苏州英诺迅推出基于InGaP /GaAs HBT工艺面向Wi-Fi 6E的线性功率放大器芯片

日期:2020-06-12     来源:GaN世界    
核心提示:受疫情影响,人们居家生活办公对于网络性能的要求日益提升,Wi-Fi6路由器一经推出便对接了旺盛的市场需求。但在国内多家主流电商
受疫情影响,人们居家生活办公对于网络性能的要求日益提升,Wi-Fi6路由器一经推出便对接了旺盛的市场需求。但在国内多家主流电商平台上,大部分最近推出的Wi-Fi 6路由器产品的购买页面为预约或无货状态。业内人士表示,预计今年Wi-Fi 6路由器的出货在近千万台的规模,而在明年市场有望迎来数千万级出货量。Wi-Fi 6路由器市场快速成长下,相关领域布局公司望迎来发展机遇。
 
IDC预测,至2023年,Wi-Fi 6在中国无线AP市场出货量占比中将超过90%。到2024年,蜂窝物联网连接数量将增长到137.6亿,是增速最快的物联网连接技术。
 
IDC《中国 WLAN 市场季度跟踪报告,2019 年第三季度》报告显示,WLAN 市场总体规模在 2019 年第三季度达到 2.3 亿美元规模,处于平稳上涨趋势。IDC 预计在 2020 年,Wi-Fi 6 将在无线市场中大放异彩,仅在中国市场的规模就将接近 2 亿美元。
 
报告显示,其中 Wi-Fi 6 在 2019 年第三季度开始从一些主流厂商陆续登场,首次登场的 Wi-Fi 6 产品在 2019 年第三季度便有 470 万美元的销售规模。
针对此市场苏州英诺迅推出面向Wi-Fi 6E的线性功率放大器芯片YP602528,满足IEEE 802.11ax/Wi-Fi 6E的应用要求。YP602528基于InGaP /GaAs HBT工艺制程,采用符合工业标准的QFN形式封装,尺寸4mmx4mm,内置ESD和VSWR保护,具有高可靠性。
 
主要性能特点:
工作频段(MHz):5800~7200
P1dB(dBm):> 28
EVM(%)@Pout:3.0@24dBm
增益(dB):25
集电极电压(V):5
静态集电极电流(mA):240
 
异质结双极晶体管(HBT)类似于标准双极晶体管,不同之处在于基极 - 发射极结通常是两种不同半导体材料组成的半导体结,而不是具有不同掺杂浓度的相同材料。例子包括用AlGaAs做成的发射极和GaAs基极制造的HBT,磷化铟镓(InGaP)发射极和GaAs基极,以及InP发射极和InGaAs基极。通过使发射极层重掺杂并且轻掺杂基极层,同质双极晶体管保持良好的注入效率(从发射极注入基极的电子与从基极注入进入发射极的空穴的比率)。而HBT通过结处防止空穴注入发射极的能带隙差来实现注入效率。这允许基极层更重的掺杂,这极大地降低了基极电阻,并且这减少了器件的传输时间并增加了其频率响应。增加的基极掺杂还具有通过增加基极 - 集电极电压使基极不易变窄的效果,因此具有更平坦的I / V特性和更负的早期(Early)电压。
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