美国电气化学协会(ESC)会员,日本应用物理学会会员以及日本电子情报通信学会会员。

于洪宇

于洪宇,南方科技大学深港微电子学院院长、教授,分会程序委员会专家。作为项目负责人,承担超过7000万人民币国家/省/市/以及横向科研项目(包括新加坡主持项目)。产学研方面,在第三代半导体领域承担了与华为/方正微电子等公司的横向课题,使得GaN功率器件在其公司的p-line生产,目前承担一项6寸硅基GaN功率器件产业化的广东省重大专项。在电子陶瓷领域创办南湾通信科技有限公司,成功吸引天使投资1500万用于量产介质滤波器。

冯志红

冯志红,中电科第十三所首席科学家、专用集成电路国家级重点实验室副主任,分会程序委员会专家。是中国电子科学研究院博士生导师,科技创新特区太赫兹主题专家组专家,国际电工技术标准委员会(lEC)专家等。研究方向涉及宽禁带半导体、碳电子和固态太赫兹电子技术。

刘建利

刘建利,中兴通讯股份有限公司无线射频总工,分会程序委员会专家。1998年至2007年任中兴通讯股份有限公司,RF研发工程师兼GSM, CDMA, UMTS等射频功放研发团队项目经理。自2008年起,任中兴通讯股份有限公司射频功放平台总工。

邱显钦

邱显钦,台湾联合光电有限公司总经理助理。2004年加入台塑集团长庚大学电子系进行高速组件开发与毫米波集成电路设计并同时规划建立长庚大学化合物半导体无尘室及其相关半导体制程设备,2007年开始氮化镓高功率组件与高功率电路技术开发。2009年加入长庚大学高速智能通讯研究中心并建立110GHz 高频量测与建模能力的毫米波核心实验室,2013年建立四吋氮化镓功率组件实验室开发氮化镓功率晶体管与驱动模块,氮化镓微波晶体管与模块。张进成

张进成,西安电子科技大学副校长、教授。主要研究领域为宽禁带与超宽禁带半导体材料与器件。获得国家技术发明二等奖2项(排名第一和第二),省部级科技一等奖4项以及国家教学成果一等奖1项。1998年起师从中国科学院院士郝跃教授,从事宽禁带半导体电子材料与器件研究,是我国乃至国际上最早开展宽禁带(第三代)半导体电子器件与材料研究的知名学者之一。

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李海鸥,桂林电子科技大学电气工程学院院长、教授。入选广西“特聘专家”、桂林市“漓江学者”等荣誉称号。近年主持国家自然科学基金、广西自然科学基金重点项目、广西创新研究团队项目、广西科技重大专项、中国博士后基金、桂林市科技开发项目、广西精密导航技术与应用重点实验室项目以及中电集团横向项目项目、广东风华高新科技股份有限公司横向项目等二十余项科研项目。在国内外重要学术刊物发表学术论文200余篇,其中SCI、EI收录100余篇。获得国家发明专利授权40余项。

杨学林

杨学林,北京大学教授,2004年获吉林大学学士学位,2009年获北京大学理学博士学位,2009-2012年在日本东京大学从事博士后研究,国家优秀青年科学基金获得者。近年来主要围绕GaN基电子材料和器件开展研究工作,在Si衬底上GaN厚膜及其异质结构的MOCVD外延生长、GaN基材料中杂质缺陷研究等方面取得了多项成果。迄今共发表SCI论文130多篇,包括以第一/通讯作者在Phys. Rev. Lett.、Adv. Funct. Mater.、Appl. Phys. Lett.等期刊上发表SCI论文45篇。在本领域国内外学术会议上做邀请报告20次,申请/授权国家发明专利15件。主持国家自然科学基金重点/优青/面上项目、科技部国家重点研发计划课题,华为/北方华创等产学研合作项目,正在积极推动科研成果转化。

