厦门大学电子科学与技术学院副院张保平将出席2021中国(南京)功率与射频半导体技术市场应用峰会

日期:2021-09-09     来源:半导体产业网    
核心提示:GaN基VCSEL目前关键技术难点主要在于高反射率布拉格反射镜(DBR)的外延生长、器件内部横向光场调控、高效电流注入、以及器件散热等。报告将着重介绍在蓝光、绿光、以及紫外VCSEL中取得的最新研究进展、谐振腔内光场及损耗的调控、以及改善器件散热性能的有效方法。
会议宣传图
GaN基垂直腔面发射激光器(VCSEL)由于在微显示、固态照明、高密度光存储、高分辨率打印以及生物传感等方面有着广泛的应用前景,吸引了众多研究者的注意。相比于边发射激光器,VCSEL具有阈值低、发散角小、调制速率高、以及输出光束呈圆对称等优点,且可制备成高密度二维器件阵列。在近20年中,GaN基VCSEL相关研究取得快速进展, 已成为下一代半导体激光器的研究热点,多家大型企业如日亚、索尼、松下、斯坦雷电器等都已开始相关布局。目前,发光波长覆盖从紫光至绿光波段的GaN基VCSEL均已实现电注入激射,蓝光波段器件性能已接近实用化水平。在紫外方面,UVC-UVA波段的GaN基VCSEL也已实现光泵浦激射。
 
2021年9月13-14日,由南京大学、第三代半导体产业技术创新战略联盟指导,半导体产业网、第三代半导体产业主办的“2021中国(南京)功率与射频半导体技术市场应用峰会(CASICON 2021)”将在南京城市名人酒店召开。会议围绕碳化硅、氮化镓、砷化镓、氧化镓、金刚石等材料在电力电子、5G射频领域的技术进展与创新应用,助推相关领域市场产品国产化替代。
 
届时,厦门大学电子科学与技术学院副院长、教授张保平将受邀出席峰会,并分享题为“GaN基VCSEL技术进展”的主题报告。GaN基VCSEL目前关键技术难点主要在于高反射率布拉格反射镜(DBR)的外延生长、器件内部横向光场调控、高效电流注入、以及器件散热等。报告将着重介绍在蓝光、绿光、以及紫外VCSEL中取得的最新研究进展、谐振腔内光场及损耗的调控、以及改善器件散热性能的有效方法。
 
欲知详细最新研究进展与数据成果,敬请关注峰会,也欢迎相关领域专家、学者、行业企事业单位参会交流,共商合作事宜。
 
【嘉宾简介】
张保平
张保平,现任电子科学与技术学院(国家示范性微电子学院)副院长。1994-2005年在日本理化学研究所和夏普公司进行半导体材料的外延生长、检测与器件研制。2006年加入厦门大学,任闽江学者特聘教授至今,主持国家863项目,国家重点研发计划,基金委重点和面上项目,科工局基础科学挑战专题等。目前主要进行第三代半导体GaN材料与器件研究,特别是实现了电泵蓝绿光VCSEL,光泵深紫外VCSEL激射,以及蓝紫光InGaN量子阱的激子极化激元发光和激射。入选爱思唯尔(Elsevier)社发布的2014~2019年中国高被引学者榜单。
 
更多会议资料请往下查看:

【组织机构】
 
指导单位
南京大学
第三代半导体产业技术创新战略联盟
 
主办单位
半导体产业网
第三代半导体产业 公号
 
承办单位
北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司

赞助支持单位 
蓝雨软件技术开发(上海)有限公司
爱发科商贸(上海)有限公司
宁波恒普真空技术有限公司
苏州晶湛半导体有限公司
青岛聚能创芯微电子有限公司
德仪国际贸易(上海)有限公司
大族激光显示与半导体装备事业部
上海翱晶半导体科技有限公司
上海智湖信息技术有限公司
芜湖启迪半导体有限公司
湖南国芯半导体科技有限公司
赞助企业LOGO图
 
【时间地点】
 时间:2021年9月13-14日
地点:南京·城市名人酒店(江苏省南京市鼓楼区中山北路30号)

【会议安排】
【报告嘉宾&主题报告】

1、9月13日报告(陆续更新中)
报告嘉宾:于坤山 第三代半导体产业技术创新战略联盟秘书长
主题报告:中国功率与射频技术市场现状及未来展望

报告嘉宾:
陈堂胜--中国电科首席科学家/微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室主任
主题报告:低温键合金刚石GaN HEMT微波功率器件

报告嘉宾:陈敦军--南京大学电子科学与工程学院副院长、教授   
主题报告:GaN功率开关器件及其高频电源应用
 
报告嘉宾:刘斯扬--东南大学教授
主题报告:SiC功率MOSFET器件可靠性研究进展

报告嘉宾:
龙世兵--中国科学技术大学微电子学院执行院长
主题报告:低成本高性能氧化镓功率器件

报告嘉宾:Dr Simon Li--Founding director, Crosslight Software Inc and GaNPower Intl. Inc
主题报告:Pushing GaN power devices to the limit - A material and TCAD perspective

报告嘉宾:戴小平-湖南国芯科技总经理
主题报告浅析SiC模块封装技术

报告嘉宾:Yuhao Zhang  美国弗吉尼亚理工大学电力电子系统中心助理研究员
主题报告1.2-10 kV GaN Power Devices Exceeding SiC Limit  

报告嘉宾:龚平--西安唐晶量子科技有限公司董事长
主题报告6 inch GaAs 基 VCSEL 和 射频外延技术

报告嘉宾:纽应喜--启迪半导体研发总监
主题报告碳化硅外延装备及技术进展

报告嘉宾:张 云--天津大学电气自动化与信息工程学院教授
主题报告新能源汽车电力电子系统及其运行控制
 
2、9月14日报告(陆续更新中)

