11月23-25日，由国家半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）与第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）主办，南方科技大学微电子学院与北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司共同承办的第十七届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA 2020）暨2020国际第三代半导体论坛（IFWS 2020）在深圳会展中心召开。
25日下午，由中电化合物半导体有限公司协办的“微波射频与5G移动通信”技术分会如期召开。分会期间，复旦大学微电子学院研究员黄伟，中兴通讯高级技术预研工程师蔡小龙，中电化合物半导体有限公司研发总监唐军，荷兰Ampleon Netherlands高级经理陈松，华为技术有限公司部长戈黎明，南方科技大学深港微电子学院副教授汪青，西安电子科技大学微电子学院李杨等来自国内外高校、科研院所、企业的精英代表将带来精彩报告，分享前沿研究成果。河北半导体研究所副所长蔡树军与苏州能讯高能半导体有限公司董事长张乃千共同主持了本届分会。
复旦大学微电子学院研究员黄伟分享了面向5G/卫星通信应用的化合物半导体射频芯片技术研究进展，其中，报告指出，基于行业发展需要，毫米波通信面向更高速度、更广覆盖、更低延时的无线接入应用。毫米波通信技术已被确立为5G 关键技术之一。基于波束化的应用，高通量卫星通信星座系统/5G通信的毫米波接驳与融合。
会上，中兴通讯高级技术预研工程师蔡小龙分享了针对5G基站氮化镓射频HEMT的失效分析研究；
中电化合物半导体有限公司研发总监唐军分享了SiC基GaN射频材料热阻的研究进展。其中，报告指出，AlGaN/GaN HEMT器件的有效热管理是器件可靠性和性能最关键的因素之一；对于SiC基GaN 射频器件，从有源区有效提取出热量是热管理的关键；对于SiC基GaN 器件热阻，除了考虑GaN、SiC材料热阻，还需要考虑不同材料的界面热阻。
荷兰Ampleon Netherlands高级经理陈松带来了“研发转量产：射频功率器件量产阶段零失效目标下的挑战和实践”的主题报告，结合具体实例，报告指出，缺陷、筛选、产量……是制造阶段实现零缺陷最重要的挑战性项目。建立精确的外部可靠性模型是设置合适筛选条件的关键。通过PDCA循环推动产量提高至关重要。
华为技术有限公司部长戈黎明分享了“射频氮化镓现状和未来展望”主题报告。
南方科技大学深港微电子学院副教授汪青分享了Si基GaN射频器件的关键技术研究进展，报告指出，采用高频活化法沉积的PECVD-SiNx可以避免离子轰击，获得良好的钝化效果。应力衬层可以抑制肖特基栅F-N隧穿，减少栅漏。InAlN/GaN-HEMT优良的饱和电流和跨导特性显示出它在更好的射频放大器应用中的潜力。
西安电子科技大学微电子学院李杨带来了“用于无线充电和功率传输的基于GaN肖特基势垒二极管的微波整流器”的报告，提出了一种中功率容量、宽功率带宽的指型GaN-SBD微波整流器。在不牺牲其它指标的前提下，实现了SBD准恒定结电容和低串联电阻的特性。与目前最先进的硅和砷化镓整流器相比，基于新型GaN-SBD的微波整流器即使不使用任何类型的带宽扩展电路，也能提供最宽的高效率输入功率范围（效率≥70%和75%）。最好的应用场景是无线充电或驱动高功耗5G物联网传感器（或嵌入式传感器）。
（内容根据现场资料整理，如有出入敬请谅解）
