【CASICON 2021】云南锗业公司首席科学家惠峰:VCSEL用六英寸超低位错密度砷化镓单晶片研制及应用

日期:2021-09-14 来源:半导体产业网阅读:703
核心提示:报告针对6英寸垂直腔面发射激光器用砷化镓单晶产业发展存在的关键技术难题,重点进行单晶炉设计制造及单晶生长热场设计、单晶生长工艺和开盒即用砷化镓晶片加工工艺等核心技术研究开发。
9月13-14日,“2021中国(南京)功率与射频半导体技术市场应用峰会(CASICON 2021)”在南京召开。会议围绕碳化硅、氮化镓、砷化镓、氧化镓、金刚石等材料在电力电子、5G射频领域的技术进展与创新应用,助推相关领域市场产品国产化替代。本届峰会由半导体产业网、第三代半导体产业主办,并得到了南京大学、第三代半导体产业技术创新战略联盟的指导。
惠峰
会上,云南锗业公司首席科学家/中科院半导体所研究员惠峰带来了题为“VCSEL用六英寸超低位错密度砷化镓单晶片研制及应用”的主题报告,报告针对6英寸垂直腔面发射激光器用砷化镓单晶产业发展存在的关键技术难题,重点进行单晶炉设计制造及单晶生长热场设计、单晶生长工艺和开盒即用砷化镓晶片加工工艺等核心技术研究开发。建成年产10万片6英寸垂直腔面发射激光器用砷化镓单晶材料产业化生产线,实现国产化替代和核心技术自主可控。
 
嘉宾简介
惠峰一直从事国防军工器件和电路需要的高质量砷化镓、磷化铟及锗单晶研发工作。做为重大项目负责人,带领课题组先后完成了国家重点科技攻关、国家八六三计划重大项目,北京市重大科技项目、国家科技支撑计划项目、云南省重大科技计划等40多项科研和产业化任务,多次获得中科院科技进步二、三等奖。在云南建成了国际先进的锗单晶、砷化镓单晶、磷化铟单晶等光电半导体新材料研发平台和产业化基地,打破国外核心技术封锁,实现高端半导体晶片国产化替代。
 
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