昨日，赛微电子发布公告称，其与青州市人民政府签署了《合作协议》，以共同推进 6-8 英寸GaN氮化镓功率器件半导体制造项目。
公告内容显示，赛微电子拟在青州经济开发区发起投资 10 亿元分期建设聚能国际 6-8 英寸氮化镓功率器件半导体制造项目。项目总占地面积 30 亩，一期建成投产后将形成 月产 5000 片6-8英寸 GaN 芯片晶圆的能力，二期建成投产后将形成 12,000 片/月的生产能力。
赛微电子表示，该项目一期计划建设周期为 9 个月，今年底前做好投产前准备，2022上半年可投入生产，一期产能投产达效后预计可新增年销售收入 5 亿元。
赛微电子称，这一与青州政府的合作项目有利于自身进一步完善 GaN 业务的全产业链 IDM（垂直整合制造）布局，在现有产业链合作基础上进一步加强产能保障，把握 GaN 业务发展的关键机遇窗口，逐步形成自主可控、全本土化、可持续拓展的 GaN 材料、设计、制造能力。
