IFWS &SSLCHINA 2022前瞻看点：固态紫外材料与器件

2022年11月7-10日， 一年一度行业盛会，第八届国际第三代半导体论坛（IFWS 2022）&第十九届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA 2022）将于苏州国际博览中心召开。其中，固态紫外材料与器件技术分会作为重要分论坛，目前已经确认最新报告嘉宾正式出炉！

第三代半导体材料禁带宽度大，具有击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高等优越性质。其在紫外器件中具备其他半导体材料难以比拟的优势，展现出巨大的应用潜力。随着环保及公共安全等领域的需求升级，固态紫外技术拥有广阔的应用前景。氮化物半导体涉及蓝/白光LED、紫外LED，微波射频器件、功率电子器件等诸多应用，比如深紫外光源已用于日常生活、生产科研、国土安全等领域。

据组委会透露，固态紫外材料与器件分会将重点关注以氮化铝镓、氮化镓为代表的紫外发光材料，以碳化硅、氮化镓为代表的紫外探测材料，高效量子结构设计及外延，以及发光二极管、激光器、光电探测器等核心器件的关键制备技术，并涵盖紫外器件的先进封装材料及技术等。

目前分会已经确认有来自：日本三重大学、南京大学、中科院长春光机所、沙特国王科技大学、复旦大学、厦门大学、美国Bolb Inc.、郑州大学、中科院宁波材料所、湖北大学、华中科技大学、中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所等科研院校与代表企业的知名企业专家代表共同参与，将围绕固态紫外材料与器件技术分享主题报告。

目前确认报告嘉宾如下：(仍有部分嘉宾报告正在确认中)：

Fabrication of 265 nm AlGaN-LEDs on Face-to-face annealed AlN/sapphire template

三宅秀人——日本三重大学教授 

提高AlGaN基DUV-LED效率的薄p-GaN上的银基镂空反射电极

周玉刚——南京大学电子科学与工程学院教授

氮化物的范德华外延：基底结构、多性能控制和紫外光电器件应用

孙晓娟——中科院长春光机所研究员

在可穿戴光电子学和电子学的柔性衬底上外延生长氧化镓半导体

李晓航——沙特国王科技大学副教授

高效率深紫外 Micro-LED尺寸依赖特性研究

崔旭高——复旦大学信息科学与工程学院光源与照明工程系副教授

Ga2O3/GaN Heterostructure Ultraviolet Photodetectors

黄凯——厦门大学物理科学与技术学院副院长、教授

Light-extraction efficiency and performance of transparent ultraviolet C-band light-emitting diodes

张剑平——美国Bolb Inc.董事长兼首席技术官

AlGaN基深紫外发光器件设计与仿真研究

刘玉怀——郑州大学电气与信息工程学院教授、科技部电子材料与系统国家级国际联合研究中心主任、河南省电子材料与系统国际联合实验室主任

微米级氧化镓厚膜的载流子定向输运与深紫外光电探测

张文瑞——中科院宁波材料所研究员

基于HfZrO2与b-Ga2O3异质结的高性能自驱动日盲紫外光探测器

黎明锴——湖北大学材料科学与工程学院教授

Enhanced light extraction efficiency via double nano-pattern arrays for high-efficiency deep UV LEDs（TBD）

郑志华——华中科技大学

室温紫外GaN微盘激光器

司志伟——中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

部分嘉宾简介

三宅秀人，三重大学区域创新研究研究生院教授，研究课题包括半导体工程、晶体生长、光电子学。

周玉刚，南京大学电子科学与工程学院教授。主要研究方向为GaN基半导体材料与器件，LED器件工艺与先进封装，光电器件及系统的可靠性分析与寿命预测。周玉刚博士长期从事半导体GaN材料生长和器件研究。1996年起在AlGaN/GaN异质结生长及高电子迁移率晶体管（HEMT）器件结构设计方面做出了大量开创性工作。2004年到2013年，他参与香港微晶及广东晶科电子的创建和发展，负责芯片研发，成功开发国际先进水平的倒装焊大功率LED和晶片级无金线封装，助公司获得2011年香港工商业成就奖和中国LED产业奖。2013年2月起，他任南京大学电子科学与工程学院教授，承担自然科学基金和国家重点研发计划课题研究，并积极科技成果的转化与应用。近年来发展了在线测量LED结温和亮度的方法并应用于智能照明，在紫外LED的器件工艺与应用、高密度封装等方面取得重要成果，部分成果得到了转化。

