2022年8月26日，第四届第三代半导体材料及装备发展研讨会在青岛成功召开，本次研讨会的主题是：需求与创新路径。研讨会由第三代半导体产业技术创新战略联盟主办，中国电子科技集团公司第二研究所承办。中微半导体设备（上海）股份有限公司、北京北方华创微电子装备有限公司、北京特思迪半导体设备有限公司、无锡邑文电子科技有限公司、山东力冠微电子装备有限公司、香港应用科技研究院、江苏星特亮科技有限公司、上海翱晶半导体科技有限公司协办。
会议照片
中微半导体设备（上海）股份有限公司副总裁、MOCVD事业部总经理郭世平，厦门市三安集成电路有限公司副总经理孙希国，河北同光晶体有限公司副总经理王巍，中国科学院沈阳科学仪器股份有限公司副总经理赵崇凌，山东力冠微电子装备有限公司技术副总姜良斌，季华实验室高级工程师何嵩，Boschma中国区总监、高级工程师田天成，北京特思迪半导体设备有限公司技术总监梁浩，中国电子科技集团公司第四十八研究所半导体装备研究部主任巩小亮，无锡邑文电子科技有限公司副总经理叶国光，安徽长光先进半导体有限公司研发总监钮应喜等来自产业链上下游的130多位专家学者及技术人员参会。中微半导体设备（上海）股份有限公司副总裁、MOCVD事业部总经理郭世平、中国电子科技集团公司第四十八研究所半导体装备研究部主任巩小亮共同主持研讨会。
吴 玲 第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长
第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长吴玲发来视频致辞。吴玲理事长指出，当前正值新的地缘政治环境下全球半导体竞争力重塑的关键历史时期。第三代半导体是实现“双碳”目标、“东数西算”战略和保障国家产业安全的重要支撑。
吴玲理事长表示，国家“十三五”、“十四五”科技计划持续支持第三代半导体，目前核心材料和器件已经解决有无问题，随着一系列开放共享的国家级研发平台陆续建立，我们对第三代半导体成为关键历史时期的重要抓手和突破口充满信心。但是，我们也要清醒认识到，装备的国产化率仍然很低，设备性能有待提升，原材料和零部件配套缺乏自主保障，产业化水平亟待提高，产业链安全存在风险。未来五年市场快速启动环境下，仍然面临挑战。
因此，我们仍然要坚定地以应用促发展，开展产学研深度合作，推动“百城亿芯”示范工程，第三代半导体的装备尤其需要上下游紧密合作，通过应用集成创新，培育龙头企业，创造出大中小企业融通发展，创新体系和生态完善的良好局面，为第三代半导体健康、稳定、可持续地发展，形成国际上有影响力的产业高地而不断努力。
在报告环节，厦门市三安集成电路有限公司副总经理孙希国分享了《第三代半导体进展与应用》的报告。
河北同光晶体有限公司副总经理王巍带来了《新能源汽车应用助力碳化硅产业快速发展——碳化硅材料市场发展现状及展望》的报告。
季华实验室高级工程师何嵩分享了《SiC高温外延生长炉 EPI150》的报告。
中国科学院沈阳科学仪器股份有限公司副总经理赵崇凌分享了《国产分子束外延设备的新进展》的报告。
北方华创微电子SiC外延技术经理刘广政带来了《碳化硅外延设备技术》的报告。
中微半导体公司副总裁、MOCVD事业部总经理郭世平分享了《氮化镓外延设备技术进展》的报告。
国宏中宇科技发展有限公司总经理赵然分享了视频报告《碳化硅衬底生产进展及装备需求》。
中国电子科技集团公司第四十八研究所半导体装备研究部主任巩小亮分享了《第三代半导体芯片制造装备技术发展趋势及国产化进展》的报告。
山东力冠微电子装备有限公司技术副总姜良斌带来了《第三代半导体材料新型装备国产化论述》的报告。
无锡邑文电子科技有限公司副总经理叶国光分享了《先进制程ALD设备国产化进展》。
北京特思迪半导体设备有限公司技术总监梁浩分享了《抛光技术在化合物半导体制造的应用》的报告。
Boschman中国区总监、高级工程师田天成分享了《SiC功率模块核心封装技术与设备》的报告。
讨论环节从左至右分别是：郭世平、赵崇凌、蔡国基、刘广政、姜良斌、王巍
之后的专题讨论环节，共分两个议题。第一个议题是衬底与外延环节，围绕生长腔的温度如何控制、如何实现高效率和高良率切割、如何实现高精度抛光、如何做好缺陷检测等内容展开研讨。
讨论环节从左至右分别是：叶国光、巩小亮、钮应喜、梁浩、田天成
第二个议题是芯片器件与封装环节，围绕高温离子注入技术的难点与对装备的发展要求、高温氧化、高温退火关键技术问题与装备支撑、SiC/GaN刻蚀技术与装备发展面临的问题、如何看待激光处理等新型工艺路线及装备前景、封装环节如何实现高效及精确化等内容展开讨论。2个专题讨论都十分热烈，各对话嘉宾与现场参会人员也进行了深入交流。
