晶湛半导体邀您参加2021中国(南京)功率与射频半导体技术市场应用峰会

日期:2021-09-01 来源:半导体产业网阅读:528
核心提示:2021年9月13-14日,苏州晶湛半导体有限公司邀您也参加2021中国(南京)功率与射频半导体技术市场应用峰会,晶湛半导体向鹏博士将分享《用于新型GaN功率器件的外延技术进展》主题报告。
9.13-14 2021中国(南京)功率与射频半导体技术市场应用峰会
2021年9月13-14日,苏州晶湛半导体有限公司邀您也参加2021中国(南京)功率与射频半导体技术市场应用峰会,晶湛半导体向鹏博士将分享《用于新型GaN功率器件的外延技术进展》主题报告。
 
第三代半导体材料及其应用是全球半导体产业战略竞争新高地,目前我国正迎来发展第三代半导体的重要窗口期。功率半导体从原材料到设计、晶圆制造加工装备、封测,正加速实现全产业链国产化。虽然我国已发展成为全球第一大功率半导体市场,但国产自给率较低,行业仍存巨大供需缺口,国产替代将是未来重要的发展方向。
 
为了更好的把握时机推进产业的发展,打破功率半导体产业在材料与装备、芯片制造、封装模组、系统应用等环节产业化主要技术瓶颈,引领技术及市场风向,半导体产业网在南京大学电子科学与工程学院、第三代半导体产业技术创新战略联盟的指导下,定于2021年9月13-14日在南京召开“2021中国(南京)功率与射频半导体技术市场应用峰会(CASICON 2021)”。会议围绕碳化硅、氮化镓、砷化镓、氧化镓、金刚石等材料在电力电子、5G 射频领域的技术进展与创新应用,助推相关领域市场产品国产化替代,届时晶湛半导体也与行业众多技术及应用专家进行研究、分享、交流。

苏州晶湛半导体有限公司总裁程凯曾对记者表示:“我们提供的电力电子氮化镓外延材料可于蓝宝石以及硅衬底上生长,并且拥有极高的击穿电压,业内领先的低缺陷控制;领先推出了8英寸高阻硅射频氮化镓外延片,将完美迎合5G市场的爆发以及引领射频产业的未来走向;多尺寸蓝宝石基以及硅基蓝光LED、绿光LED与近紫外LED外延产品具有优秀的全片波长均匀性和高标准形貌控制。”
 微信图片_20210908112748
苏州晶湛半导体有限公司由业界公认的硅基氮化镓(GaN-on-Si)外延技术的开拓者程凯博士于2012年3月回国创办,坐落于江苏省苏州工业园区苏州纳米城内,拥有国际先进的氮化镓外延材料研发和产业化基地,致力于为高端光电、电力电子、微波射频等领域提供高品质氮化镓外延材料解决方案。晶湛半导体现已建成面积超过3000平米的洁净室, 6英寸氮化镓外延片年产能规模达到20万片以上,并在2018年10月通过ISO:9001质量体系认证。晶湛半导体已成为国内首屈一指的氮化镓外延片供应商,并具备了一定的国际影响力和竞争力。
 
2014年底,晶湛半导体就率先在全球首次发布商用8英寸硅基氮化镓外延片产品,经有关下游客户验证,该材料具备全球领先的技术指标和卓越的性能,填补了国内氮化镓产业的空白。经过多年的专注发展,晶湛半导体已经与全球数百家知名半导体科技企业、高校科研院所客户建立广泛深入的合作,并多次与合作伙伴联合在行业顶级期刊Nature Electronics,IEEE Electron Device Letters,及国际顶级会议IEDM等发布相关创新成果,引起国际半导体界的广泛关注和一致好评。
 
作为国内第三代半导体氮化镓技术和产业化的领军企业,晶湛半导体高度重视自主研发和核心知识产权工作,在氮化镓外延领域已掌握多项核心技术, 拥有完全独立的自主知识产权,截止2021年7月底,晶湛半导体在国内外累计申请300多项专利,其中已获得80余项授权。其中,多项专利荣获“江苏省百件优质发明专利”、“江苏省高质量发明专利”、“苏州市技术发明一等奖”“苏州市优秀专利奖”等奖项。此外,公司先后获得国家/省/市/区各级人才项目支持,还荣获“国家高新技术企业”、“苏州市独角兽培育企业”、 “苏州市企业工程技术研究中心”、“苏州工业园区专利授权十佳企业”、“苏州工业园区知识产权高质量创造奖”等资质和荣誉。
 
