韩媒:中国半导体材料和设备国产化加速

日期:2021-08-06 来源:摩尔芯闻阅读:305
核心提示:近期,中国半导体设备材料国产化进程不断加快,相关公司股价不断上涨。特别是,我们注意到光刻胶、曝光设备、沉积设备和离子注入机的本地化正在进行中。
近期,中国半导体设备材料国产化进程不断加快,相关公司股价不断上涨。特别是,我们注意到光刻胶、曝光设备、沉积设备和离子注入机的本地化正在进行中。
 
半导体光刻胶在中国的国产化
 
近期中国半导体设备和材料的国产化进展令人瞩目,相关企业股价回报良好。由于美国制裁,中国半导体设备进口难度加大,加快了自身设备的发展。28nm制程光刻设备将于年底在中国上市,离子注入机等也正在取得进展。
 
光刻胶在中国的发展也在加速。南大光电宣布ArF光刻胶开发成功,导致其股价在五天内上涨了68%。苏州瑞虹也在量产供应给中国半导体厂商的i-line光刻胶,并正在开发KrF光刻胶,目前处于中试阶段,计划从2022年开始量产。
 
中国半导体设备和材料制造商表现良好
 
由于中国政府的支持集中在半导体设备和材料制造商,相关公司的股价应该会脱颖而出。我们关注可以生产GaN半导体的MOCVD设备制造商AdvancedTechnology& Materials, CVD和清洁设备制造商NauraTechnology,以及光刻胶和沉积前驱体制造商 NataOptoelectronic。
 
与此同时,中国 DRAM 龙头厂商的DDR419nm 工艺良率已上升至 75%,考虑到其相对较短的历史,这是一个合理的水平。该公司计划在年底前开始17nm工艺量产。其目前的 DRAM 容量为 40K WPM,但计划到 2021 年底升级到 60K WPM。
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