被视作前沿产业的第三代半导体，近年来投资热度持续升温，俨然成为业界、资本界和各地政府宠儿。
与此同时，海内外龙头企业也即将迎来资本市场的检验。9月初，国内领先的第三代半导体材料商山东天岳（天岳先进）首发过会，不久将正式登陆科创板；大洋彼岸，全球领头羊Cree（已更名为Wolfspeed）则从纳斯达克交易所转场，于10月4日登陆纽交所。
多位业内人士和分析人士向财联社记者表示，受益于电动汽车等下游市场的可观需求，第三代半导体产业已处于爆发前夜。
物理性能适配电动汽车 SiC器件未来5年CAGR近4成
第三代半导体，指的是以SiC（碳化硅）和GaN（氮化镓）为代表的宽禁带化合物半导体。和Si（硅）相比，SiC和GaN在禁带宽度、热导率等物理特性上具备明显优势，故而更适用于高压、高温和高频场景，主要在新能源汽车、光伏、5G基站和快充等领域发挥所长。
目前主要的第三代半导体器件包括应用于射频领域的GaN器件、应用于电力电子功率领域的SiC器件及GaN-on-Si器件等，其中又以SiC功率器件的未来空间最广。
TrendForce集邦咨询分析师告诉记者，2020年SiC功率器件的市场规模约6.8亿美元，预计2025年将达到33.9亿美元，年复合增长率为38%。
在下游市场方面，SiC功率器件最主要的增长驱动力来自新能源汽车，占比在6成左右。车上应用包括主区逆变器、车载充电器（OBC）和直流变压器（DC-DC）等。对于电动汽车而言，SiC器件的吸引力不小：与硅基IGBT相比，采用SiC的逆变器重量更轻、电池的续航能力更强、充电效率更高，与电动汽车追求轻量化和长续航十分契合。
业界自然颇为关注SiC的“上车”进展。2018年，特斯拉率先在Model 3中采用全SiC逆变器，就引发了不小轰动；国内方面，去年比亚迪也将SiC MOSFET首次用在了在“汉”系列上；今年以来，包括蔚来、江淮、吉利等越来越多的车厂相继宣布采用SiC器件。功率器件商英飞凌于近日表示，目前已有超过20家整车厂和Tier1的客户正在验证其SiC产品。
一组以特斯拉为例的计算可以直观说明潜在的供需缺口：据估计，每两辆特斯拉Model 3就需要一片6英寸的SiC晶圆，按照100万辆的产能计算，每年需要50万片SiC晶圆片。而2020年全球6英寸SiC晶圆产量约为40-60万片，意味着仅特斯拉一家车企就能吃下全球现有的全部产能。
这也给了产业链龙头，尤其是材料商们大步扩产的动力：占据最多份额的Cree在2019年宣布五年内投资10亿美元，以便在2024年将产能提升30倍，8英寸SiC衬底也将在2022年量产；II-VI则表示将把6英寸SiC衬底的产能提升5至10倍，其中也包括量产8英寸衬底；此外，罗姆、昭和电工等也都接连公开大幅扩产的计划。
经历过此轮缺芯潮带来的停产之痛，许多车厂亦开始提前布局，与上游密切绑定，成为第三代半导体产业链发展的重要推手。
材料供给已现短缺 器件价格制约需求增长 衬底成降本关键
下游需求仍在逐步打开，而上游材料的供应已经吃紧。前述分析师向记者表示，目前第三代半导体的供应链关键点落在了SiC衬底以及GaN外延片上。
“SiC衬底作为整个第三代半导体产业的核心环节，其制程难度高、放量生产困难，主要被海外几大厂商掌握，使得市场供应量有所不足；而GaN外延片的批量供应则主要被台积电等几大代工厂掌握，现阶段消费快充市场需求持续处于高位，使得头部GaN功率设计厂商已经占据绝大部分产能，其他厂商很难再拿到产能，而新进的代工厂要达到‘成熟’的工艺能力，必须经过一定的时间周期，所以供需形势同样不容乐观。”该分析师指出。
