据悉，华瑞微第三代化合物半导体生产线项目近日顺利落户安徽省滁州市南谯经济开发区，该项目是南京市浦口区与滁州市南谯区签署跨界一体化发展示范区合作框架协议后的首个招引项目。项目总投资10亿元，占地100亩，建设周期3年，主要承担第三代化合物半导体器件的研发及产业化，建设SiC MOSFET生产线。项目建成后将形成年产1万片第三代化合物半导体器件的生产能力，完全达产后销售额预计超10亿元。目前，项目已经完成相关审批，正式开工建设。
据该项目负责人介绍，第三代化合物半导体器件主要应用于5G基站、新能源汽车、工业电源等高端领域，该项目的建成投产将助力国内高端功率器件持续健康发展。同时，该项目的顺利实施，将对浦口、南谯两地的半导体产业发展产生深远影响，推动两地进一步补齐补强上下游产业链，增强产业核心竞争力，打造未来发展新优势。
南京华瑞微背景
南京华瑞微集成电路有限公司是一家专注于功率器件的设计企业， 2018年5月落户江苏南京浦口高新区（自贸区内），创始人有近20年的晶圆厂和设计公司的行业经验，管理过6英寸和8英寸晶圆厂的技术部门、研发部门，曾参与建设3座晶圆厂，创办过芯片设计公司。核心团队数十人，均有十年以上的晶圆厂或功率器件设计公司的从业经验。
2019年南京华瑞微为市场贡献了超过15万片晶圆，通过了国家高新技术企业认定，并且获得2019年度“江苏省专精特新（创新类）小巨人企业”、“江苏省科技型民营企业”等一系列称号，和知名高校共建联合实验室及研究生实训基地。华瑞微的产品正在从消费级功率器件向工业级、车规级功率器件迈进。超结MOS产品已经稳定向充电桩客户供货，第二代SiC MOSFET已研发成功，小批量试产。
什么是第三代化合物半导体
半导体产业发展至今经历了三个阶段：第一代半导体材料以硅为代表；第二代半导体材料砷化镓也已经广泛应用；而以氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)、氧化锌(ZnO)、金刚石为四大代表的第三代半导体材料，相较前两代产品性能优势显著，是5G时代的主要材料。由于第三代半导体材料在应用领域拥有前两代半导体材料无法比拟的优点：具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度、高迁移率等特点，可实现高压、高温、高频、高抗辐射能力，被誉为固态光源、电力电子、微波射频器件的“核芯”，是光电子和微电子等产业的“新发动机”。
从应用范围来说，第三代半导体领域还具有学科交叉性强、应用领域广、产业关联性大等特点。在半导体照明、新一代移动通信、智能电网、高速轨道交通、新能源汽车、消费类电子等领域拥有广阔的应用前景。
SiC的优势
对比传统硅基功率器件，碳化硅有着无可比拟的优势：它能承受更大的电流和电压、更高的开关速度、更小的能量损失、更耐高温。因此用碳化硅做成的功率模组可以相应的减少了电容、电感、线圈、散热组件的部件，使得整个功率器件模组更加轻巧、节能、输出功率更强，同时还增强了可靠性，优点十分明显。作为新一代的“黄金赛道”，业内更是有“得碳化硅者得天下”的生动比拟。
第三代化合物半导体的未来
碳化硅和氮化镓是未来第三代化合物半导体的核心发展方向，是全球半导体产业领导者重点布局的研究领域。根据Omdia《2020年SiC和GaN功率半导体报告》，到2020年底，全球SiC和GaN功率半导体销售收入预计将达到8.54亿美元，并且在未来10年增长率都会保持在两位数。
