SiC器件年产能200万只!青铜剑第三代半导体产业基地项目主体开建

日期:2021-07-07 来源:半导体产业网阅读:356
核心提示:7月5日,基本半导体青铜剑第三代半导体产业基地项目有了新进展目前,该项目已完成基坑建设,施工方开始建设主体。据介绍,2021年
近日,基本半导体&“青铜剑第三代半导体产业基地项目已完成基坑建设,施工方开始建设主体。
 
据介绍,2021年1月18日,该项目完成奠基仪式,项目总投资3.5亿元,占地8073.79平方米,总建筑面积近5万平方米,预计2022年底完工。
 
据《深圳特区报》报道,该项目被列入深圳市2021年重大项目清单,是深圳加快第三代半导体产业发展的布局。该基地将作为青铜剑科技集团总部,同时建设第三代半导体研发中心、车规级碳化硅功率器件封装线和中欧创新中心孵化器等,最终形成国内领先的具备全产业链研发和生产制造能力的第三代半导体产业基地。项目预计2023年4月建成投产,届时碳化硅器件年产能将达200万只。
 
据基本半导体介绍,其车规级碳化硅模块在2019年第四季度开始上车测试。2019年,其650V二极管通过车规认证,1200V碳化硅MOSFET进入小批量的量产阶段。据基本半导体总经理和巍巍透露,他们和众多行业标杆企业进行合作。
 
2021年3月,基本半导体还获得博世集团旗下罗伯特·博世创业投资公司的战略投资。此前还完成多轮融资,投资方包括闻泰科技、中车时代高新投资等。
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