中科院院士江风益将出席第四届全国宽禁带半导体学术会议并作大会报告

日期:2021-07-28 来源:半导体产业网阅读:332
核心提示:大会顾问委员会专家、中科院院士江风益将出席会议并带来题为“Si基GaN半导体发光”的大会报告。分享关于Si基GaN半导体发光的最新研究成果,敬请期待!
宽禁带半导体已成为全球高技术竞争战略制高点之一,国际半导体及材料领域研究和发展的热点,基于宽禁带半导体材料,半导体照明已经形成巨大规模的产业,并在电子功率器件领域继续深入发展。为推动我国宽禁带半导体领域的发展,加强各界交流与协同创新,八年前,首届全国宽禁带半导体学术会议召开。
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今年,每两年一届的全国宽禁带半导体学术会议(WBSC)迎来了第四届,将于2021年10月12-15日延期至11月7-10日在美丽的鹭岛厦门举办。由厦门大学校长张荣教授与第三代半导体产业技术创新战略联盟吴玲理事长共同担任大会主席。同时,邀请了强大的顾问委员会、程序委员会、组织委员会专家团。
 
据了解,本届大会以“芯动力·新征程--宽禁带半导体的机遇与挑战”为主题,届时,强大的专家团队将与来自国内宽禁带半导体领域学术界、产业界的专家学者、科研技术人员、院校师生、企业家代表们一道,围绕宽禁带半导体材料生长技术、材料结构与物性、光电子和电子器件研发以及相关设备研发等领域开展广泛交流,促进产学研用的交流合作。深信这次会议必将对我国宽禁带半导体材料与器件的学术研究、技术进步、产业发展起到有力的推动作用。
 
据组委会透露,大会顾问委员会专家、中科院院士江风益已经确认将出席会议,并带来题为“Si基GaN半导体发光”的大会报告。
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江风益是中国科学院院士,南昌大学党委委员、副校长、教授,国家硅基LED工程技术研究中心主任。半导体照明技术创新团队带头人(科技部、教育部),获中组部、中宣部、人事部和科技部联合授予"杰出专业技术人才"称号。他在硅基氮化镓LED方向取得了开拓性、系统性、创造性成就,带领团队在国际上率先研制成功高光效硅基氮化镓蓝光、绿光和黄光LED材料与芯片,并实现了产业化,获国家技术发明奖一等奖和全球半导体照明年度新闻奖。也是世界红光和黄光出光效率的保持者。
 
宽禁带半导体材料GaN作为第三代半导体材料具有传统半导体材料所不具备的优异性能,硅基氮化镓功率器件具有击穿电压高,工作温度高和工作频率高等优异性能,是电力电子领域极为理想的半导体器件,现已成为国际半导体领域的研究热点之一。本届大会上,一直坚持走在科研前线的江风益院士将与业界分享关于Si基GaN半导体发光的最新研究成果,敬请期待!

目前大会征文及报名工作正有序进行中,论文摘要提交将于8月10日截止,报名缴费优惠将于9月10日截止。欢迎相关领域的专家、学者、行业企事业单位参会交流!
 
更多详情见大会官网::http://www.wbsc.org.cn/
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