苏州晶湛半导体有限公司将一直秉承着“成为服务全球的氮化镓外延材料制造商”的愿景,为客户创造价值。

更多会议资料请往下查看:

【组织机构】
 
指导单位
南京大学
第三代半导体产业技术创新战略联盟
 
主办单位
半导体产业网
第三代半导体产业 公号
 
承办单位
北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司

赞助支持单位 
蓝雨软件技术开发(上海)有限公司
爱发科商贸(上海)有限公司
宁波恒普真空技术有限公司
苏州晶湛半导体有限公司
青岛聚能创芯微电子有限公司
德仪国际贸易(上海)有限公司
大族激光显示与半导体装备事业部
上海翱晶半导体科技有限公司
上海智湖信息技术有限公司
芜湖启迪半导体有限公司
湖南国芯半导体科技有限公司
赞助企业LOGO图
 
【时间地点】
 时间:2021年9月13-14日
地点:南京·城市名人酒店(江苏省南京市鼓楼区中山北路30号)

【会议安排】
【报告嘉宾&主题报告】

1、9月13日报告(陆续更新中)
报告嘉宾:于坤山 第三代半导体产业技术创新战略联盟秘书长
主题报告:中国功率与射频技术市场现状及未来展望

报告嘉宾:
陈堂胜--中国电科首席科学家/微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室主任
主题报告:低温键合金刚石GaN HEMT微波功率器件

报告嘉宾:陈敦军--南京大学电子科学与工程学院副院长、教授   
主题报告:GaN功率开关器件及其高频电源应用
 
报告嘉宾:刘斯扬--东南大学教授
主题报告:SiC功率MOSFET器件可靠性研究进展

报告嘉宾:
龙世兵--中国科学技术大学微电子学院执行院长
主题报告:低成本高性能氧化镓功率器件

报告嘉宾:Dr Simon Li--Founding director, Crosslight Software Inc and GaNPower Intl. Inc
主题报告:Pushing GaN power devices to the limit - A material and TCAD perspective

报告嘉宾:戴小平-湖南国芯科技总经理
主题报告浅析SiC模块封装技术

报告嘉宾:Yuhao Zhang  美国弗吉尼亚理工大学电力电子系统中心助理研究员
主题报告1.2-10 kV GaN Power Devices Exceeding SiC Limit  

报告嘉宾:龚平--西安唐晶量子科技有限公司董事长
主题报告6 inch GaAs 基 VCSEL 和 射频外延技术

报告嘉宾:纽应喜--启迪半导体研发总监
主题报告碳化硅外延装备及技术进展

报告嘉宾:张 云--天津大学电气自动化与信息工程学院教授
主题报告新能源汽车电力电子系统及其运行控制
 
2、9月14日报告(陆续更新中)

报告嘉宾:
程新红--中科院上海微系统研究所研究员
主题报告SOI基GaN材料及功率器件集成技术

报告嘉宾:邓小川--电子科技大学教授
主题报告极端应力下碳化硅功率MOSFET的动态可靠性研究

报告嘉宾:惠  峰--云南锗业公司首席科学家/中科院半导体所研究员
主题报告VCSEL用六英寸超低位错密度砷化镓单晶片研制及应用

报告嘉宾:陈 鹏--南京大学教授
主题报告GaN肖特基功率器件新进展

报告嘉宾:Yuhao Zhang 美国弗吉尼亚理工大学电力电子系统中心助理教授
主题报告Packaging Enabled Thermal Management of Ga2O3 Devices

报告嘉宾:倪炜江--安徽芯塔电子科技有限公司 总经理
主题报告高性能高压碳化硅功率器件设计与技术

报告嘉宾:李 强--西安交通大学副教授
主题报告基于HBN 的射频器件

报告嘉宾:吴 彤--安森美首席SiC 专家
主题报告Adopt of SiC devices in EV applications

报告嘉宾:吴 亮--奥趋光电CEO
主题报告AlN/AlScN材料制备技术及其在5GRFFE滤波及功率器件等领域应用前景展望

报告嘉宾:张保平--厦门大学电子科学与技术学院 副院长、教授
主题报告氮化镓基VCSEL技术进展

报告嘉宾:蔚 翠--中电科第十三研究所研究员
主题报告金刚石微波功率器件研究

报告嘉宾:左  超--爱发科商贸(上海)有限公司电子营业部部长
主题报告量产高性能功率与射频器件的ULVAC装备技术

报告嘉宾:裴轶/Amgad Alsman--苏州能讯高能半导体有限公司技术副总裁/中国科学技术大学
主题报告:基于物理的5G射频GaN 晶体管模型、趋势和挑战

报告嘉宾:王祁玉--益丰电子副总经理
主题报告射频器件(TBD)