李晓航，沙特国王科技大学副教授，先进半导体实验室首席研究员。致力于第三代半导体超宽禁带材料、器件、物理、设备的研究。拥有20项批准和在申的国际专利。是Nature Photonics等杂志的审稿人和Photonics Research的紫外光电特刊特邀主编(leading guest editor)。曾获 AACG美国晶体生长协会：Harold M. Manasevit Young Investigator Award、 SPIE国际光学工程协会：DJ Lovell Scholarship、 IEEE Photonics Society光子学协会：Graduate Student Fellowship、Georgia Institute of Technology佐治亚理工学院：Edison Prize。实现在蓝宝石上低阈值深紫外激光和260nm以下的深紫外激光、在同一衬底上半导体TE和TM深紫外激光 、实现半导体深紫外表面受激辐射、用低温低成本实现高质量AlN蓝宝石基板外延生长 。2018-今 创建半导体极化场工具箱Polarizationtoolbox。

崔旭高，复旦大学信息科学与工程学院光源与照明工程系副教授。主要从事III族氮化物材料生长和器件研究，在半导体材料生长、材料测试分析、器件制备、InGaN双异质结太阳能电池、纳米卷曲微管光学材料及LED纳米复合陶瓷基板的理论研究和应用方面取得了显著的成果。先后主持国家高技术发展研究计划(863)项目1项，国家自然科学基金青年基金1项，教育部新教师基金1项，上海市自然基金1项，国家火炬计划示范项目2项，江苏省科技工业支撑计划项目1项，并参加多项国家自然科学基金和其他项目。迄今发表论文30余篇，申请/授权发明专利10余项，参与编写书目3本。崔旭高副教授在项目的管理和安排方面也积累了丰富的经验，多项发明取得成果转化。

黄凯，厦门大学物理科学与技术学院副院长、教授。研究领域深紫外LED、日盲紫外光电探测器、纳米光子学、金属表面等离子体学等。多次在Nanoscale Research Letters、Applied Physics Express、Scientific Reports等重要期刊上发表文章，授权发明专利3项。

张剑平，美国Bolb Inc.董事长兼首席技术官。张剑平博士于2014 年与Ling Zhou博士Ying Gao 和 Eun-hyun Park共同创立了 Bolb Inc.。此后一直担任 Bolb Inc. 董事长兼首席技术官。张博士在 III 族氮化物半导体产业和学术界积累了20多年的经验，并在深紫外发光二极管领域做出了开创性的工作。他于2003 年 获得DARPA SUVOS 杰出表现奖，并为 100 多篇同行评审的出版物和 100 多项美国和国际专利和申请做出了贡献。

刘玉怀，郑州大学电气与信息工程学院教授、科技部电子材料与系统国家级国际联合研究中心主任、河南省电子材料与系统国际联合实验室主任。主要研究方向为氮化物半导体材料与器件，主持国家重点研发计划政府间国际科技创新合作重点专项（基于氮化物半导体的深紫外激光器的研究）、国家自然科学基金面上项目、河南省科技攻关项目等13项。发表论文与会议报告215篇，国际会议邀请报告12次。日本专利公开1项、授权中国发明专利1项、实用新型项专利1项、软件著作权5项。紫外LED技术转移1项。目前主持第三批“智汇郑州1125创新创业领军团队”三色LED集成芯片项目，参与宁波市2025重大科技专项“深紫外LED产业化”。