头部材料商们近来频频签下供货长单，未来产能被客户提前锁定。如全球最大的SiC外延片供应商昭和电工，今年以来先后获得来自英飞凌、罗姆和东芝的长约。Cree也早与英飞凌、意法半导体、安森美等中游企业签订长期供货协议。
某国内SiC功率器件设计公司的CEO告诉记者，目前Cree等海外龙头的晶圆片已经很难买到，“现在美国的大厂，只针对几个大客户给长年限的合同。小客户去买，要么没货，要么交期很长。不过这对国内上游材料企业来说，也是一个很好的机会。”
而具有军用属性的半绝缘型SiC衬底（用于制成GaN射频器件）更是遭遇来自美国等《瓦森纳协定》成员国的禁运。贸易管控背景叠加国内5G建设高峰，使得刚过会的山东天岳在2020年迎来营收倍增，在半绝缘领域的全球市占率也从2019年的18%大幅提升至30%。
供不应求的另一面，是SiC仍有较大的降本空间。有产业链人士向记者表示，材料工艺进步带来的良率提升，就有望让SiC价格下降1/3，而长远看，未来成本削减的上限或为当前价格的一半。
“SiC取代硅基IGBT的技术路线，特斯拉和比亚迪已经给大家探过路了，肯定没问题。现在核心的矛盾是价格，真正愿意去用SiC器件的，还只是一部分车型。”《化合物半导体》中文版主编陆敏博士告诉记者，当下SiC材料的价格大约是硅的60、70倍，制成的SiC SBD器件价格约是硅基器件的2-5倍，而SiC MOSFET器件大概在5-8倍。
“SiC价格基本上每年以10%-15%的幅度在降，但目前单晶衬底主流的制备方法PVT（物理气相传输法）存在技术瓶颈，长期看成本减半即是上限，还是会比硅器件贵很多，”陆敏认为，在有新的颠覆性制备工艺商业化应用之前，SiC器件的增长极限是与硅基器件平分汽车市场。
产业界则流传另一套算法：虽然在一辆车上采用SiC意味着增加200-300美元，但整车成本可以节省更多——包括600美元的电池成本、600美元的汽车空间成本以及1000美元散热系统成本。
前述器件设计公司CEO也认为，单个器件对比而言，SiC没有价格优势，但从整个系统应用角度去考虑，SiC的效益显然更佳。不过，他同时承认，“厂家从自身利益出发，现在还没到全系统替换的时候，因而SiC的功效还不能完全发挥。”
尽管对“贵”的标尺不统一，但削减成本、进而释放下游需求，已成产业链共识。据了解，目前上游材料成本占到器件成品的75%，其中衬底约占50%，外延约25%。
有业内人士向记者表示，和衬底相比，外延技术难度并不大，而一些器件IDM商也正在向上游外延环节延伸，以达到削减成本的目的。因此真正的降本痛点落于衬底环节，这也是整个第三代半导体产业链上价值量最大、技术壁垒最高、国内与国际水平差距最大的一环。
国内衬底项目遍地开花 业内人士：多数难实现产业化
与传统硅基IC的晶圆制造相比，第三代半导体投资周期短，固定资产投资相对较弱，更依赖于工艺和人，已吸引大量资本的涌入，相关项目呈遍地开花局势。
据中国电子材料行业协会统计，目前国内光是SiC衬底在建和已建成的项目就不下于30个，其中不乏三安光电、露笑科技等上市公司身影。项目总规划投资额超过300亿元人民币，预计规划产能超200万片/年。
不过，中电科第四十六研究所首席专家王英民博士表示，目前国内SiC衬底已实现产业化的仅有山西烁科、山东天岳、天科合达、河北同光4家公司，2020年国内产量为11万片左右。多位受访人士认为，国内在衬底环节起步时间晚、技术和人才储备弱，而大多跟风新进的参与者对材料性质不熟，产业化前景并不乐观。
