闻泰科技:加强在中高压Mosfet、化合物半导体产品SiC和GaN产品、以及模拟类产品的研发投入

日期:2021-09-14 阅读:304
核心提示:2021年上半年,公司半导体业务研发投入3.93亿元(全年规划9.4亿元),进一步加强了在中高压Mosfet、化合物半导体产品SiC和GaN产品、以及模拟类产品的研发投入。
闻泰科技(600745.SH)9月13日在投资者互动平台表示,2021年上半年,公司半导体业务研发投入3.93亿元(全年规划9.4亿元),进一步加强了在中高压Mosfet、化合物半导体产品SiC和GaN产品、以及模拟类产品的研发投入。在化合物半导体产品方面,目前氮化镓已推出硅基氮化镓功率器件(GaN FET),已通过AEQC认证测试并实现量产,碳化硅技术研发也进展顺利,碳化硅二极管产品已经出样。

2021年,预计全年规划资本性支出18.4亿元,主要扩大产能和研发相关的设备投入。公司在德国汉堡晶圆厂的新增8寸晶圆产线已顺利投产运营。安世集团已完成对英国Newport晶圆厂100%股权的收购,并已将其运营纳入管理体系。Newport晶圆厂在车规级IGBT、功率MOSFET、模拟芯片和化合物半导体等领域的产能和工艺能力,与安世集团现有的产品与工艺能力的融合,将有助于推动公司抓住电动汽车时代和AIoT时代带来的双重机遇。

同时,2021年以来,公司控股股东闻天下投资的上海临港12寸车规级晶圆项目也已经全面开工建设,未来将成为支撑公司半导体产能扩充的重要来源。2020年10月,公司曾发布公告说明,由于该项目投资金额大、建设周期长,且存在较大的不确定性,为避免上市公司投资风险,最大限度保护上市公司及全体股东特别是中小股东利益,经过审慎判断,由公司的控股股东先行投资建设,上市公司有权择机通过受让项目公司股权方式收购该项目。
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