3月4日，深圳长城开发科技股份有限公司在投资者关系活动中发布相关信息。其中，公司计划募集不超过17.10亿元建设存储先进封测与模组制造项目。
项目由合肥沛顿存储科技有限公司实施，项目预计百亿投资，目前启动的一期投资30.67亿元，建设内容包括：（1）DRAM 存储芯片封装测试业务，计划全部达产后月均产能为4,800万颗；（2）存储模组业务，计划全部达产后月均产能为 246 万条模组；（3）NAND Flash存储芯片封装业 务，计划全部达产后月均产能为 320 万颗。建设期3年，预计全面达产后 可实现年产值28.63亿元，项目税后内部收益率为15.22%。
公司拟向不超过35名特定对象发行不超过8933万股（不超过发行前公 司股本总数的6.07%）募资总额不超过17.10亿元，作为沛顿科技向沛顿存储的出资资金，沛顿科技将以自有资金缴付首期出资款，待公司收到非公开发行股份募集资金后再予以置换。
据悉，技术来源于公司全资子公司沛顿科技自主研发与长期积累，是国内最大的 DRAM和Flash存储芯片封装测试企业之一。其存储芯片封装制程采用的是当前高端产品的主流技术，具备多层堆叠技术、系统级封装、倒装FCBGA技术等，现有产品已实现多达16层的多晶堆叠技术，最大单颗芯片容量可达到256G。
目前，沛顿科技主要从事动态随机存储（DRAM）、闪存（Flash）芯片、嵌入式存储产品、SSD和指纹逻辑芯片的封装和测试业务，目前主要为 wBGA、DDR3、DDR4，eMCP、USB、SSD闪存芯片以及指纹逻辑芯片等提供封测服务，是国内唯一具有从高端DRAM/Flash/SSD存储芯片封测到模组、成品生产完整产业链的企业。
项目实施后，可满足客户较大需求的DRAM、Flash存储芯片封测以 及DRAM内存模组制造业务，有助于国内存储器芯片封测的深度国产化。随着本次募投项目的实施，有利于打破国内存储器领域对进口产品的依赖和 技术壁垒，加速存储器国产化替代进程，提升国产存储器芯片的产业规模， 促进我国存储器产业链发展。
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