据资策会 MIC 预估，今年全球电动车规模可到 922.1 万辆，年增逾 48%，但关键第三代半导体碳化硅与氮化镓 (GaN) 供应持续吃紧，交期42 周以上。随着电动车带动 SiC 功率半导体元件与模块需求，预估 2025 年，全球 20% 电动车将导入 SiC 功率元件与模块。
碳化硅产业目前由 IDM 厂独霸一方，其中美国的 Wolfspeed 居领导地位，在 SiC 基板、磊晶等材料及晶圆制造领域，市占率均超过 6 成，日本有罗姆半导体、欧洲则有意法半导体与英飞凌；且从上游材料长晶到加工制程等设备，IDM 厂均是自行开发，跨足设备制造、基板及磊晶、设计与晶圆制造等产业链各环节。
由于碳化硅基板不仅占功率元件成本比重高，且为关乎产品质量的最大关键，以 SiC MOSFET 元件来说，光是 SiC 晶圆本身，就已决定 60% 的 SiC MOSFET 元件成败，长晶也因此成为攸关厂商产品竞争力的关键制程环节。
为加速推进碳化硅业务发展，环球晶 (6488-TW) 也宣布将自行研发碳化硅长晶炉，研发 6 吋及 8 吋共享长晶炉，目前已有原型机台，预估仍须 2 年时间开发，届时可望加速推进碳化硅晶圆生产动能。
由于近来 6 吋以下晶圆需求较弱，许多 IDM 厂相继将硅基半导体相关产能，转至 6 吋碳化硅，加上 Wolfspeed、罗姆半导体、意法半导体等大厂积极扩产，随着相关产能陆续到位，明年中旬后，碳化硅市场供给可望增加许多。（来源：钜亨网）