默江辉

默江辉,河北博威集成电路有限公司副总经理。公司主要从事微波/射频混合集成电路及晶振电路的研发和生产。是国家有源、无源射频集成电路生产基地,河北省高新技术企业,目前国内最大的微波/射频集成电路供应商。公司主要面向无线通信市场,研发系列低成本晶振电路、射频集成VCO、CRO,射频集成PLL频率合成器、低噪放LNA、滤波器、功率限幅器、功分器、I/Q调制器等。产品广泛应用于各类无线通信系统中,如:PHS、GSM、CDMA、WCDMA、WLNA等系统,同时在各类频率合成器、微波接收机、中频的接收与处理等领域有着独到的优势。

中电科五十五所研究员张凯

张凯,博士,南京电子器件研究所研究员。2014年毕业于西安电子科技大学微电子学院,2015年加入南京电子器件研究所微波毫米波单片集成与模块电路重点实验室。他专注于探索创造新颖的、先进的GaN器件,包括高线性GaN器件、太赫兹GaN器件以及Si基GaN微波毫米波器件等。目前为止,典型成果包括国际第一个具有优异功率性能的GaN FinFET器件,国内截止频率最高的SiC衬底上GaN器件、国际整体性能最优的Si基GaN高频器件(以上结论依据源于已发表文章、会议等),成果曾经两次被Semiconductor Today杂志专题报道。

 

 更多论坛进展信息,敬请关注半导体产业网、第三代半导体产业!

附论坛详细信息:

会议时间 : 2023年11月27-30日

会议地点 :中国· 福建 ·厦门国际会议中心

主办单位:

厦门市人民政府

厦门大学

第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)

中关村半导体照明工程研发及产业联盟(CSA)

承办单位:

厦门市工业和信息化局

厦门市科学技术局

厦门火炬高新区管委会

惠新(厦门)科技创新研究院

北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司

论坛主题:低碳智联· 同芯共赢

程序委员会 :

程序委员会主席团

主席:

张   荣--中国科学院院士,厦门大学党委书记、教授

联合主席:

刘   明--中国科学院院士、中国科学院微电子研究所所研究员

顾   瑛--中国科学院院士、解放军总医院教授

江风益--中国科学院院士、南昌大学副校长、教授

李晋闽--中国科学院特聘研究员

张国义--北京大学东莞光电研究院常务副院长、教授

沈   波--北京大学理学部副主任、教授

徐   科--江苏第三代半导体研究院院长、中科院苏州纳米所副所长、研究员

邱宇峰--厦门大学讲座教授、全球能源互联网研究院原副院长

盛   况--浙江大学电气工程学院院长、教授

张   波--电子科技大学教授

陈   敬--香港科技大学教授

徐现刚--山东大学新一代半导体材料研究院院长、教授

吴伟东--加拿大多伦多大学教授

张国旗--荷兰工程院院士、荷兰代尔夫特理工大学教授

Victor Veliadis--PowerAmerica首席执行官兼首席技术官、美国北卡罗莱纳州立大学教授

日程总览:
年度论坛日程总览1113_
备注:更多同期活动正在逐步更新中!
 
注册参会:
注册参会

备注:11月15日前注册报名,享受优惠票价!

*中关村半导体照明工程研发及产业联盟(CSA)或第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)成员单位在此基础上再享受10%优惠。

*学生参会需提交相关证件。

*会议现场报到注册不享受各种优惠政策。

*若由于某些原因,您缴费后无法参会,可办理退款事宜,组委会将扣除已缴费金额的5%作为退款手续费。

*IFWS相关会议:碳化硅功率电子、氮化镓功率电子、超宽禁带半导体、Mini/MicroLED技术;

*SSL相关会议:半导体光源、半导体照明创新应用、Mini/MicroLED技术;

*IFWS会议用餐包含:28日午餐、28日欢迎晚宴、29日午餐和晚餐、30日午餐;

*SSL会议用餐:27日晚餐、28日午餐、28日欢迎晚宴、29日午餐。

线上报名通道:

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组委会联系方式:

1.投稿咨询

白老师

010-82387600-602

papersubmission@china-led.net

2.赞助/参会/参展/商务合作

张女士

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zhangww@casmita.com

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