【行业动态】华为、SK海力士、赛晶科技、禹创半导体等动态

半导体产业网根据公开消息整理：华为、SK海力士、赛晶科技、禹创半导体等公司近期最新动态，以及行业动态如下（仅供参考）：

 

企查查显示，强一半导体（苏州）有限公司（以下简称“强一半导体”）发生工商变更，新增投资人深圳哈勃科技投资合伙企业（有限合伙）（以下简称“深圳哈勃）、共青城丰聚年佳投资合伙企业（有限合伙），注册资本从6594.30万元人民币变更至7316.50万元人民币，增幅10.95%。强一半导体是一家集成电路晶圆测试探针卡供应商，专业从事研发、设计、制造和组装半导体测试解决方案产品。深圳哈勃成立于2021年4月15日，注册资本20亿元，为华为旗下公司，其股东包括华为技术有限公司、华为终端（深圳）有限公司、哈勃科技投资有限公司。强一半导体是深圳哈勃成立后投资的第二家企业。

 

据businessKorea报道，SK海力士已开始招聘拥有8英寸晶圆厂5年以上工作经验的资深工人，支持其代工业务。业内人士表示，SK海力士正寻求全面收购8英寸晶圆厂Key Foundry。通过与韩国社区信用合作社联合会于2020年共同成立的私募股权基金，SK海力士对该公司进行股权投资。Key Foundry成立于2020年9月，由MagnaChip Semiconductor的代工部门分拆而成。SK海力士内部人士回复称，为了扩大代工事业，正在研究各种方案，但尚未确定。

 

6月23日，中国电子信息产业发展研究院电子信息研究所所长温晓君接受采访时表示：“国产14nm芯片明年底可以实现量产，国产芯片已经迎来最好的时刻。认同行业预判，尽管面临着技术方面的难题，但已看到希望。14nm甚至28nm芯片国产化快速发展意味着，我们采用退回策略，用成熟工艺满足一般性的芯片需要，不一味追求高制程，更加重视设计、封装优化，以时间来换取半导体应用和全产业链自主的空间。”

 

温晓君认为，当前14nm芯片的发展攻克了许多技术难题：刻蚀机、薄膜沉积等关键装备实现了从无到有，批量应用在大生产线上;14纳米工艺研发取得突破;后道封装集成技术成果全面实现量产;抛光剂和溅射靶材等上百种关键材料通过大生产线考核进入批量销售。而这些成果基本覆盖了我国集成电路全产业链体系，扭转了之前工艺技术全套引进的被动局面。

 

同时，在14nm芯片量产以后，后续扩大产能还需要做好资金支持，包括光刻机、清洗设备、抛光仪器等所需设备不仅价格昂贵，且在使用过程中需要耗费大量的水和电;其次，需要在原材料、元器件等供应商层面上做好整合工作，提前做好客户导入，确保产能得到充分利用。

 

温晓君称，14-12nm这一代的生产线，在目前半导体中非常的关键，14nm制程及以上能够满足目前70%半导体制造工艺的需要，定位中端的5G芯片均采用了12nm工艺。另外，14nm基本能满足我国国产台式CPU需要的制程的需要。对于全球大型芯片制造厂商而言，28nm芯片技术已经非常成熟，产能已有些过剩。而在另一端，10nm以下制程技术则非常尖端，行业玩家只剩下金字塔尖的台积电、三星和英特尔。居于两者中间位置的14nm显然成为了中坚力量，成为绝大多数中高端芯片的主要制程。

 

韩国媒体的报道显示，为了推进6G技术的研发和标准化，韩国计划到2025年投资2200亿韩元（约1.93亿美元）。从韩国媒体的报道来看，他们在6G方面超过2000亿韩元的资金，将由韩国科学和信息通信技术部投入。韩国媒体在报道中也提到，韩国科学和信息通信技术部表示他们已经拨付了约2000亿韩元，用于研发6G核心技术，直到2025年。

