IFWS& SSLCHINA 2021前瞻:碳化硅衬底与外延论坛最新日程出炉

日期:2021-11-29 来源:半导体产业网阅读:320
核心提示:“IFWS& SSLCHINA 2021:材料与装备论坛(碳化硅衬底与外延专场)“将于12月7日举行,
碳化硅衬底与外延
2021年12月6-8日,以“创芯生态 碳索未来”为主题的第七届国际第三代半导体论坛暨第十八届中国国际半导体照明论坛(IFWS & SSLCHINA 2021)在深圳会展中心举行。本届论坛由第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)、国家半导体照明工程研发及产业联盟(CSA)联合主办,北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司与半导体产业网共同承办。
 
期间,“IFWS& SSLCHINA 2021:材料与装备论坛(碳化硅衬底与外延专场)"将于12月7日举行,广州南砂晶圆半导体技术有限公司、山西烁科晶体有限公司、哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司协办,特别邀请GT Advanced Technologies首席技术官P.S.Raghavan,山东大学教授,广州南砂晶圆半导体技术有限公司副总经理陈秀芳,山西烁科晶体有限公司总经理、中电科半导体材料有限公司副总经理李斌,中国科学院物理所研究员王刚,哈尔滨工业大学化工与化学学院教授、哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司董事长赵丽丽,中电科十三所基础研究部质量部主管李佳等代表性先进研究力量,分享碳化硅衬底与外延技术的最新进展。山东大学教授徐现刚与中国电子科技集团第二研究所所长唐景庭将共同主持本次论坛。
 
作为一年一度的行业盛会,论坛及同期活动将全面呈现第三代半导体产业动向及技术趋势,为除了开幕大会、本届论坛设有功率电子器件与应用论坛、射频电子器件与应用论坛、半导体照明与应用论坛、Mini/Micro-LED及其他新型显示论坛、超越照明论坛、材料与装备论坛、固态紫外器件与应用论坛、车用半导体创新合作峰会、第三代半导体产教融合发展论坛、电力电子标准与检测研讨会等超30场次论坛活动。聚焦第三代半导体功率电子技术、光电子技术、射频电子技术的国内外前沿进展;第三代半导体功率电子技术、光电子技术、射频电子技术的产业发展战略与机遇;第三代半导体材料相关技术与新一代信息技术、新能源汽车、新一代通用电源、高端装备等产业的相互促进与深度融合;产业链、供应链多元化与核心技术攻关等。也欢迎业界同仁参与其中,对接资源,洽谈商机,共商产业发展大计。

部分嘉宾简介:
P.S.Raghavan
P.S.Raghavan,GT Advanced Technologies首席技术官。Raghavan 博士在晶体生长仪器、半导体(硅、碳化硅、III-V 和 II-VI)材料的晶体生长、氧化物(Al2O3、LiNbO3)、NLO 材料、闪烁检测材料方面拥有超过 33 年的工业和学术经验以及先进的电子和光子设备。他在开发技术和资本设备方面拥有数十年的经验,已成功将行业领先的硅、蓝宝石、碳化硅和氮化镓晶体生长炉商业化,用于太阳能、LED、消费电子和电力电子制造行业。
 
在2002年加入GT之前,他参与晶体生长研究,并担任台湾新竹NTHU电机工程系客座教授、安娜大学晶体生长中心助理教授和阿拉加帕大学Reader和 Head Instrumentation,印度。Raghavan博士拥有物理学硕士学位、物理学哲学硕士学位和物理学博士学位。在III-V族化合物的晶体生长中。他曾在全球国际知名实验室担任博士后研究员,在国际期刊上发表了60篇研究论文,拥有8项专利。
陈秀芳
陈秀芳,山东大学教授,主要从事宽带隙碳化硅等半导体材料、石墨烯二维材料及相关器件、超硬材料加工及纳米材料的研究。在该领域中,取得一系列重要应用型科研成果,先后主持承担了重大专项、973计划、预研项目、国家重点研发计划、科技部“863”计划、山东省自主创新重大专项等20余项国家及省部级项目。在国内外学术刊物上发表论文30余篇,申请和获得授权发明专利20余项。获得2013年度“山东省技术发明一等奖”。
李斌
李斌 山西烁科晶体有限公司总经理、中电科半导体材料有限公司副总经理
王刚
王刚  中国科学院物理所研究员,2009年1月加入中国科学院物理研究所,2016年7月-2017年7月在美国埃姆斯实验室访问,现任中国科学院物理研究所研究员、博士生导师。国家优秀青年科学基金获得者,荣获卢嘉锡青年人才奖和中国硅酸盐学会青年科技奖等奖项。无机电磁功能材料探索、晶体生长与物性
赵丽丽
赵丽丽 哈尔滨工业大学化工与化学学院教授, 哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司董事长
最新日程如下:

F3-材料与装备论坛(碳化硅衬底与外延)

时间:2021年127

地点:深圳会展中心• 五层玫瑰厅3

Time: Dec 7th,2021 Afternoon

Location: Shenzhen Convention and Exhibition Center • 5th Rose Hall 3

屏幕尺寸 / Slides Size:

主持人

Moderator

徐现刚-山东大学教授

9:00-9:25

用于电力电子的 150 毫米和 200 毫米直径高产 4H 碳化硅的缺陷表征和晶体生长Defect characterization and crystal growth of 150 mm and 200 mm diameter high yielding 4H SiC for power electronic applications

P.S.Raghavan--GT Advanced Technologies首席技术官

P.S.Raghavan--CTO of GT Advanced Technologies

9:25-9:45

SiC单晶材料生长及缺陷控制机制SiC single crystal material growth and defect control mechanism

陈秀芳--山东大学教授,广州南砂晶圆半导体技术有限公司副总经理

CHEN Xiufang—Professor of Shandong University, Deputy General Manager of Guangzhou Summit Crystal Semiconductor Co., Ltd.

9:45-10:05

化合物半导体材料发展展望Prospects for the development of compound semiconductor materials

李斌--山西烁科晶体有限公司总经理、中电科半导体材料有限公司副总经理

Li Bin--General Manager of Shanxi Shuoke Crystal Co., Ltd., Deputy General Manager of CEC Semiconductor Materials Co., Ltd.

10:05-10:25

碳化硅单晶衬底与外延进展及产业化Progress and industrialization of silicon carbide substrate and epitaxy

王刚  中国科学院物理所研究员

Wang Gang  Professor,Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences

10:25-10:40

    茶歇/Coffee break

10:40-11:00

低成本碳化硅单晶材料产业化技术研究Research on Industrialization Technology of Low-cost Silicon Carbide Single Crystal Materials

赵丽丽 哈尔滨工业大学化工与化学学院教授, 哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司董事长

Zhao Lili  Professor, School of Chemical Engineering and Chemistry, Harbin Institute of Technology

11:00-11:20

SiC同质外延缺陷研究Research on SiC Homoepitaxial Defects   

李 佳    中电科十三所基础研究部质量部主管

Li Jia   Head of Quality Department, Basic Research Department, 13th Research Institute of CLP

 

Panel Discussion:

对话议题(拟定)

1  六英寸半绝缘型碳化硅衬底可靠性问题,量产时间

2  功率器件导电型衬底国产化的挑战及市场机会

3  衬底研磨抛及清洗设备对碳化硅衬底成本的影响及需求

4,外延设备国产化的时间

5,单晶炉品牌化的可能性

主持人: 于坤山- 第三代半导体产业技术创新战略联盟秘书长

对话嘉宾(拟定):

王垚浩——广州南砂晶圆半导体技术有限公司董事长

李  斌——山西烁科晶体有限公司总经理

赵丽丽——哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司董事长

巩小亮——中国电子科技集团公司第四十八研究所 半导体装备研究部副主任

张永熙——上海瞻芯电子科技有限公司董事长

徐现刚——山东大学教授

王  刚—— 中国科学院物理所研究员

 备注:日程或有微调,皆以现场为准。

附件:论坛资料
第七届国际第三代半导体论坛
暨第十八届中国国际半导体照明论坛
The 7th International Forum on Wide Bandgap Semiconductors
&The 18th China International Forum onSolid State Lighting
 
IFWS & SSLCHINA 2021
 
国际第三代半导体论坛(IFWS)是第三代半导体产业在中国地区的年度盛会,是前瞻性、全球性、高层次的综合性论坛。会议以促进第三代半导体与电力电子技术、移动通信技术、紫外探测技术和应用的国际交流与合作,引领第三代半导体新兴产业的发展方向为活动宗旨,全面覆盖行业基础研究、衬底外延工艺、电力电子器件、电路与模块、下游应用的创新发展,联结产、学、研、用,提供全球范围的全产业链合作平台。在过去的六年时间里,IFWS延请宽禁带半导体领域国际顶级学术权威分享最前沿技术动态,已发展成具有业界影响力的综合性专业论坛。
 