报告嘉宾:袁 理--青岛聚能创芯微电子有限公司
主题报告面向快充应用的GaN材料和器件技术

报告嘉宾:刘 雯--西交利物浦大学副教授
主题报告硅基GaN MIS-HEMT 单片集成技术

报告嘉宾:黄润华--中电科五十五所副主任设计师
主题报告碳化硅MOSFET技术问题及55所产品开发进展

报告嘉宾:英诺赛科科技股份有限公司
主题报告八英寸硅基氮化镓技术进展(TBD)
 
报告嘉宾:叶建东--南京大学教授
主题报告
氧化镓基双极型异质结功率器件研究

报告嘉宾:彭 燕--南砂晶圆研发中心主任,山东大学副教授
主题报告碳化硅与金刚石单晶衬底技术与产业化研究

报告嘉宾:叶念慈--三安集成技术市场总监
主题报告(TBD)

报告嘉宾:童吉楚--乾照激光副总经理
主题报告VCSEL 技术 (TBD)

报告嘉宾:向鹏博士--苏州晶湛半导体有限公司研发经理 
主题报告用于新型GaN功率器件的外延技术进展

报告嘉宾:杨学林--北京大学物理学院高级工程师
主题报告
Si衬底上GaN基电子材料外延生长技术研究进展

报告嘉宾:Yuhao Zhang  美国弗吉尼亚理工大学电力电子系统中心助理教授
主题报告Ruggedness of SiC MOSFETs and GaN HEMTs in Overvoltage Switching

报告嘉宾:徐尉宗--南京大学研究员
主题报告
面向高可靠性、高能效应用的GaN HEMT增强型器件技术

报告嘉宾:郭宇锋--南京邮电大学副校长、教授
主题报告Off-state Characterization of AlGaN/GaN HEMT via Artificial Neural Network

报告嘉宾:樊嘉杰--复旦大学青年研究员
主题报告SiC功率器件先进封装材料及可靠性优化设计

更多报告嘉宾正在确认中!!!
 
【拟参与单位】华为、中兴、南京大学、三安光电、东南大学、英诺赛科、锴威特、泰科天润、基本半导体、捷捷微电、中微公司、苏州纳维、厦门大学、南砂晶圆、瀚天天成、苏州晶湛、云南锗业、Crosslight、英飞凌、GaNPower、安森美、许继电气、中车时代、国家电网、中芯集成、华润微电子、南大光电、AIXTRON、中电科五十五所、中电科十三所 西安电子科技大学、江苏能华、西安交通大学、北京大学,电子科技大学,河北同光、山东天岳、天津大学、聚能创芯,赛微电子,南京百识,唐晶量子,天科合达,汉骅半导体,南京百识,大族激光,德仪,江苏三代半研究院等

【投稿】Oral或Poster :500字左右扩展摘要提交到 1957340190@qq.com。

【参会注册 】注册费 2000 (会议资料,招待晚宴,自助餐)
开户行:中国银行北京科技会展中心支行
账  号:336 356 029 261
名  称:北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司

【参会/赞助/商务合作】
联系人:
贾先生18310277858,jiaxl@casmita.com
              张小姐13681329411,zhangww@casmita.com
南京功率射频会议活动行
如果您想参会,可以直接扫码预报名,我们会第一时间和您联系!
协议酒店:城市名人酒店(协议价400,含早)
联系人:王玮18652978537,648231476@qq.com 

防疫提示:会务组最新咨询南京市卫健委并得到答复,目前南京市全域均为低风险区,进出南京不需要核酸检测证明,只要14天内没去过中高风险区和出入境经历,体温无异常情况下,均可持绿码进出南京参加会议。
打赏
联系客服 投诉反馈  顶部