 

从汽车制造商到消费电子产品在内的各个行业所面临芯片短缺问题加剧，芯片产品等待时间甚至达到了18周。根据金融科技公司Susquehanna Financial Group的研究，今年5月份芯片交货期较上月又增加7天，达到18周。这表明芯片制造商更难满足市场需求。这一差距已经是Susquehanna公司自2017年开始跟踪相关行业数据以来最长的交货期，现在比2018年出现的上一次芯片交货期峰值长了4周多。电源管理芯片是芯片交货期整体拉长的一个主要原因。这些芯片的交货期达到25.6周，比一个月前延长了近两周时间。尽管如此，芯片短缺问题还是普遍存在。芯片短缺影响最大的是汽车行业，预计汽车行业将因此损失逾1000亿美元。其他行业也感受到了压力，面对芯片短缺，包括苹果在内的许多电子产品制造商无法满足其产品的市场需求。

 

赛晶科技（00580.HK）6月23日晚公告，旗下子公司赛晶亚太半导体科技（浙江）有限公司于6月23日举行了绝缘栅双极晶体管（IGBT）生产线竣工投产仪式。这标志着其IGBT生产线进入试生产阶段。赛晶科技IGBT项目规划建设2条IGBT芯片背面工艺生产线，5条IGBT模块封装测试生产线，建成后年产能将达到200万件IGBT模块产品。公司IGBT产品应用将涵盖600V至1700V的中低压领域，面向电动汽车、光伏风电、工业变频等市场。

 

近日，电信终端产业协会发布融合快充标准《移动终端融合快速充电技术规范》。该标准旨在解决目前市面上快充标准复杂多变、互不兼容的问题，同时也对提升用户的使用体验，节能环保起到积极的推动作用。UFCS快充规范全称Universal Fast Charging Specification，该标准由绿色能源工作组（WG10）主导，信通院、华为、OPPO、vivo、小米牵头，并得到了荣耀、矽力杰、瑞芯微、立辉科技、昂宝电子、电酷网络等多家终端、芯片企业和产业界伙伴的大力支持。

 

据日经新闻报导，根据日本金属加工中介商Caddi对参与Caddi研讨会的32家半导体制造设备商进行问卷调查显示，约六成半导体制造合并厂商最近一年间面临过零件供应不足问题。Caddi指出，芯片需求持续旺盛，为了填补零件供应持续短缺的问题，越来越多半导体设备商急于寻找新的零件供应商。接受问卷的59%的半导体设备商表示，最近一年间曾因现有零件供应商因生产追不上需求导致零件供应不足。另外高达70%以上表示，曾面临采购交期、价格、品质等问题。WSTS指出，因当前非常强劲的半导体需求似乎很难找到会呈现急速走弱的因素，因此预估2022年全球半导体销售额将年增8.8%至5,734.40亿美元，将持续创历史新高纪录。

 

近日，禹创半导体完成超亿元A+轮融资，投资方为君盛投资、润物创投、草之星创投等机构，老股东和利资本等机构持续加码。据悉，此轮新资金将主要用于新产品开发和团队的扩充。路演时刻消息显示，根据禹创半导体提供的业务数据，今年禹创显示类产品出货累计超过1000万颗的显示驱动芯片，包括TFTLCD、OLED等驱动IC。而电源管理IC方面，禹创于2019年5月开始量产，全年出货也将突破1000万颗，客户包括安克创新、ASUS、罗马仕、富士康、诺基亚等。

 

此外，禹创半导体还布局了Micro LED和氮化镓（GaN）。据介绍，接下来，禹创半导体将继续第三代GaN产品方向、多口充(A/C口)产品开发，预计2021年第三季度将推出支持120W以下产品。此外，公司还面向高频类型产品进行开发设计，配合5G/充电站类型产品进行研究评估开发，重点偏向系统整合与整体方案提供。