2023 先进IGBT及第三代半导体功率电子技术与应用论坛将于7月在上海举办

日期:2023-06-07 阅读:670
核心提示:2023 先进IGBT及第三代半导体功率电子技术与应用论坛将于7月20-21日在上海举办

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 2023 先进IGBT及第三代半导体功率电子技术与应用论坛

7月20日-21日

上海世博展览馆·NEPCON论坛区

“双碳”战略带来的新能源增量需求,以及国产替代的需求,也会为国内市场带来巨大增长空间,在新能源汽车、智能电网、消费电子、信息通讯、轨道交通、光伏、风电、工控等领域的持续渗透,为我国打开了巨大的市场。随着近年逐步开始商业化和产业化,功率半导体行业已经迎来了新的发展赛道,并逐步形成与行业应用紧密相关的新发展趋势。尤其是IGBT及第三代半导体功率器件技术与应用。

为推动IGBT及第三代半导体功率电子技术与应用,半导体产业网、第三代半导体产业联合中国国际贸易促进委员会电子信息行业分会、励展博览集团等单位,将定于7月20-21日在NEPCON China 2023 电子展(第三十一届国际电子生产设备暨微电子工业展览会)期间,在上海世博展览馆举办“2023 先进IGBT及第三代半导体功率电子技术与应用论坛”。随着新材料技术的不断突破和在各个领域的广泛应用,形成了“一代材料、一代工艺、一代装备、一代产品、一代产业”。届时我们将邀请到产业链知名企业专家代表,聚焦前沿技术进步与产业创新应用,畅谈产业链之间的协同创新与合作,携手向前,共享共赢。

主办单位:

半导体产业网、第三代半导体产业

中国国际贸易促进委员会电子信息行业分会

励展博览集团

承办单位:

北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司

报告议题(拟):

国产IGBT技术进展及市场现状

碳化硅肖特基二级管技术

IGBT模块封装技术

助力集成商打造半导体行业智能物流解决方案

高压功率器件封装绝缘问题及面临的调整

双面银烧结技术在功率模块封装中的应用

第三代半导体功率器件封装技术现状及挑战

IGBT的真空焊接技术

超高压碳化硅功率器件

碳化硅离子注入技术

第三代半导体功率器件可靠性测试方法和实现

IGBT芯片设计

车规级IGBT 与 碳化硅IGBT 技术趋势

基于SiC功率芯片的高功率密度电驱系统

SiC功率器件先进封装材料及可靠性优化设计

车规级氮化镓功率器件技术

用于功率器的关键设备技术/等离子去胶设备技术

IGBT模块散热及可靠性研究

碳化硅芯片设计

参会/商务咨询

贾先生(Frank)

18310277858

jiaxl@casmita.com

 

张女士(Vivian)

13681329411

zhangww@casmita.com

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