中科院院士黄如:后摩尔时代集成电路技术发展进入重要的历史转折期

日期:2021-05-31     来源:半导体产业网    作者:casmita    
核心提示:微电子器件专家、中科院院士、北京大学副校长黄如分享了“在后摩尔时代集成电路技术发展与探讨”主题报告。
5月30日下午,中国科学院学部第七届学术年会全体院士学术报告会在京举行。微电子器件专家、中科院院士、北京大学副校长黄如分享了“在后摩尔时代集成电路技术发展与探讨”主题报告。
黄如院士的报告从集成电路技术现状出发,从器件、材料、工艺、电路架构等多个层次探讨了推动集成电路技术发展的新路径以及未来发展趋势。
 
黄如院士指出,集成电路技术是现代信息社会的基石,在国家安全、国民经济、科学探索、社会文明等方面发挥着不可或缺的关键作用。当前,集成电路技术已进入后摩尔时代,后摩尔时代集成电路技术存在四大瓶颈,一是尺寸瓶颈,二是集成度瓶颈,三是功耗瓶颈,四是算力瓶颈。而且瓶颈问题相互交织。集成电路技术发展进入历史转折期。
 
同时,集成电路技术发展路线出现三种新变化,一是性能功耗比驱动,二是三维等效微缩与功能化系统集成,三是,系统-工艺跨层次协同设计。后摩尔时代集成电路技术的创新矩阵。对应技术路线的三大新变化,后摩尔时代IC技术,需从多维多向解决上述瓶颈问题。她认为,后摩尔时代集成电路技术将从等比例缩小的单一发展路径,向三维等效微缩,低功耗,高性能,多功能的多维度方向发展,支撑多样化的系统需求,技术革新呈现N分天下的态势。
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