西安第三代化合物半导体芯片与器件产业化项目落户 总投资116亿元

日期:2022-12-12 阅读:245
核心提示:12月8日,陕西省西咸新区泾河新城与江西誉鸿锦材料科技有限公司签订战略合作框架协议,总投资116亿元的西安第三代化合物半导体芯

 12月8日,陕西省西咸新区泾河新城与江西誉鸿锦材料科技有限公司签订战略合作框架协议,总投资116亿元的西安第三代化合物半导体芯片与器件产业化项目落户泾河新城。

该项目将以第三代化合物半导体材料——氮化镓(GaN)为核心内容,建立第三代化合物半导体研发中心,开展氮化镓基半导体核心技术攻关、新品研发等工作。

西咸新区消息称,江西誉鸿锦材料科技有限公司系项目主体方,专注于GaN电子器件研发,已掌握氮化镓外延、器件制备和封装等领域的核心技术;天石基金管理(深圳)有限公司将对项目进行注资,其股东来自多家知名企业实际控制人及核心成员,管理团队成员多来自国内外投资机构、上市公司、基金公司及金融机构等,将进一步助力项目早日投产达效。

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