近日，第七届国际第三代半导体论坛暨第十八届中国国际半导体照明论坛（IFWS & SSLCHINA 2021）在深圳会展中心举行。本届论坛由第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）、国家半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）联合主办，北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司与半导体产业网共同承办。
半导体是电子信息产业的基石，是国家命脉产业。物联网、新能源、新基建等新兴战略产业严重依赖半导体产业。半导体材料制备则是半导体制造过程中的关键环节。第三代半导体材料是新一代信息技术核心竞争力的重要支撑。期间，”碳化硅衬底与外延“论坛上，哈尔滨工业大学化工与化学学院教授, 哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司董事长赵丽丽做了题为“低成本碳化硅单晶材料产业化技术研究”的主题报告，分享了最新研究成果。
碳化硅晶体材料制备涉及设备、技术、质量、成本等多方面的问题与挑战。晶体材料制备还面临一些问题。比如晶体材料制备条件极为苛刻，对设备要求极高，缺乏设计，制造能力的积累。晶体生长需要高温，甚至达2300℃，无法实现有效、直观检测，难以优化反馈。成本高昂，生长周期长，传统’试错式”，“暗箱式”技术改进成本高，耗时长，效率低。属新兴战略行业、材料、装备和技术受发达国家禁运管控，国外大厂垄断。
报告指出，面向半导体晶体材料制备及高端设备自主研制的迫切需求，研究了应用全过程、全动态的数值模拟，可视化复杂反应，多相工艺过程。建立模型、精准揭示晶体生长参数、设备环境，工艺过程之间相互作用。解析PVT法晶体材料的制备过程，解决碳化硅、氮化铝等材料制备效率，界面调控等难题。报告还具体介绍了缺陷控制解决办法、成本控制等内容。
（内容根据现场资料整理，如有出入敬请谅解）
