芯干线获融和资产战略投资,深耕第三代半导体功率器件及模块研发设计与销售

日期:2023-08-28 阅读:576
核心提示:芯干线获融和资产战略投资,深耕第三代半导体功率器件及模块研发设计与销售

 近期,融和资产通过上海中电投融和新能源投资管理中心(有限合伙)及上海融和九智私募基金合伙企业(有限合伙)完成对南京芯干线科技有限公司(简称芯干线)的战略投资,布局新能源产业链上游电力电子元器件领域。

芯干线由功率半导体行业资深海归博士、电源行业市场专业人士共同组建而成,核心创始人傅玥博士2022年-2023年连续两届当选IEEE ISPSD*执行委员会高压器件协会主席。

*IEEE ISPSD(国际功率半导体器件与集成电路年会),是国际上功率半导体领域的顶级学术会议,被誉为功率半导体领域的“奥林匹克会议”。

自成立以来,该公司深耕第三代半导体碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等功率器件及智能功率模块(IPM)产品等研发设计与销售,建成三大芯片研发中心(南京、苏州、深圳)及测试中心(南京),已申请芯片及模块各类专利40余件,并为下游新能源领域的头部客户批量稳定供货。

▲芯干线部分产品线展示图

第三代半导体材料以碳化硅和氮化镓为典型代表,是制造高压大功率电力电子器件的突破性材料,具备高频、耐高压、耐高温等优越性能,在新能源车、光伏、风电、5G基站、高铁等领域有着很大应用潜力。

2022年我国第三代半导体市场规模达到111.79亿元,同比增长39.2%,2018年到2022年复合增长率为43%,增长速度惊人,然而以美国科锐(Cree)、德国英飞凌(Infenion)为代表的欧美企业占据国内绝大部分市场。

▲碳化硅和氮化镓的应用领域

芯干线是国内少数同时布局碳化硅和氮化镓功率器件的企业,始终坚持自主知识产权开发,形成了丰富的产品线,包括GaN HEMT、GaN模块、SiC SBD、SiC MOS、SiC模块等,可为客户提供先进的第三代半导体和全面的技术支持。目前,该公司已与国内一线PD快充公司、电摩零部件企业、新能源汽车电驱动企业达成战略合作。

本次融资后,融和资产将与芯干线开展户用和工商储能、充电桩、新能源汽车等多领域合作,助力第三代半导体智能功率模块产线的建设,为客户提供更多专业化、模块化的产品及更具性价比的解决方案,推动半导体领域关键技术国产化替代,赋能先进制造产业发展“芯”未来。

来源:融和租赁

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