新洁能拟增资8000万元控股国硅,加强功率IC/功率模块布局

日期:2022-06-29 阅读:498
核心提示:日前,新洁能发布公告表示,拟以自有资金8000万元人民币对国硅集成电路技术(无锡)有限公司进行增资,注册资本由315.7895万元增加至631.579万元,增资后公司持股比例由5%增至52.5%。
半导体产业网获悉,日前,新洁能发布公告表示,根据公司发展战略规划及实际发展经营的需要,拟以自有资金8000万元人民币对国硅集成电路技术(无锡)有限公司进行增资,注册资本由315.7895万元增加至631.579万元,增资后公司持股比例由5%增至52.5%。本次增资以收益法评估结果作为定价依据,评估基准日为2022年3月31日,增资后国硅集成电路技术(无锡)有限公司纳入公司2022年度合并财务报表范围。
 
公告显示,国硅集成电路技术(无锡)有限公司是一家专注于车规级智能功率集成电路芯片的设计公司,拥有完整的自主研发体系并掌握多项国内领先的关键核心技术,国内首创四端口单片集成高压自举、自适应高压侧窄脉冲传输、增强型快速电平移位、互导型电容隔离信号传输、超高精度的片上集成双向过流保护等多项功率IC芯片核心技术,已形成系列智能功率集成电路芯片,包括:栅极驱动控制IC芯片(含IGBT、硅基MOSFET及三代半导体等开关器件的栅极驱动芯片)、电机驱动IC芯片(含半桥、H桥、三相桥);智能功率IC开关(SmartMOS)和功率驱动控制IC芯片及模块(DrMOS、IPM等)系列产品在积极研发中。产品应用市场已涵盖汽车电子、光伏及储能、数据中心和工业控制等领域。目前,国硅的智能功率集成电路芯片已经在光伏逆变、光伏储能、汽车电子和工业控制等市场成功上量。
 
新洁能表示,公司本次对国硅进行增资并实现控股,构建了集成电路领域发力平台,不仅新增了IC系列产品本身,还能与公司既有IGBT、SiC MOSFET、GaN HEMT、SGT MOSFET、超结MOSFET等芯片集成创新,形成智能功率集成产品。在保持公司既有产品技术持续创新、领先的同时,又拓展了智能化、集成化的产品系列,提高了公司产品的整体领先性与综合技术门槛,增强了公司的核心竞争力,进一步满足高端客户的创新需求,为终端客户提供包含IGBT、SiC MOSFET、GaN HEMT、SGT MOSFET、超结MOSFET、智能功率IC芯片、智能功率模块等功率半导体芯片的整体解决方案,向打造国内功率半导体第一品牌的目标又前进了一大步。 
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