张文瑞，中科院宁波材料所研究员，主要从事宽禁带氧化物半导体材料与器件的研究，研究致力于不断完善氧化物薄膜的精准制备与载流子输运调控能力，研发新一代功率电子器件与深紫外光电器件，以推动氧化物半导体在新能源产业和信息产业的发展应用。张文瑞博士在氧化物薄膜外延、载流子输运调控与半导体器件设计研发等方面积累了丰富的研究经验，与国内外高校、国家实验室和产业界的科研团队展开了深入密切的合作。代表性研究成果发展了新型功能氧化物和异质结界面的外延生长技术，在此基础上揭示了包括激子传导、小极化子传导与畴壁传导的载流子输运机理与调控方法，进一步研究整流结器件与光电转换器件的设计应用。以上研究成果在相关领域建立了较高的学术影响力，受到美国能源部亮点报道和学术期刊编辑推荐，并应邀在多个国际会议和学术机构作邀请报告。围绕以上领域发表学术论文70余篇，其中第一及通讯作者论文20余篇，包括ACS Energy Lett., Adv. Funct. Mater., ACS Nano, Nano-Micro Lett.和IEEE EDL等，论文被引超3000次，H指数30。目前主持国家级人才项目、国家自然科学基金、浙江省自然科学基金和宁波市科技创新团队项目，担任30多种国际学术期刊(包括Nat.Commun., Sci. Adv.,和Adv. Mater.)的审稿人。

黎明锴，湖北大学材料科学与工程学院教授。研究方向为新型超宽禁带半导体材料、日盲紫外光探测器、采用第一性原理设计、研究新材料。国家自然科学基金面上项目2项、湖北省自然科学基金面上项目1项、教育部博士点基金等科研项目。授权专利11项。

孙晓娟，中国科学院长春光学精密机械与物理研究所研究员，国家优秀青年基金获得者。主要从事宽禁带半导体材料与器件相关研究工作，在氮化物材料生长、缺陷调控及器件研究等方面取得了系列科研成果。主持国家自然科学基金“优青”、科技部重点研发计划子课题、国家自然科学基金面上项目等项目十余项，核心骨干参与国家自然科学基金“创新群体”、国家“杰青”、国家自然科学基金重大科研仪器研制项目、科技部重点研发计划项目等。相关成果在Advanced Materials、Light: Science & Applications、Applied PhysicsLetters等期刊发表SCI论文60余篇，申请/授权发明专利80余项。

更多论坛信息：

会议时间：2022年11月7日-10日

会议地点：中国 - 苏州 - 苏州国际博览中心G馆

日程安排

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备注：＊中关村半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）或第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）成员单位在此基础上再享受10%优惠。

＊学生参会需提交相关证件。

＊会议现场报到注册不享受各种优惠政策。

＊IFWS相关会议包括：开幕大会，碳化硅衬底材料生长与加工,碳化硅功率电子材料与器件,氮化物衬底材料生长与外延技术,氮化镓功率电子材料与器件,固态紫外材料与器件,化合物半导体激光器技术,Mini/Micro LED及其他新型显示技术,射频电子材料与器件,超宽禁带及其他新型半导体材料与器件，闭幕大会。

＊SSLCHINA相关会议包括：开幕大会，氮化物衬底材料生长与外延技术，固态紫外材料与器件，LED芯片、封装与光通信，Mini/Micro LED及其他新型显示技术，生物农业光照技术，教育照明与健康光环境，光医疗应用技术，化合物半导体激光器技术,闭幕大会。

*产业峰会包括：柔性显示技术产业高峰论坛、生物农业光照技术与产业应用峰会、车用半导体创新合作峰会、功率模块与电源应用峰会、第三代半导体标准与检测研讨会、UV LED创新应用、Mini/Micro-LED技术产业应用峰会、智慧照明设计与应用峰会。

＊若由于某些原因，您缴费后无法参会，可办理退款事宜，组委会将扣除一定的退款手续费。

＊自助餐包含：11月9日午餐和晚餐、10日午餐。

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