盛美上海推出新型预清洗设备 适用于硅片和碳化硅衬底制造

日期:2022-07-29 阅读:433
核心提示:7月29日消息,半导体前道和先进晶圆级封装应用提供晶圆工艺解决方案供应商盛美半导体设备近日推出新型化学机械研磨后(Post-CMP
7月29日消息,半导体前道和先进晶圆级封装应用提供晶圆工艺解决方案供应商盛美半导体设备近日推出新型化学机械研磨后(Post-CMP)清洗设备。这是盛美上海的第一款Post-CMP清洗设备,用于制造高质量衬底化学机械研磨(CMP)工艺之后的清洗。该清洗设备6英寸和8英寸的配置适用于碳化硅(SiC)衬底制造;8英寸和12英寸配置适用于硅片制造。该设备有湿进干出(WIDO)和干进干出(DIDO)两种配置,并可选配2、4或6个腔体,拥有每小时60片晶圆的最大产能(WPH)。
 
盛美上海董事长王晖博士表示:“全球设备供应链的交付时间继续延长,这为盛美上海提供了一个绝佳时机,我们可以凭借在半导体清洗工艺技术方面的丰富经验进入清洗市场,进一步扩大清洗产品组合。Post-CMP清洗设备为盛美上海的客户提供了一种稳定、可靠且具有成本效益的解决方案,同时还能缩短交货时间,大大缓解短缺的现状。”
 
在CMP步骤之后,需要在低温下使用稀释的化学品进行物理预清洗工艺,以减少颗粒数量。盛美上海的Post-CMP清洗设备能够满足这些要求,并提供多种配置,包括盛美上海独创的 Smart MegasonixTM先进清洗技术。
 
第一种配置是新型WIDO在线预清洗设备,它可以直接与现有的CMP设备对接。晶圆自动转移到两个刷洗腔体中,使用化学和冷去离子水(CDIW)同时对晶圆正面、背面和斜面边缘进行处理。然后将晶圆转移至两个或四个清洗腔体,并使用多种化学品和 CDIW 进行处理。这一过程通过氮气(N2)干燥和高速旋转完成,可实现37纳米以下少于15个剩余颗粒的处理,或28纳米以下20-25个剩余颗粒的处理,同时金属污染可控制在1E+8(原子/平方厘米)以内。当配置4个腔体的时候,WIDO预清洗设备可提供高达每小时35片晶圆的产能。
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第二种配置是新型DIDO预清洗独立设备,它配有四个装载端口,比WIDO预清洗设备占地面积更小,适用于CMP产线具有内置清洗腔的客户,从而保持取出的晶圆干燥良好。在这种配置下,晶圆通过装载端口手动转移到预清洗设备中,然后进行与WIDO预清洗设备中相同的处理。DIDO预清洗设备有四腔或六腔配置,分别为两个软刷和两个清洗腔体或两个软刷和四个清洗腔体。DIDO预清洗设备可实现与WIDO预清洗设备相同的金属污染清洗效果。并且在使用配置六腔体设备时,产能可达到每小时60片晶圆。
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第三种可用配置是WIDO离线预清洗设备,适用于晶圆厂占地面积较小的情况。使用该设备时,从CMP设备中出来后的湿晶圆需转移到DIW中,并手动转移至WIDO离线预清洗设备中,使用相同清洗工艺,可实现相同的颗粒清洗性能,产能可达每小时60片晶圆。

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