报告嘉宾:
程新红--中科院上海微系统研究所研究员
主题报告SOI基GaN材料及功率器件集成技术

报告嘉宾:邓小川--电子科技大学教授
主题报告极端应力下碳化硅功率MOSFET的动态可靠性研究

报告嘉宾:惠  峰--云南锗业公司首席科学家/中科院半导体所研究员
主题报告VCSEL用六英寸超低位错密度砷化镓单晶片研制及应用

报告嘉宾:陈 鹏--南京大学教授
主题报告GaN肖特基功率器件新进展

报告嘉宾:Yuhao Zhang 美国弗吉尼亚理工大学电力电子系统中心助理教授
主题报告Packaging Enabled Thermal Management of Ga2O3 Devices

报告嘉宾:倪炜江--安徽芯塔电子科技有限公司 总经理
主题报告高性能高压碳化硅功率器件设计与技术

报告嘉宾:李 强--西安交通大学副教授
主题报告基于HBN 的射频器件

报告嘉宾:吴 彤--安森美首席SiC 专家
主题报告Adopt of SiC devices in EV applications

报告嘉宾:吴 亮--奥趋光电CEO
主题报告AlN/AlScN材料制备技术及其在5GRFFE滤波及功率器件等领域应用前景展望

报告嘉宾:张保平--厦门大学电子科学与技术学院 副院长、教授
主题报告氮化镓基VCSEL技术进展

报告嘉宾:蔚 翠--中电科第十三研究所研究员
主题报告金刚石微波功率器件研究

报告嘉宾:左  超--爱发科商贸(上海)有限公司电子营业部部长
主题报告量产高性能功率与射频器件的ULVAC装备技术

报告嘉宾:裴轶/Amgad Alsman--苏州能讯高能半导体有限公司技术副总裁/中国科学技术大学
主题报告:基于物理的5G射频GaN 晶体管模型、趋势和挑战

报告嘉宾:王祁玉--益丰电子副总经理
主题报告射频器件(TBD)

报告嘉宾:袁 理--青岛聚能创芯微电子有限公司
主题报告面向快充应用的GaN材料和器件技术

报告嘉宾:刘 雯--西交利物浦大学副教授
主题报告硅基GaN MIS-HEMT 单片集成技术

报告嘉宾:黄润华--中电科五十五所副主任设计师
主题报告碳化硅MOSFET技术问题及55所产品开发进展

报告嘉宾:英诺赛科科技股份有限公司
主题报告八英寸硅基氮化镓技术进展(TBD)
 
报告嘉宾:叶建东--南京大学教授
主题报告
氧化镓基双极型异质结功率器件研究

报告嘉宾:彭 燕--南砂晶圆研发中心主任,山东大学副教授
主题报告碳化硅与金刚石单晶衬底技术与产业化研究

报告嘉宾:叶念慈--三安集成技术市场总监
主题报告(TBD)

报告嘉宾:童吉楚--乾照激光副总经理
主题报告VCSEL 技术 (TBD)

报告嘉宾:向鹏博士--苏州晶湛半导体有限公司研发经理 
主题报告用于新型GaN功率器件的外延技术进展

报告嘉宾:杨学林--北京大学物理学院高级工程师
主题报告
Si衬底上GaN基电子材料外延生长技术研究进展

报告嘉宾:Yuhao Zhang  美国弗吉尼亚理工大学电力电子系统中心助理教授
主题报告Ruggedness of SiC MOSFETs and GaN HEMTs in Overvoltage Switching

报告嘉宾:徐尉宗--南京大学研究员
主题报告
面向高可靠性、高能效应用的GaN HEMT增强型器件技术

报告嘉宾:郭宇锋--南京邮电大学副校长、教授
主题报告Off-state Characterization of AlGaN/GaN HEMT via Artificial Neural Network

报告嘉宾:樊嘉杰--复旦大学青年研究员
主题报告SiC功率器件先进封装材料及可靠性优化设计

更多报告嘉宾正在确认中!!!
 
【拟参与单位】华为、中兴、南京大学、三安光电、东南大学、英诺赛科、锴威特、泰科天润、基本半导体、捷捷微电、中微公司、苏州纳维、厦门大学、南砂晶圆、瀚天天成、苏州晶湛、云南锗业、Crosslight、英飞凌、GaNPower、安森美、许继电气、中车时代、国家电网、中芯集成、华润微电子、南大光电、AIXTRON、中电科五十五所、中电科十三所 西安电子科技大学、江苏能华、西安交通大学、北京大学,电子科技大学,河北同光、山东天岳、天津大学、聚能创芯,赛微电子,南京百识,唐晶量子,天科合达,汉骅半导体,南京百识,大族激光,德仪,江苏三代半研究院等

【投稿】Oral或Poster :500字左右扩展摘要提交到 1957340190@qq.com。

【参会注册 】注册费 2000 (会议资料,招待晚宴,自助餐)
开户行:中国银行北京科技会展中心支行
账  号:336 356 029 261
名  称:北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司

【参会/赞助/商务合作】
联系人:
贾先生18310277858,jiaxl@casmita.com
              张小姐13681329411,zhangww@casmita.com
南京功率射频会议活动行
如果您想参会,可以直接扫码预报名,我们会第一时间和您联系!
协议酒店:城市名人酒店(协议价400,含早)
联系人:王玮18652978537,648231476@qq.com 

防疫提示:会务组最新咨询南京市卫健委并得到答复,目前南京市全域均为低风险区,进出南京不需要核酸检测证明,只要14天内没去过中高风险区和出入境经历,体温无异常情况下,均可持绿码进出南京参加会议。
打赏
联系客服 投诉反馈  顶部