中国国际半导体照明论坛(SSLCHINA)是半导体照明领域最具规模、参与度最高、口碑最好的全球性专业论坛。论坛以促进半导体照明技术和应用的国际交流与合作,引领半导体照明产业的发展方向为活动宗旨,全面覆盖行业工艺装备、原材料,技术、产品与应用的创新发展,提供全球范围的全产业链合作平台,致力于拓展业界所关注的目标市场,以专业精神恒久缔造企业的商业价值。在过去的十七年里,SSLCHINA邀请了包括诺贝尔奖得主在内的全球最顶级专家阵容,呈现了超过1800个专业报告,累计参会代表覆盖全球70多个国家逾26500人次。
 
国际第三代半导体论坛与中国国际半导体照明论坛同时同地举办,同台汇力,相映生辉,放眼LED+和先进电子材料更广阔的未来。
 
论坛长期与IEEE合作。投稿的录取论文会被遴选在IEEE Xplore 电子图书馆发表,IEEE是EI检索系统的合作数据库。目前,论坛同期论文已开启征集,论坛长期与IEEE合作。投稿的录取论文会被遴选在IEEE Xplore 电子图书馆发表,IEEE是EI检索系统的合作数据库。

2021先进半导体技术应用创新展(CASTAS 2021)也同时招展中,欢迎业界人士的参与其中,对接资源,洽谈商机,共商产业发展大计。
 
据了解,目前论坛组织工作正有序开展中,以下为会议最新信息:
 
论坛信息
会议时间:2021年12月6-8日
会议地点:深圳会展中心(福田区)
会议住宿:深圳·大中华希尔顿酒店
论坛主题:创芯生态  碳索未来
 
主办单位
国家半导体照明工程研发及产业联盟(CSA)
第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)
 
论文重要期限及提交方式
 口头报告演示文件(PPT或PDF)与POSTER电子版提交截止日:2021年11月28日
备注:目前已经进入专家审稿程序,在全文提交截止前仍可继续投稿,欢迎大家直接投全文!
IFWS & SSLCHINA 2021会议日程
大会整体日程图12月
备注:总体日程概览或有微调,以现场为准。
注册费用权益表
1124权益表

备注:

*国家半导体照明工程研发及产业联盟(CSA)或第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)成员单位在此基础上再享受10%优惠。

*学生参会需提交相关证件。

*会议现场报到注册不享受各种优惠政策。

*若由于某些原因,您缴费后无法参会,可办理退款事宜,组委会将扣除已缴费金额的40%作为退款手续费。

*SSL相关会议包含:开幕大会、半导体照明与应用论坛、Mini/Micro-LED及其他新型显示论坛、超越照明论坛、固态紫外器件与应用论坛、材料与装备论坛、车用半导体创新合作峰会、第三代半导体产教融合发展论坛、生物农业光照技术研讨会、闭幕仪式。

*IFWS相关会议包含:开幕大会、功率电子器件与应用论坛、射频电子器件与应用论坛、材料与装备论坛、固态紫外器件与应用论坛、车用半导体创新合作峰会、第三代半导体产教融合发展论坛、第三代半导体标准与检测研讨会、闭幕仪式。

*产业峰会包含:车用半导体创新合作峰会、第三代半导体产教融合发展论坛,以及部分论坛中的产业单元(包括照明设计与文旅灯光、智慧照明与智慧城市、汽车照明与车用灯具、紫外器件应用、Mini/Micro-LED应用与产业、新一代电源应用技术、能源互联网应用技术等会议单元)。

*餐饮包含:126日午餐、6日欢迎晚宴(大中华希尔顿酒店)、7日午餐+晚餐

报名优惠期
即日起至2021年12月3日之前,完成注册缴费即可享受折扣票(详见上图),国家半导体照明工程研发及产业联盟(CSA)或第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)成员单位在此基础上再享受10%优惠。学生参会需提交相关证件。会议现场报到注册不享受各种优惠政策。
 
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电话:010-82387600-602
邮箱:papersubmission@china-led.net
 
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