英飞凌:碳化硅扩张时点比预期更接近

日期:2021-09-08 阅读:284
核心提示:日经亚洲评论周一(9月6日)报道,罗姆(Rohm Co.)首席策略官Kazuhide Ino表示,芯片制造商已从携手打造碳化硅(SiC)市场进入了相互竞争阶段。
日经亚洲评论周一(9月6日)报道,罗姆(Rohm Co.)首席策略官Kazuhide Ino表示,芯片制造商已从携手打造碳化硅(SiC)市场进入了相互竞争阶段。法国市场研究机构Yole Developpement预估,2026年SiC电源芯片市场规模将较2020年增长6倍、达44.8亿美元。
 
德国芯片制造商英飞凌(Infineon Technologies)6月推出的电动汽车(EV)逆变器SiC模块将应用在现代汽车(Hyundai Motor)次世代EV。与硅相比、这些芯片据悉可让EV续航里程增加5%以上。日本英飞凌经理表示,SiC扩张时间点显然比预期更加接近。
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